存储器测试方法、装置、电子设备及存储介质与流程

所属的技术人员能够理解，本公开的各个方面可以实现为系统、方法或程序产品。因此，本公开的各个方面可以具体实现为以下形式，即：完全的硬件实施方式、完全的软件实施方式(包括固件、微代码等)，或硬件和软件方面结合的实施方式，这里可以统称为“电路”、“模块”或“系统”。下面参照图10来描述根据本公开的这种实施方式的电子设备1000。图10显示的电子设备1000仅仅是一个示例，不应对本公开实施例的功能和使用范围带来任何限制。如图10所示，电子设备1000以通用计算设备的形式表现。电子设备1000的组件可以包括但不限于：上述至少一个处理单元1010、上述至少一个存储单元1020、连接不同系统组件(包括存储单元1020和处理单元1010)的总线1030。其中，所述存储单元存储有程序代码，所述程序代码可以被所述处理单元1010执行，使得所述处理单元1010执行本说明书上述“示例性方法”部分中描述的根据本公开各种示例性实施方式的步骤。存储单元1020可以包括易失性存储单元形式的可读介质，例如随机存取存储单元(ram)10201和/或高速缓存存储单元10202，还可以进一步包括只读存储单元(rom)10203。存储单元1020还可以包括具有一组(至少一个)程序模块10205的程序/实用工具10204，这样的程序模块10205包括但不限于：操作系统、一个或者多个应用程序、其它程序模块以及程序数据，这些示例中的每一个或某种组合中可能包括网络环境的实现。总线1030可以为表示几类总线结构中的一种或多种，包括存储单元总线或者存储单元控制器、外围总线、图形加速端口、处理单元或者使用多种总线结构中的任意总线结构的局域总线。电子设备1000也可以与一个或多个外部设备1040(例如键盘、指向设备、蓝牙设备等)通信，还可与一个或者多个使得用户能与该电子设备1000交互的设备通信，和/或与使得该电子设备1000能与一个或多个其它计算设备进行通信的任何设备(例如路由器、调制解调器等等)通信。这种通信可以通过输入/输出(i/o)接口1050进行。并且，电子设备1000还可以通过网络适配器1060与一个或者多个网络(例如局域网(lan)，广域网(wan)和/或公共网络，例如因特网)通信。如图10所示，网络适配器1060通过总线1030与电子设备1000的其它模块通信。应当明白，尽管图中未示出，可以结合电子设备1000使用其它硬件和/或软件模块，包括但不限于：微代码、设备驱动器、冗余处理单元、外部磁盘驱动阵列、raid系统、磁带驱动器以及数据备份存储系统等。通过以上的实施方式的描述，本领域的技术人员易于理解，这里描述的示例实施方式可以通过软件实现，也可以通过软件结合必要的硬件的方式来实现。因此，根据本公开实施方式的技术方案可以以软件产品的形式体现出来，该软件产品可以存储在一个非易失性存储介质(可以是cd-rom，u盘，移动硬盘等)中或网络上，包括若干指令以使得一台计算设备(可以是个人计算机、服务器、终端装置、或者网络设备等)执行根据本公开实施方式的方法。在本公开的示例性实施例中，还提供了一种计算机可读存储介质，该计算机可读存储介质可以是可读信号介质或者可读存储介质。图11示出本公开实施例中一种计算机可读存储介质示意图，如图11所示，该计算机可读存储介质1100上存储有能够实现本公开上述方法的程序产品。在一些可能的实施方式中，本公开的各个方面还可以实现为一种程序产品的形式，其包括程序代码，当所述程序产品在终端设备上运行时，所述程序代码用于使所述终端设备执行本说明书上述“示例性方法”部分中描述的根据本公开各种示例性实施方式的步骤。