存储器的测试方法及测试系统与流程

本公开实施例涉及半导体制造技术，涉及但不限于一种存储器的测试方法及测试系统。

背景技术：

1、在存储器的研发与制造过程中，往往需要对存储器进行大量的测试以确定是否存在制造过程中产生的异常。例如，由于产品制造过程中产生的线路短路、接触不良等等情况造成的漏电或者读写异常等现象。由于存储器产品的结构精密且复杂，需要通过一系列电性测试来识别出异常。然而，存储器的电性测试是基于信号的读写进行的，因此往往会因为测试方法的原因导致一些特殊原因的异常无法被侦测到。因此，需要一些更为可靠的测试方法，以准确识别出各种类型的异常情况。

技术实现思路

1、有鉴于此，本公开实施例提供一种存储器的测试方法及测试系统。

2、第一方面，本公开实施例提供一种存储器的测试方法，包括：

3、提供一存储器，所述存储器至少包括多个第一存储单元和多个第二存储单元；

4、读取多个所述第一存储单元内的数据，并将多个所述第一存储单元内的数据更新为第一数据；

5、读取多个所述第二存储单元内的数据，并对读取的数据进行处理，以获得第一测试数据；

6、根据所述第一测试数据，判断所述第二存储单元是否通过第一测试。

7、第二方面，本公开实施例还提供一种存储器的测试系统，包括：

8、数据读取单元，用于读取第一存储单元和第二存储单元内的数据；

9、数据更新单元，用于在读取所述第一存储单元内的数据之后，将所述第一存储单元内的数据更新为第一数据；

10、数据测试单元，用于对读取的数据进行处理，以获得测试数据，并通过所述测试数据，判断所述第二存储单元是否通过测试。

11、本公开实施例的技术方案，通过将存储器中的存储单元划分为第一存储单元和第二存储单元两类，在检测过程中读取第一存储单元内的数据，并在读取后更新数据，然后读取第二存储单元的数据。这样，通过读取的数据可以有效检测出第二存储单元是否被第一存储单元的更新数据所影响，从而判断出第二存储单元是否通过测试，进而识别出诸如存储单元之间或者外围电路之间的漏电等问题。

技术特征：

1.一种存储器的测试方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的测试方法，其特征在于，所述通过所述第一测试数据，以判断所述第二存储单元是否通过第一测试，包括：

3.根据权利要求2所述的测试方法，其特征在于，所述对读取的数据进行处理，以获得第一测试数据，包括：

4.根据权利要求2所述的测试方法，其特征在于，所述根据所述第一测试数据，判断所述第二存储单元是否通过第一测试，包括：

5.根据权利要求2所述的测试方法，其特征在于，所述进行第二测试，包括：

6.根据权利要求5所述的测试方法，其特征在于，所述对读取的数据进行处理，得到第二测试数据，包括：

7.根据权利要求5所述的测试方法，其特征在于，在所述保持至少一个所述第一存储单元内的所述初始数据中，保持奇数个所述第一存储单元内的数据为所述初始数据。

8.根据权利要求6所述的测试方法，其特征在于，所述根据所述第二测试数据，判断所述第二存储单元是否通过所述第二测试，包括：

9.根据权利要求5所述的测试方法，其特征在于，所述方法还包括：

10.根据权利要求9所述的测试方法，其特征在于，所述判断所述第一存储单元是否通过测试，包括：

11.根据权利要求10所述的测试方法，其特征在于，则对读取的数据进行处理的步骤包括：

12.根据权利要求10所述的测试方法，其特征在于，在所述保持至少一个所述第一存储单元内的所述初始数据中，保持奇数个所述第一存储单元内的数据为所述初始数据。

13.根据权利要求11所述的测试方法，其特征在于，所述根据所述第三测试数据，判断所述第一存储单元是否通过所述第三测试，包括：

14.根据权利要求9所述的测试方法，其特征在于，所述方法还包括：

15.根据权利要求14所述的测试方法，其特征在于，所述第一存储单元包括耦接在第一字线上的存储单元，所述第二存储单元包括耦接在第二字线上的存储单元。

16.根据权利要求15所述的测试方法，其特征在于，所述第一存储单元和所述第二存储单元连接异常表示所述第一字线和所述第二字线短路连接。

17.根据权利要求6或11所述的测试方法，其特征在于，所述第一次处理包括异或运算，所述第二次处理包括或运算。

18.一种存储器的测试系统，其特征在于，包括：

技术总结本公开实施例公开了一种存储器的测试方法及测试系统，所述方法包括：提供一存储器，所述存储器至少包括多个第一存储单元和多个第二存储单元；读取多个所述第一存储单元内的数据，并将多个所述第一存储单元内的数据更新为第一数据；读取多个所述第二存储单元内的数据，并对读取的数据进行处理，以获得第一测试数据；通过所述第一测试数据，以判断所述第二存储单元是否通过第一测试。通过上述方法，能够准确判断存储单元及其外围电路是否存在异常。技术研发人员：第五天昊,楚西坤,刘东受保护的技术使用者：长鑫存储技术有限公司技术研发日：技术公布日：2024/1/16