改善刻蚀机台造成的晶圆边缘缺陷的方法与流程

本申请涉及半导体，具体涉及一种改善刻蚀机台造成的晶圆边缘缺陷的方法。

背景技术：

1、刻蚀工艺中的聚合物(polymer)需及时抽离，若聚合物在某处堆积，则容易变成缺陷源，造成晶圆缺陷问题。

2、刻蚀机台中为保护静电吸盘(esc)，用如图1所示的上部边缘环(top edge ring)环绕静电吸盘外围，避免等离子体对静电吸盘造成损伤，但静电吸盘和上部边缘环之间的距离很难精准控制，容易造成二者间距离不一致，间隙较小的位置会导致聚合物堆积，造成晶圆(wafer)缺陷问题且出现的缺陷位置在晶圆边缘区域。

技术实现思路

1、鉴于以上所述现有技术的缺点，本申请的目的在于提供一种改善刻蚀机台造成的晶圆边缘缺陷的方法，用于解决刻蚀机台的静电吸盘与上部边缘环之间的距离偏差造成晶圆边缘缺陷的问题。

2、为实现上述目的及其它相关目的，本申请提供一种改善刻蚀机台造成的晶圆边缘缺陷的方法，包括：

3、步骤一，在刻蚀机台的定期保养期间，对静电吸盘实施升温操作，使静电吸盘和上部边缘环紧密贴合；

4、步骤二，对静电吸盘实施降温操作，使静电吸盘的外周和上部边缘环呈同心圆；

5、步骤三，实施暖机操作后，通过检测监控晶圆边缘缺陷的分布情况。

6、优选的，在步骤一中，根据静电吸盘的材质确定升温数值，在保证不损坏静电吸盘的前提下，使静电吸盘膨胀放大到能够和上部边缘环紧密贴合。

7、优选的，实施步骤一的时长为静电吸盘升温所需时长与静电吸盘和上部边缘环紧密贴合持续时长之和。

8、优选的，在步骤二中，根据静电吸盘的材质确定降温数值，使静电吸盘回复到初始状态。

9、优选的，在步骤三中，实施暖机操作时对测试用晶圆进行刻蚀。

10、如上所述，本申请提供的改善刻蚀机台造成的晶圆边缘缺陷的方法，具有以下有益效果：在刻蚀机台定期保养期间，根据静电吸盘材质热胀冷缩的特点，调整静电吸盘与上部边缘环之间的距离，有效降低晶圆边缘缺陷的发生率。

技术特征：

1.一种改善刻蚀机台造成的晶圆边缘缺陷的方法，其特征在于，所述方法包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤一中，根据所述静电吸盘的材质确定升温数值，在保证不损坏所述静电吸盘的前提下，使所述静电吸盘膨胀放大到能够和所述上部边缘环紧密贴合。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，实施所述步骤一的时长为所述静电吸盘升温所需时长与所述静电吸盘和所述上部边缘环紧密贴合持续时长之和。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤二中，根据所述静电吸盘的材质确定降温数值，使所述静电吸盘回复到初始状态。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤三中，实施所述暖机操作时对测试用晶圆进行刻蚀。

技术总结本申请提供一种改善刻蚀机台造成的晶圆边缘缺陷的方法，包括：步骤一，在刻蚀机台的定期保养期间，对静电吸盘实施升温操作，使静电吸盘和上部边缘环紧密贴合；步骤二，对静电吸盘实施降温操作，使静电吸盘的外周和上部边缘环呈同心圆；步骤三，实施暖机操作后，通过检测监控晶圆边缘缺陷的分布情况。在刻蚀机台定期保养期间，根据静电吸盘材质热胀冷缩的特点，调整静电吸盘与上部边缘环之间的距离，有效降低晶圆边缘缺陷的发生率。技术研发人员：李勇,管玉东,樊士文受保护的技术使用者：华虹半导体（无锡）有限公司技术研发日：技术公布日：2024/7/29