本公开中的计算机可读存储介质的更具体的例子可以包括但不限于：具有一个或多个导线的电连接、便携式计算机磁盘、硬盘、随机访问存储器(ram)、只读存储器(rom)、可擦式可编程只读存储器(eprom或闪存)、光纤、便携式紧凑磁盘只读存储器(cd-rom)、光存储器件、磁存储器件、或者上述的任意合适的组合。在本公开中，计算机可读存储介质可以包括在基带中或者作为载波一部分传播的数据信号，其中承载了可读程序代码。这种传播的数据信号可以采用多种形式，包括但不限于电磁信号、光信号或上述的任意合适的组合。可读信号介质还可以是可读存储介质以外的任何可读介质，该可读介质可以发送、传播或者传输用于由指令执行系统、装置或者器件使用或者与其结合使用的程序。在一些示例中，计算机可读存储介质上包含的程序代码可以用任何适当的介质传输，包括但不限于无线、有线、光缆、rf等等，或者上述的任意合适的组合。在具体实施时，可以以一种或多种程序设计语言的任意组合来编写用于执行本公开操作的程序代码，所述程序设计语言包括面向对象的程序设计语言—诸如java、c++等，还包括常规的过程式程序设计语言—诸如“c”语言或类似的程序设计语言。程序代码可以完全地在用户计算设备上执行、部分地在用户设备上执行、作为一个独立的软件包执行、部分在用户计算设备上部分在远程计算设备上执行、或者完全在远程计算设备或服务器上执行。在涉及远程计算设备的情形中，远程计算设备可以通过任意种类的网络，包括局域网(lan)或广域网(wan)，连接到用户计算设备，或者，可以连接到外部计算设备(例如利用因特网服务提供商来通过因特网连接)。本公开实施例提供了一种计算机程序产品或计算机程序，该计算机程序产品或计算机程序包括计算机指令，该计算机指令存储在计算机可读存储介质中。计算机设备的处理器从计算机可读存储介质读取该计算机指令，处理器执行该计算机指令，使得该计算机设备执行本公开任一实施例中的各种可选方式中提供的存储器测试方法。应当注意，尽管在上文详细描述中提及了用于动作执行的设备的若干模块或者单元，但是这种划分并非强制性的。实际上，根据本公开的实施方式，上文描述的两个或更多模块或者单元的特征和功能可以在一个模块或者单元中具体化。反之，上文描述的一个模块或者单元的特征和功能可以进一步划分为由多个模块或者单元来具体化。此外，尽管在附图中以特定顺序描述了本公开中方法的各个步骤，但是，这并非要求或者暗示必须按照该特定顺序来执行这些步骤，或是必须执行全部所示的步骤才能实现期望的结果。附加的或备选的，可以省略某些步骤，将多个步骤合并为一个步骤执行，以及/或者将一个步骤分解为多个步骤执行等。通过以上实施方式的描述，本领域的技术人员易于理解，这里描述的示例实施方式可以通过软件实现，也可以通过软件结合必要的硬件的方式来实现。因此，根据本公开实施方式的技术方案可以以软件产品的形式体现出来，该软件产品可以存储在一个非易失性存储介质(可以是cd-rom，u盘，移动硬盘等)中或网络上，包括若干指令以使得一台计算设备(可以是个人计算机、服务器、移动终端、或者网络设备等)执行根据本公开实施方式的方法。本领域技术人员在考虑说明书及实践这里公开的发明后，将容易想到本公开的其它实施方案。本公开旨在涵盖本公开的任何变型、用途或者适应性变化，这些变型、用途或者适应性变化遵循本公开的一般性原理并包括本公开未公开的本中的公知常识或惯用技术手段。说明书和实施例仅被视为示例性的，本公开的真正范围和精神由所附的权利要求指出。

