阵列基板及超声检测装置的制作方法

本公开涉及显示，特别涉及阵列基板及超声检测装置。

背景技术：

1、近年来超声波传感器在电子消费领域、汽车领域、工业领域和医学检测领域都存在广泛的应用。在消费电子和医学领域主要作为超声成像传感器应用于指纹识别、手势识别和超声成像等方面。超声波传感器成像的清晰度决定了用户的体验程度的好坏，特别是医疗检测领域，清晰度越高，越有利于进行准确的判断从而进行合理的医学治疗。而目前相关技术中形成的超声波成像背板中仍存在一些缺陷，导致形成的超声波成像背板存在短路情况，进而影响超声波传感器的性能。

技术实现思路

1、本公开一些实施例提供的阵列基板，包括：衬底基板，位于所述衬底基板上的控制电路和压电单元；

2、所述控制电路包括：第一晶体管和第二晶体管；所述第一晶体管的有源层的材料为低温多晶硅材料；

3、所述第二晶体管的有源层的材料为氧化物材料；

4、所述第二晶体管的栅极所在膜层与所述第二晶体管的源漏极所在膜层之间具有至少一层层间绝缘层和至少一层平坦化层。

5、在本公开的一些可能的实施方式中，所述第二晶体管的源漏极直接与所述第二晶体管的有源层电连接。

6、在本公开的一些可能的实施方式中，所述第二晶体管还具有转接结构，所述第二晶体管的源漏极通过所述转接结构与所述第二晶体管的有源层电连接。

7、在本公开的一些可能的实施方式中，所述第二晶体管的转接结构与所述第二晶体管的栅极位于同一层。

8、在本公开的一些可能的实施方式中，所述第二晶体管的转接结构所在膜层位于所述第二晶体管的栅极所在膜层与所述第二晶体管的源漏极所在膜层之间。

9、在本公开的一些可能的实施方式中，所述第一晶体管的有源层位于第一有源层；

10、所述第一晶体管的栅极位于第一导电层，所述第一导电层位于所述第一有源层背离所述衬底基板的一侧；

11、所述第二晶体管的有源层位于第二有源层，所述第二有源层位于所述第一导电层背离所述衬底基板的一侧。

12、在本公开的一些可能的实施方式中，所述第一晶体管的源漏极和所述第二晶体管的栅极均位于第二导电层，所述第二导电层位于所述第二有源层背离所述衬底基板的一侧；

13、所述第二晶体管的源漏极位于第三导电层，所述第三导电层位于所述第二有源层背离所述衬底基板的一侧；

14、所述第二导电层与所述第三导电层之间包括依次层叠的第一层间绝缘层和第一平坦化层。

15、在本公开的一些可能的实施方式中，所述压电单元包括依次层叠的第一电极层、压电感应层、第一钝化层以及第二电极层，所述第一电极层位于靠近所述控制电路的一侧，所述第一电极层与所述第二晶体管的源漏极中的一个电连接。

16、在本公开的一些可能的实施方式中，所述控制电路与所述压电单元之间具有至少一层钝化层和至少一层平坦化层。

17、本公开一些实施例提供的超声检测装置，包括如上述的阵列基板。

技术特征：

1.一种阵列基板，其特征在于，包括：衬底基板，位于所述衬底基板上的控制电路和压电单元；

2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第二晶体管的源漏极直接与所述第二晶体管的有源层电连接。

3.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第二晶体管还具有转接结构，所述第二晶体管的源漏极通过所述转接结构与所述第二晶体管的有源层电连接。

4.如权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述第二晶体管的转接结构与所述第二晶体管的栅极位于同一层。

5.如权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述第二晶体管的转接结构所在膜层位于所述第二晶体管的栅极所在膜层与所述第二晶体管的源漏极所在膜层之间。

6.如权利要求1-5任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述第一晶体管的有源层位于第一有源层；

7.如权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，所述第一晶体管的源漏极和所述第二晶体管的栅极均位于第二导电层，所述第二导电层位于所述第二有源层背离所述衬底基板的一侧；

8.如权利要求1-5任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述压电单元包括依次层叠的第一电极层、第一钝化层、压电感应层以及第二电极层，所述第一电极层位于靠近所述控制电路的一侧，所述第一电极层与所述第二晶体管的源漏极中的一个电连接。

9.如权利要求1-5任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述控制电路与所述压电单元之间具有至少一层钝化层和至少一层平坦化层。

10.一种超声检测装置，其特征在于，包括如权利要求1-9任一项所述的阵列基板。

技术总结本公开提供的阵列基板及超声检测装置，包括：衬底基板，位于衬底基板上的控制电路和压电单元；控制电路包括：第一晶体管和第二晶体管；第一晶体管的有源层的材料为低温多晶硅材料；第二晶体管的有源层的材料为氧化物材料；第二晶体管的栅极所在膜层与第二晶体管的源漏极所在膜层之间具有至少一层层间绝缘层和至少一层平坦化层。技术研发人员：刘文渠,曹永刚,张锋,崔钊,卢鑫泓受保护的技术使用者：京东方科技集团股份有限公司技术研发日：技术公布日：2024/7/29