氧化层的击穿检测结构的制作方法

本发明涉及半导体检测，特别涉及一种氧化层的击穿检测结构。

背景技术：

1、在可靠性测试中，经常涉及针对氧化层的耐电性应力测试。在测试中需要施加应力来加速其失效，通过数据分析评估氧化层的抗电应力的可靠性性能。但在测试中，由于氧化层的绝缘性，施加应力时所通过的漏电流非常小，应力累积在氧化层两端，导致施加电应力时间过长，或者电应力过大而击穿。在氧化层在击穿瞬间，大电流通过测试结构而导致大块氧化层，以及同层的金属线烧毁，如图2和图3所示。这就对后续借助失效分析来确认实验失效位置和失效机理造成了较大的困难。

2、通常采取的措施是在测试过程中对被测结构设置最大通过电流，然而，这种设置对于无法预先判断电流数量级来满足不同样品的不同特性，电流上升的时间无法控制，使得能量释放无法控制。

3、需要说明的是，公开于该发明背景技术部分的信息仅仅旨在加深对本发明一般背景技术的理解，而不应当被视为承认或以任何形式暗示该信息构成已为本领域技术人员所公知的现有技术。

技术实现思路

1、本发明的目的在于提供一种氧化层的击穿检测结构，以解决氧化层容易过度击穿的问题。

2、为解决上述技术问题，本发明提供一种氧化层的击穿检测结构，包括：

3、第一金属层，包括第一梳状部和第一共接部，所述第一梳状部的一侧用于和氧化层电性连接，另一侧通过第一互连结构与所述第一共接部的一端相连；

4、第二金属层，包括第二梳状部和第二共接部，所述第二梳状部的一侧用于和氧化层电性连接，另一侧通过第二互连结构与所述第二共接部的一端相连；

5、其中，所述第一共接部的另一端用于和供电源的阴极相连，所述第二共接部的另一端用于和供电源的阳极相连，且所述第一互连结构和所述第二互连结构均会在一定电流强度下熔断。

6、优选地，所述第一梳状部具有若干平行布置的第一金属条，用于和氧化层互连，多个所述第一金属条在一侧共接至所述第一互连结构。

7、优选地，所述第一互连结构包括第一金属互连线、第一互连金属层和第二金属互连线，所述第一金属互连线的底部与所述第一共接部连接，所述第二金属互连线的底部与所述第一梳状部连接，所述第一金属互连线和所述第二金属互连线的顶部通过所述第一互连金属层互连。

8、优选地，所述第二金属互连线的数量小于所述第一金属互连线的数量。

9、优选地，所述第二金属互连线设置三个，所述第一金属互连线设置一个。

10、优选地，所述第一共接部的另一端与第一焊盘相连。

11、优选地，所述第二共接部的另一端与第二焊盘相连。

12、优选地，所述第二梳状部具有若干平行布置的第二金属条，用于和氧化层互连，多个所述第二金属条在一侧共接至所述第二互连结构。

13、优选地，所述第一互连结构和所述第二互连结构的结构相同，所述第二互连结构包括第四金属互连线和第五金属互连线，所述第四金属互连线的底部与所述第二共接部另一端相连，所述第五金属互连线的底部和所述第二梳状部相连，所述第四金属互连线和第五金属互连线的顶部通过第二互连金属层相连。

14、优选地，所述第四金属互连线的数量小于所述第五金属互连线的数量。

15、在本发明提供的氧化层的击穿检测结构，通过在金属层上设置互连线，既可以保证正常氧化层电压应力施加时的测试正常进行，又可以在到达耐压极限或者耐压时间极限时，在击穿电流急速增加时，使得互连线熔断形成断路，从而在氧化层测试发生击穿时避免因电流过大，导致结构损伤过大，难以分析击穿原因。

技术特征：

1.一种氧化层的击穿检测结构，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的氧化层的击穿检测结构，其特征在于，所述第一梳状部具有若干平行布置的第一金属条，用于和氧化层互连，多个所述第一金属条在一侧共接至所述第一互连结构。

3.如权利要求1所述的氧化层的击穿检测结构，其特征在于，所述第一互连结构包括第一金属互连线、第一互连金属层和第二金属互连线，所述第一金属互连线的底部与所述第一共接部连接，所述第二金属互连线的底部与所述第一梳状部连接，所述第一金属互连线和所述第二金属互连线的顶部通过所述第一互连金属层互连。

4.如权利要求1所述的氧化层的击穿检测结构，其特征在于，所述第二金属互连线的数量小于所述第一金属互连线的数量。

5.如权利要求4所述的氧化层的击穿检测结构，其特征在于，所述第二金属互连线设置三个，所述第一金属互连线设置一个。

6.如权利要求1所述的氧化层的击穿检测结构，其特征在于，所述第一共接部的另一端与第一焊盘相连。

7.如权利要求1所述的氧化层的击穿检测结构，其特征在于，所述第二共接部的另一端与第二焊盘相连。

8.如权利要求1所述的氧化层的击穿检测结构，其特征在于，所述第二梳状部具有若干平行布置的第二金属条，用于和氧化层互连，多个所述第二金属条在一侧共接至所述第二互连结构。

9.如权利要求1所述的氧化层的击穿检测结构，其特征在于，所述第一互连结构和所述第二互连结构的结构相同，所述第二互连结构包括第四金属互连线和第五金属互连线，所述第四金属互连线的底部与所述第二共接部另一端相连，所述第五金属互连线的底部和所述第二梳状部相连，第四金属互连线和第五金属互连线的顶部通过第二互连金属层相连。

10.如权利要求9所述的氧化层的击穿检测结构，其特征在于，所述第四金属互连线的数量小于所述第五金属互连线的数量。

技术总结本发明公开了一种氧化层的击穿检测结构，属于半导体检测技术领域，该氧化层的击穿检测结构，包括第一金属层，包括第一梳状部和第一共接部，所述第一梳状部的一侧用于和氧化层电性连接，另一侧通过第一互连结构与所述第一共接部的一端相连；第二金属层，包括第二梳状部和第二共接部，所述第二梳状部的一侧用于和氧化层电性连接，另一侧通过第二互连结构与所述第二共接部的一端相连；其中，所述第一共接部的另一端用于和供电源的阴极相连，所述第二共接部的另一端用于和供电源的阳极相连，且所述第一互连结构和所述第二互连结构均会在一定电流强度下熔断。通过在金属层上设置互连结构，既可以保证正常氧化层电压应力施加时的测试正常进行，又可以在到达耐压极限或者耐压时间极限时，在击穿电流急速增加时，使得互连结构熔断形成断路，从而在氧化层测试发生击穿时避免因电流过大。技术研发人员：姚政,朱月芹受保护的技术使用者：上海华力微电子有限公司技术研发日：技术公布日：2024/7/29