闪存阈值电压分布的描述方法和系统、电子设备与流程

本发明涉及存储产品，尤其是涉及一种闪存阈值电压分布的描述方法和系统、电子设备和存储介质。

背景技术：

1、在现代电子信息产业中，存储器作为电子设备中存储数据的载体一直有着非常重要的地位。目前，市场上的存储器主要分为：易失性存储器和非易失性存储器。闪存是一种非易失性存储器，它能够在掉电后长时间保存数据，并且有着数据传输速度快、生产成本低、存储容量大等优点，所以被广泛应用于电子设备之中。

2、闪存的内部实际上是以存储电荷的形式来表示存储的数据的，当对闪存进行编程/写入操作时，闪存的每个存储单元(cell)都有特定的状态信息，该状态信息可以表示任何位或数据，并且形成阈值电压分布以对应于每个状态信息。在编程之后，需要执行读取操作以识别具有特定状态信息的存储单元，从而得到其内部存储的数据。为了读取slc(single-level-cell，单层存储单元)闪存单元，闪存控制器需要提供一个参考电压(也称为读电压)，如果单元电压大于读电压，则闪存中的检测电路会将该位表示为“0”，如果单元电压小于读电压，则将该位表示为“1”。相比之下，mlc(multi-level-cell，双层存储单元)闪存和tlc(triple-level-cell，三层存储单元)闪存则需要多个读电压，从mlc或tlc闪存设备读取数据需要控制器提供具有最佳值的多个读电压，以允许存储设备正确检测存储的数据值。

3、然而，闪存产品在使用过程中，由于负载的内外部条件的影响，会造成存储电荷内电子数量发生变化，进而导致以默认读电压无法读取到正确的数据。其中，导致闪存产品存储电荷发生变化的典型场景包括：高低温读写场景、数据保持场景、读干扰场景、掉电场景等等。当闪存内部的存储电荷发生变化时，其阈值电压分布会相应地发生变化，从而导致以默认读电压读取的数据与原始数据存在偏差。因此，为了能够正确读取数据，需以合适的读电压进行读取，而要知道合适的读电压是多少，就需要了解闪存的阈值电压分布；也就是说，了解闪存的阈值电压分布情况，对于正确读取闪存的数据，具有重要的意义。

技术实现思路

1、本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本发明提出了一种闪存阈值电压分布的描述方法和系统、电子设备和存储介质，能够准确得到闪存的阈值电压分布情况。

2、一方面，根据本发明实施例的闪存阈值电压分布的描述方法，包括以下步骤：

3、获取闪存的存储页的原始数据；

4、以具有不同偏移量的多个读电压读取所述闪存的存储页，得到每个所述读电压对应的偏移数据；

5、根据所述原始数据与所述偏移数据的比较结果，得到每个所述读电压对应的比特翻转信息；

6、根据每个所述读电压的偏移情况以及所述比特翻转信息，绘制所述存储页的阈值电压分布图。

7、根据本发明的一些实施例，所述获取闪存的存储页的原始数据，包括：

8、对闪存的存储块执行擦写操作；

9、获取所述存储块的每个所述存储页的原始数据。

10、根据本发明的一些实施例，所述以具有不同偏移量的多个读电压读取所述闪存的存储页，得到每个所述读电压对应的偏移数据，包括：

11、根据预设的读电压偏移命令，按从左至右的方向依次设置多个不同偏移量的读电压；

12、根据每个偏移后的读电压读取所述闪存的存储页，得到每个所述读电压对应的偏移数据。

13、根据本发明的一些实施例，所述偏移量的取值为0-255，且所述偏移量的取值为整数。

14、根据本发明的一些实施例，所述根据所述原始数据与所述偏移数据的比较结果，得到每个所述读电压对应的比特翻转信息，包括：

15、将所述原始数据与所述偏移数据逐位进行比较，统计出原始数据为0而偏移数据为1的比特数，以及原始数据为1而偏移数据为0的比特数，从而得到每个所述读电压对应的比特翻转信息。

