等离子体处理装置的制作方法

本公开涉及一种等离子体处理装置。

背景技术：

1、以往，已知如下一种技术：在等离子体处理装置中，在使包围基板载置面的外周的边缘环从用于载置边缘环的载置台分离的状态下，使用等离子体将沉积于载置台以及载置于载置台的边缘环的沉积物去除。

2、现有技术文献

3、专利文献

4、专利文献1：日本特开2012-146743号公报

5、专利文献2：日本特开2019-201047号公报

技术实现思路

1、发明要解决的问题

2、本公开提供一种能够在抑制对载置台的损伤的同时将沉积于载置台的外周部、环构件的内周部以及环构件的下表面的沉积物去除的技术。

3、用于解决问题的方案

4、本公开的一个方式的等离子体处理装置具备载置台、升降机构、高频电源以及控制部。载置台具有第一载置面和第二载置面，在第一载置面载置基板，在第二载置面载置包围第一载置面的外周的环构件。升降机构使环构件相对于第二载置面进行升降。高频电源连接于载置台。控制部构成为执行清洁，所述清洁包括进行分离的工序以及进行去除的工序。在进行分离的工序中，使用升降机构使第二载置面与环构件分离。在进行去除的工序中，在进行分离的工序之后，通过从高频电源向载置台供给高频电力来生成等离子体，以将沉积于载置台和环构件的沉积物去除。另外，在进行分离的工序中，设定第二载置面与环构件的分离距离，以使得在第一载置面的外缘与环构件的下表面的内缘之间的区域生成的等离子体的密度比在其它区域生成的等离子体的密度高。

5、发明的效果

6、根据本公开，能够在抑制对载置台的损伤的同时将沉积于载置台的外周部、环构件的内周部以及环构件的下表面的沉积物去除。

技术特征：

1.一种等离子体处理装置，具备：

2.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其中，

3.根据权利要求2所述的等离子体处理装置，其中，

4.根据权利要求3所述的等离子体处理装置，其中，

5.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其中，

6.根据权利要求5所述的等离子体处理装置，其中，

7.根据权利要求6所述的等离子体处理装置，其中，

8.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其中，

9.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其中，

10.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其中，

11.根据权利要求10所述的等离子体处理装置，其中，

12.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其中，

13.根据权利要求12所述的等离子体处理装置，其中，

14.根据权利要求12所述的等离子体处理装置，其中，

15.根据权利要求12所述的等离子体处理装置，其中，

16.根据权利要求12所述的等离子体处理装置，其中，

17.根据权利要求16所述的等离子体处理装置，其中，

18.根据权利要求12所述的等离子体处理装置，其中，

19.根据权利要求12所述的等离子体处理装置，其中，

20.根据权利要求12所述的等离子体处理装置，其中，

21.根据权利要求12所述的等离子体处理装置，其中，

22.根据权利要求12所述的等离子体处理装置，其中，

23.根据权利要求12所述的等离子体处理装置，其中，

24.根据权利要求12所述的等离子体处理装置，其中，

25.根据权利要求12所述的等离子体处理装置，其中，

26.根据权利要求25所述的等离子体处理装置，其中，

27.根据权利要求26所述的等离子体处理装置，其中，

28.根据权利要求25所述的等离子体处理装置，其中，

29.根据权利要求28所述的等离子体处理装置，其中，

30.根据权利要求29所述的等离子体处理装置，其中，

31.根据权利要求26所述的等离子体处理装置，其中，

32.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其中，

33.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其中，

34.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其中，

技术总结等离子体处理装置具备载置台、升降机构、高频电源以及控制部。载置台具有第一载置面和第二载置面，在第一载置面载置基板，在第二载置面载置环构件。升降机构使环构件进行升降。高频电源连接于载置台。控制部执行清洁，所述清洁包括进行分离的工序和进行去除的工序。在进行分离的工序中，使第二载置面与环构件分离。在进行去除的工序中，在进行分离的工序之后生成等离子体，以将沉积于载置台和环构件的沉积物去除。在进行分离的工序中，设定第二载置面与环构件的分离距离，以使得在第一载置面的外缘与环构件的下表面的内缘之间的区域生成的等离子体的密度比在其它区域生成的等离子体的密度高。技术研发人员：小野寺勇稀,高山贵光受保护的技术使用者：东京毅力科创株式会社技术研发日：技术公布日：2024/7/29