基片处理装置和基片支承部的制作方法

本发明涉及基片处理装置和基片支承部。

背景技术：

1、通过使进行了温度控制的热交换介质从冷却单元向基片支承部的流路流动，静电吸盘上的被处理基片被冷却到期望的温度。例如，专利文献1提出一种基片处理装置，其具有载置被处理基片的基片支承部。基片支承部包括：基座，其配置有供进行了温度控制的热交换介质流动的流路；和静电吸盘，其在等离子体耐性高的陶瓷内内置电极，在载置面载置被处理基片，利用粘接层使基座与静电吸盘之间粘接在一起。

2、近年来，施加到基片支承部的高频电功率增加。因此，从等离子体去往被处理基片的热输入增加，有时被处理基片的温度控制变得不充分。

3、现有技术文献

4、专利文献

5、专利文献1：日本特开2016-27601号公报

技术实现思路

1、发明要解决的技术问题

2、本发明提供一种能够提高基片支承部的温度控制效率的技术。

3、用于解决技术问题的技术方案

4、根据本发明的一个方式，提供一种基片处理装置，其包括：处理容器；配置在上述处理容器内的基片支承部；和至少向上述基片支承部供给rf电功率的电源，上述基片支承部包括：静电吸盘，其由陶瓷形成，通过静电吸附来保持被处理基片；基座，其具有供热交换介质流动的流路，支承上述静电吸盘；低线膨胀系数部件，其设置在上述静电吸盘与上述基座之间；传热片，其设置在上述低线膨胀系数部件与上述基座之间；固定部，其将上述传热片固定于上述低线膨胀系数部件；和导电性部件，其设置在上述低线膨胀系数部件与基座之间，将上述低线膨胀系数部件与基座电连接。

5、发明效果

6、根据一个方面，能够提高基片支承部的温度控制效率。

技术特征：

1.一种基片处理装置，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的基片处理装置，其特征在于：

3.如权利要求1所述的基片处理装置，其特征在于：

4.如权利要求1所述的基片处理装置，其特征在于：

5.如权利要求1至4中任一项所述的基片处理装置，其特征在于：

6.如权利要求1至4中任一项所述的基片处理装置，其特征在于：

7.如权利要求1至4中任一项所述的基片处理装置，其特征在于：

8.如权利要求1至4中任一项所述的基片处理装置，其特征在于：

9.如权利要求1至4中任一项所述的基片处理装置，其特征在于：

10.如权利要求1至4中任一项所述的基片处理装置，其特征在于：

11.如权利要求1至4中任一项所述的基片处理装置，其特征在于：

12.如权利要求1至4中任一项所述的基片处理装置，其特征在于：

13.如权利要求12所述的基片处理装置，其特征在于：

14.如权利要求12所述的基片处理装置，其特征在于：

15.如权利要求14所述的基片处理装置，其特征在于：

16.如权利要求15所述的基片处理装置，其特征在于：

17.如权利要求16所述的基片处理装置，其特征在于：

18.一种基片支承部，其能够在具有处理容器的基片处理装置中配置于所述处理容器内，所述基片支承部的特征在于，包括：

技术总结本发明提供提高基片支承部的温度控制效率的基片处理装置和基片支承部。基片处理装置包括：处理容器；配置在上述处理容器内的基片支承部；和至少向上述基片支承部供给RF电功率的电源，上述基片支承部包括：静电吸盘，其由陶瓷形成，通过静电吸附来保持被处理基片；基座，其具有供热交换介质流动的流路，支承上述静电吸盘；低线膨胀系数部件，其设置在上述静电吸盘与上述基座之间；传热片，其设置在上述低线膨胀系数部件与上述基座之间；固定部，其将上述传热片固定于上述低线膨胀系数部件；和导电性部件，其设置在上述低线膨胀系数部件与基座之间，将上述低线膨胀系数部件与基座电连接。技术研发人员：加藤诚人,武藤亮磨,须贺海成受保护的技术使用者：东京毅力科创株式会社技术研发日：技术公布日：2024/7/29