背景技术：

1、诸如动态随机存取存储器(dynamic random access memory，dram)等存储器是计算机中常用的半导体存储器件。随着工艺尺寸的日益减小，器件和线路更加容易出现失效单元(fail bit，fb)，需要使用存储器测试方法将这些失效单元给抓取出来。

2、随着工艺尺寸的减小使得周边接触(periphery contact，pc)的尺寸更加不容易控制，经常做出的pc尺寸大于目标值，导致pc与周边上的栅极(periphery gate，pg)的距离更加接近，容易造成存储单元的失效(fail)。这种失效往往不直接在测试前期暴露出来，而是在客户使用之后或者早期寿命失效率(early life failure rate，elfr)测试时由于样品老化而出现，降低产品的可靠性。为了提高可靠性，需要在前期将这些失效抓取出来。

3、需要说明的是，在上述背景技术部分公开的信息仅用于加强对本公开的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。

技术实现思路

1、本公开的目的在于提供一种存储器测试方法、装置、电子设备及存储介质，能够在测试前期抓取出不易暴露的失效，提高存储器产品的可靠性。

2、根据本公开的一个方面，提供了一种存储器测试方法，所述方法包括：获取预设测试图案；按照所述预设测试图案，对所述存储器上的待测试存储阵列执行数据写入操作；调低所述待测试存储阵列中晶体管的栅极与源极之间的压差；对压差降低后的待测试存储阵列执行数据读取操作，得到读取数据；基于所述预设测试图案和所述读取数据，确定所述存储器的失效测试结果。

3、在本公开的一些示例性实施例中，调低所述待测试存储阵列中晶体管的栅极与源极之间的压差，包括：将所述待测试存储阵列中晶体管的栅极电压由第一电压值调低至第二电压值；和/或，将所述待测试存储阵列中晶体管的源极电压由第三电压值调高至第四电压值。

4、在本公开的一些示例性实施例中，所述待测试存储阵列包括多条位线和阵列分布的多个存储单元，所述待测试存储阵列中的晶体管为所述存储单元中的晶体管，每条所述位线耦接有一列存储单元；所述预设测试图案为用于在奇数位线耦接的存储单元上写第一数值、且在偶数位线耦接的存储单元上写第二数值的测试图案；或，所述预设测试图案为用于在奇数位线耦接的存储单元上写所述第二数值、且在偶数位线耦接的存储单元上写所述第一数值的测试图案。

5、在本公开的一些示例性实施例中，所述待测试存储阵列包括多条字线和阵列分布的多个存储单元，所述待测试存储阵列中的晶体管为所述存储单元中的晶体管，每条所述字线耦接有一行存储单元；在所述调低所述待测试存储阵列中晶体管的栅极与源极之间的压差之后，且在所述对压差降低后的待测试存储阵列执行数据读取操作，得到读取数据之前，所述方法还包括：依次对所述多条字线执行预充电操作，所述多条字线的行地址预充电时间大于或等于充电阈值；对预充电后的所述多条字线执行刷新操作。

6、在本公开的一些示例性实施例中，所述充电阈值的取值范围为8ns-20ns。

7、在本公开的一些示例性实施例中，所述第二电压值的取值范围为2.0v-3.0v；所述第四电压值的取值范围为-0.2v-0.1v。

8、在本公开的一些示例性实施例中，所述第二电压值大于所述晶体管的阈值电压。

9、根据本公开的另一个方面，提供一种存储器测试装置，所述装置包括：获取模块，用于获取预设测试图案；写入模块，用于按照所述预设测试图案，对所述存储器上的待测试存储阵列执行数据写入操作；电压调节模块，用于调低所述待测试存储阵列中晶体管的栅极与源极之间的压差；读取模块，用于对压差降低后的待测试存储阵列执行数据读取操作，得到读取数据；确定模块，用于基于所述预设测试图案和所述读取数据，确定所述存储器的失效测试结果。

10、根据本公开的再一个方面，提供一种电子设备，包括：处理器；以及存储器，用于存储处理器的可执行指令；其中，处理器配置为经由执行可执行指令来执行上述的存储器测试方法。

11、根据本公开的再一个方面，提供一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，计算机程序被处理器执行时实现上述的存储器测试方法。

12、根据本公开的再一个方面，提供一种计算机程序产品，包括计算机程序，该计算机程序被处理器执行时实现上述的存储器测试方法。

13、本公开实施例所提供的存储器测试方法、装置、电子设备及存储介质，本公开先获取预设测试图案，并按照预设测试图案，对存储器上的待测试存储阵列执行数据写入操作，再对存储器进行电压调节，调低待测试存储阵列中晶体管的栅极与源极之间的压差，之后，再对压差降低后的待测试存储阵列执行数据读取操作，得到读取数据，并基于预设测试图案和读取数据，确定存储器的失效测试结果。本公开通过调低待测试存储阵列中晶体管的栅极与源极之间的压差，制造一种针对pc-pg短路失效(short fail)的较差的测试条件(worse condition)，在该测试条件下进行测试，正常的存储单元不会出现失效，而pc-pg短路不明显导致失效(short fail)的存储单元在这种测试条件下就会暴露，从而使在测试前期抓取出不易暴露的失效，提高存储器产品的可靠性。

14、应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本公开。