校准电路、存储器及校准方法与流程

本公开涉及但不限于一种校准电路、存储器及校准方法。

背景技术：

1、在诸如动态随机存取存储器(dynamic random access memory，dram)等集成电路中，集成电路中的某些电阻会受到工艺、电压、温度(process，voltage,temperature，pvt)的影响而发生变化。

2、为解决上述问题，需要校准电路来进行电阻阻值的校准，校准电路通常是响应于校准命令或者周期性地进行电阻阻值的校准，无法满足精准的校准需求。

技术实现思路

1、以下是对本公开详细描述的主题的概述。本概述并非是为了限制权利要求的保护范围。

2、本公开提供一种校准电路、存储器及校准方法。

3、根据本公开实施例的第一方面，提供一种校准电路，所述校准电路包括：

4、校准电阻模块，所述校准电阻模块的输出电压随第一参数变化，所述第一参数包括所述校准电路的制造工艺、供电电压和工作温度中的至少一项；

5、参考电压生成模块，用于接收第一比较信号，生成对应的参考电压；

6、比较模块，耦接所述校准电阻模块和所述参考电压生成模块，用于比较所述输出电压和所述参考电压，并生成所述第一比较信号。

7、根据本公开的一些实施例，所述参考电压生成模块包括串联的多个第一电阻，

8、每个所述第二电阻的两端分别串联一个开关，当所述第二电阻两端的所述开关均闭合时，所述第一电阻处于短路状态。

9、根据本公开的一些实施例，所述参考电压生成模块还包括：

10、第一代码生成器，被配置为响应于所述第一比较信号生成第一控制码信号，所述第一控制码信号用于控制各个所述开关的通断。

11、根据本公开的一些实施例，所述比较模块包括：

12、比较器，所述比较器的输入端接收所述输出电压和所述参考电压，输出端连接计数器，被配置为比较所述输出电压和所述参考电压，以输出第二比较信号；

13、所述计数器的输出端耦接所述参考电压生成模块，被配置为响应于所述第二比较信号进行计数，以生成所述第一比较信号。

14、根据本公开的一些实施例，所述校准电路还包括：

15、锁存器，所述锁存器的输入端与所述比较模块耦接，所述锁存器的输出端耦接内部电路，被配置为响应于所述第一比较信号的变化，锁存所述第一比较信号并在对应时间输出至所述内部电路。

16、根据本公开的一些实施例，所述校准电阻模块包括若干个并联的校准子电阻模块，所述校准子电阻模块包括串联连接的晶体管和第二电阻，若干个所述晶体管均配置为用于根据初始校准信号对应开启或关闭，生成初始输出电压。

17、根据本公开的一些实施例，所述参考电压生成模块还包括根据初始校准信号生成初始参考电压，所述初始参考电压与所述初始输出电压相等。

18、根据本公开的一些实施例，所述校准电路还包括第三电阻，所述第三电阻与校准电阻模块耦接，所述第三电阻的阻值为±1％精度的240欧姆电阻。

19、根据本公开的一些实施例，所述晶体管的第一端连接电源端，所述晶体管的第二端连接所述第二电阻的一端，所述晶体管的控制端接收所述初始校准信号，所述第二电阻的另一端与所述第三电阻耦接。

20、根据本公开的一些实施例，所述晶体管的第一端连接接地端，所述晶体管的第二端连接所述第二电阻的一端，所述晶体管的控制端接收所述初始校准信号，所述第二电阻的另一端与所述第三电阻耦接。

21、本公开的第二方面提供一种存储器，包括控制器和如上所述的校准电路，所述控制器用于向所述校准电路发送校准控制信号。

22、本公开的第三方面提供一种校准方法，所述校准方法包括：

23、在第一时间内，校准电路根据初始校准信号，调节校准电阻模块的阻抗，生成初始输出电压，

24、在第二时间内，所述校准电阻模块的输出电压随第一参数变化，所述校准电路根据第一比较信号生成对应的参考电压，所述第一参数包括所述校准电路的制造工艺、供电电压和工作温度中的至少一项；

