压配合端子及半导体器件的制作方法

本申请涉及半导体，特别涉及一种压配合端子及半导体器件。

背景技术：

1、诸如汽车和工业应用等利用功率半导体器件，例如igbt(insulated gatebipolar transistor，绝缘栅双极晶体管)、功率mosfet(metal-oxide semiconductorfet，金属氧化物半导体场效应晶体管)、功率二极管等。这些器件被布置在功率转换器电路中，诸如单相和多相半波整流器、单相和多相全波整流器、电压调节器等。

2、半导体器件具有压配合端子，压配合端子构造成半导体器件的外接触部，并可以借助压配合与其他电子构件电连接。由于压配合端子需要考虑外部振动以及压配合应力两方面需求，故现有的压配合端子结构往往较为复杂，成本较高，不利于大规模应用。

3、因此，亟需一种新的压配合端子及半导体器件。

技术实现思路

1、鉴于背景技术中存在的问题，本申请实施例提供了一种压配合端子及半导体器件，能够通过缓冲段同时实现减振和支撑的目的，结构更加简单，并且减少材料的使用，降低制造成本。

2、一方面，本申请实施例提供一种压配合端子，所述压配合端子包括沿第一方向相对设置的第一连接段和第二连接段，以及设置于所述第一连接段和所述第二连接段之间的缓冲段；所述缓冲段具有折弯部，所述折弯部能够在沿所述第一方向的作用力下发生形变，并使所述折弯部的至少部分区域相互抵接形成沿所述第一方向的支撑结构。

3、根据本申请实施例的一个方面，所述压配合端子具有第一状态和第二状态，所述压配合端子在所述第一状态下沿所述第一方向的尺寸大于在所述第二状态下沿所述第一方向的尺寸；在所述第一状态下，所述缓冲段呈原长状态，所述折弯部各区域互不接触；在所述第二状态下，所述缓冲段呈弹性变形状态，所述折弯部的至少部分区域相互抵接形成沿所述第一方向的支撑结构。

4、根据本申请实施例的一个方面，所述缓冲段包括多个缓冲件，所述缓冲件彼此间隔形成间隙，每个所述缓冲件均至少部分朝向所述间隙内弯曲形成所述折弯部，在所述第二状态下，各所述缓冲件的所述折弯部相互抵接。

5、根据本申请实施例的一个方面，所述缓冲件沿第二方向成对设置并形成缓冲对，在所述缓冲对内，各所述缓冲件的所述折弯部沿所述第二方向朝向彼此弯曲设置，所述第二方向与所述第一方向相交。

6、根据本申请实施例的一个方面，在所述第二方向上，成对设置的所述缓冲件分别设置于所述第一连接段和所述第二连接段的两侧，并与所述第一连接段和所述第二连接段的两侧共面设置。

7、根据本申请实施例的一个方面，所述缓冲件由所述第一连接段起始至所述第二连接段一体弯曲形成所述折弯部。

8、根据本申请实施例的一个方面，所述折弯部的两端沿所述第一方向相对设置并形成支撑面，在所述第二状态下，所述折弯部两端的所述支撑面相互抵接。

9、根据本申请实施例的一个方面，在所述第一状态下，所述折弯部两端的所述支撑面沿所述第一方向的距离小于所述折弯部中间段上各区域沿所述第一方向的最大距离。

10、根据本申请实施例的一个方面，所述第一连接段用于与封装体相连，所述第二连接段用于与电路板压配合，所述第一连接段沿所述第一方向的长度小于所述第二连接段沿所述第一方向的长度。

11、另一方面，本申请实施例还提供一种半导体器件，包括封装体以及连接于所述封装体上的压配合端子，所述压配合端子为如上述实施例所述的压配合端子。

12、本申请实施例提供的压配合端子，包括沿第一方向相对设置的第一连接段和第二连接段以及设置于第一连接段和第二连接段之间的缓冲段，缓冲段设置有折弯部，从而能够通过折弯部变形来达到减振的目的。并且，在将压配合端沿第一方向压入电路板的过程中，当折弯部变形至一定程度后，还能够通过折弯部的至少部分区域相互抵接，来形成沿第一方向的支撑结构，从而能够通过折弯部抵接承力，限制折弯部沿第一方向的进一步变形，使得变形更加可控，以满足设计要求和实际应用。相较于相关技术中的压配合端子，能够利用折弯部的自身变形来实现支撑，结构更加简单，并且减少材料的使用，降低制造成本。

技术特征：

1.一种压配合端子，其特征在于，所述压配合端子包括沿第一方向相对设置的第一连接段和第二连接段，以及设置于所述第一连接段和所述第二连接段之间的缓冲段；

2.根据权利要求1所述的压配合端子，其特征在于，所述压配合端子具有第一状态和第二状态，所述压配合端子在所述第一状态下沿所述第一方向的尺寸大于在所述第二状态下沿所述第一方向的尺寸；

3.根据权利要求2所述的压配合端子，其特征在于，所述缓冲段包括多个缓冲件，所述缓冲件彼此间隔形成间隙，每个所述缓冲件均至少部分朝向所述间隙内弯曲形成所述折弯部，在所述第二状态下，各所述缓冲件的所述折弯部相互抵接。

4.根据权利要求3所述的压配合端子，其特征在于，所述缓冲件沿第二方向成对设置并形成缓冲对，在所述缓冲对内，各所述缓冲件的所述折弯部沿所述第二方向朝向彼此弯曲设置，所述第二方向与所述第一方向相交。

5.根据权利要求4所述的压配合端子，其特征在于，在所述第二方向上，成对设置的所述缓冲件分别设置于所述第一连接段和所述第二连接段的两侧，并与所述第一连接段和所述第二连接段的两侧共面设置。

6.根据权利要求3所述的压配合端子，其特征在于，所述缓冲件由所述第一连接段起始至所述第二连接段一体弯曲形成所述折弯部。

7.根据权利要求2至6任一项所述的压配合端子，其特征在于，所述折弯部的两端沿所述第一方向相对设置并形成支撑面，在所述第二状态下，所述折弯部两端的所述支撑面相互抵接。

8.根据权利要求7所述的压配合端子，其特征在于，在所述第一状态下，所述折弯部两端的所述支撑面沿所述第一方向的距离小于所述折弯部中间段上各区域沿所述第一方向的最大距离。

9.根据权利要求1所述的压配合端子，其特征在于，所述第一连接段用于与封装体相连，所述第二连接段用于与电路板压配合，所述第一连接段沿所述第一方向的长度小于所述第二连接段沿所述第一方向的长度。

10.一种半导体器件，其特征在于，包括封装体以及连接于所述封装体上的压配合端子，所述压配合端子为权利要求1至9任一项所述的压配合端子。

技术总结本申请提供一种压配合端子及半导体器件，压配合端子包括沿第一方向相对设置的第一连接段和第二连接段，以及设置于第一连接段和第二连接段之间的缓冲段，缓冲段具有折弯部，折弯部能够在沿第一方向的作用力下发生形变，并使折弯部的至少部分区域相互抵接形成沿第一方向的支撑结构。本申请实施例中的压配合端子，能够利用折弯部的自身变形来实现支撑，从而可通过缓冲段同时实现减振和支撑的目的，结构更加简单，并且减少材料的使用，降低制造成本。技术研发人员：姚雪峰,乐聪受保护的技术使用者：瑞能微恩半导体（上海）有限公司技术研发日：技术公布日：2024/7/29