25、比较所述输出电压和所述参考电压，生成所述第一比较信号。

26、根据本公开的一些实施例，所述校准电路的参考电压生成模块包括串联的多个第二电阻，每个所述第二电阻的两端分别串联一个开关；

27、所述校准电路根据第一比较信号生成对应的参考电压，包括：

28、根据所述第一比较信号，生成第二控制码信号；

29、所述多个开关对应接收所述第二控制码信号，各所述开关根据接收到的所述第二控制码信号控制各自的通断。

30、根据本公开的一些实施例，在所述校准电路根据第一比较信号生成对应的参考电压之前，所述校准方法还包括：

31、所述校准电路根据所述初始校准信号生成对应的初始参考电压，所述初始参考电压与所述初始输出电压相等。

32、根据本公开的一些实施例，所述校准电路的参考电压生成模块包括串联的多个第二电阻，每个所述第二电阻的两端分别串联一个开关；

33、所述校准电路根据所述初始校准信号生成对应的初始参考电压，包括：

34、根据所述初始校准信号，确定第二控制码信号；

35、所述多个开关对应接收所述第二控制码信号，各所述开关根据接收到的所述第二控制码信号控制各自的通断。

36、本公开实施例所提供的校准电路中，设置有参考电压生成模块和比较模块，参考电压生成模块能够根据第一比较信号生成参考电压，比较模块能够比较输出电压和参考电压，并生成第一比较信号，如此，第一比较信号能够反映出校准电阻模块中的电阻的阻值实时变化情况，进而反映出pvt的实时变化情况，以满足更精准的校准需求。

37、在阅读并理解了附图和详细描述后，可以明白其他方面。

技术特征：

1.一种校准电路，其特征在于，所述校准电路包括：

2.根据权利要求1所述的校准电路，其特征在于，所述参考电压生成模块包括串联的多个第一电阻，

3.根据权利要求2所述的校准电路，其特征在于，所述参考电压生成模块还包括：

4.根据权利要求1所述的校准电路，其特征在于，所述比较模块包括：

5.根据权利要求1所述的校准电路，其特征在于，所述校准电路还包括：

6.根据权利要求1所述的校准电路，其特征在于，所述校准电阻模块包括若干个并联的校准子电阻模块，所述校准子电阻模块包括串联连接的晶体管和第二电阻，若干个所述晶体管均配置为用于根据初始校准信号对应开启或关闭，生成初始输出电压。

7.根据权利要求1所述的校准电路，其特征在于，所述参考电压生成模块还包括根据初始校准信号生成初始参考电压，所述初始参考电压与所述初始输出电压相等。

8.根据权利要求6所述的校准电路，其特征在于，所述校准电路还包括第三电阻，所述第三电阻与校准电阻模块耦接，所述第三电阻的阻值为±1％精度的240欧姆电阻。

9.根据权利要求8所述的校准电路，其特征在于，所述晶体管的第一端连接电源端，所述晶体管的第二端连接所述第二电阻的一端，所述晶体管的控制端接收所述初始校准信号，所述第二电阻的另一端与所述第三电阻耦接。

10.根据权利要求8所述的校准电路，其特征在于，所述晶体管的第一端连接接地端，所述晶体管的第二端连接所述第二电阻的一端，所述晶体管的控制端接收所述初始校准信号，所述第二电阻的另一端与所述第三电阻耦接。

11.一种存储器，其特征在于，包括控制器和如权利要求1至10任一项所述的校准电路，所述控制器用于向所述校准电路发送校准控制信号。

12.一种校准电路的校准方法，其特征在于，所述校准方法包括：

13.根据权利要求12所述的校准方法，其特征在于，所述校准电路的参考电压生成模块包括串联的多个第二电阻，每个所述第二电阻的两端分别串联一个开关；

14.根据权利要求12所述的校准方法，其特征在于，在所述校准电路根据第一比较信号生成对应的参考电压之前，所述校准方法还包括：

15.根据权利要求14所述的校准方法，其特征在于，所述校准电路的参考电压生成模块包括串联的多个第二电阻，每个所述第二电阻的两端分别串联一个开关；

技术总结本公开提供一种校准电路、存储器及校准方法，校准电路包括：校准电阻模块，校准电阻模块的输出电压随第一参数变化，所述第一参数包括所述校准电路的制造工艺、供电电压和工作温度中的至少一项；参考电压生成模块，用于接收第一比较信号，生成对应的参考电压；比较模块，耦接校准电阻模块和参考电压生成模块，用于比较输出电压和参考电压，并生成第一比较信号。如此，第一比较信号能够反映出校准电阻模块中的第一电阻的阻值实时变化情况，进而反映出PVT的变化情况，以满足更精准的校准需求。技术研发人员：李思曼受保护的技术使用者：长鑫存储技术有限公司技术研发日：技术公布日：2024/1/15