16、根据本发明的一些实施例，所述根据每个所述读电压的偏移情况以及所述比特翻转信息，绘制所述存储页的阈值电压分布图，包括：

17、令c(n)＝abs(x(n)-x(n-1))，d(n)＝abs(y(n)-y(n-1))；x(n)表示当读电压的偏移量为n时，原始数据为1而偏移数据为0的比特数；y(n)表示当读电压的偏移量为n时，原始数据为0而偏移数据为1的比特数；n为正整数，且1≤n≤255；

18、以n为横坐标，c(n)和d(n)纵坐标，在一个坐标系中绘制所述存储页的阈值电压分布图。

19、根据本发明的一些实施例，所述根据所述原始数据与所述偏移数据的比较结果，得到每个所述读电压对应的比特翻转信息的步骤之后，还包括：

20、生成第一表格；所述第一表格用于显示在每个读电压下，原始数据为0而偏移数据为1的比特数，以及原始数据为1而偏移数据为0的比特数。

21、另一方面，根据本发明实施例的闪存阈值电压分布的描述系统，包括：

22、获取模块，用于获取闪存的存储页的原始数据；

23、偏移模块，用于以具有不同偏移量的多个读电压读取所述闪存的存储页，得到每个所述读电压对应的偏移数据；

24、比较模块，用于根据所述原始数据与所述偏移数据的比较结果，得到每个所述读电压对应的比特翻转信息；

25、绘制模块，用于根据每个所述读电压的偏移情况以及所述比特翻转信息，绘制所述存储页的阈值电压分布图。

26、另一方面，根据本发明实施例的电子设备，包括：

27、存储器，用于存储程序指令；

28、处理器，用于调用所述存储器中存储的程序指令，按照获得的程序指令执行上述实施例的闪存阈值电压分布的描述方法。

29、另一方面，根据本发明实施例的存储介质，所述存储介质存储有计算机可执行指令，所述计算机可执行指令用于使计算机执行上述实施例所述的闪存阈值电压分布的描述方法。

30、根据本发明实施例的闪存阈值电压分布的描述方法、系统、电子设备和存储介质，至少具有如下有益效果先是对闪存内部的存储页的原始数据进行获取和记录，便于后续与偏移数据进行比较；然后，按照具有不同偏移量的读电压读取闪存的存储页，得到每个读电压对应的偏移数据；随后，根据存储页的原始数据与偏移数据的比较结果，得到每个读电压对应的比特翻转信息；最后，根据每个读电压的偏移情况以及比特翻转信息，绘制存储页的阈值电压分布图。通过观察每个存储页的阈值电压分布图，便可以直观了解存储页的阈值电压分布情况，有利于后续正确读取出存储页的数据。

31、本发明的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本发明的实践了解到。

技术特征：

1.一种闪存阈值电压分布的描述方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的闪存阈值电压分布的描述方法，其特征在于，所述获取闪存的存储页的原始数据，包括：

3.根据权利要求1所述的闪存阈值电压分布的描述方法，其特征在于，所述以具有不同偏移量的多个读电压读取所述闪存的存储页，得到每个所述读电压对应的偏移数据，包括：

4.根据权利要求1所述的闪存阈值电压分布的描述方法，其特征在于，所述偏移量的取值为0-255，且所述偏移量的取值为整数。

5.根据权利要求1所述的闪存阈值电压分布的描述方法，其特征在于，所述根据所述原始数据与所述偏移数据的比较结果，得到每个所述读电压对应的比特翻转信息，包括：

6.根据权利要求5所述的闪存阈值电压分布的描述方法，其特征在于，所述根据每个所述读电压的偏移情况以及所述比特翻转信息，绘制所述存储页的阈值电压分布图，包括：

7.根据权利要求5所述的闪存阈值电压分布的描述方法，其特征在于，所述根据所述原始数据与所述偏移数据的比较结果，得到每个所述读电压对应的比特翻转信息的步骤之后，还包括：

8.一种闪存阈值电压分布的描述系统，其特征在于，包括：

9.一种电子设备，其特征在于，包括：

10.一种存储介质，其特征在于，所述存储介质存储有计算机可执行指令，所述计算机可执行指令用于使计算机执行权利要求1-7中任一项所述的闪存阈值电压分布的描述方法。

技术总结本发明公开了一种闪存阈值电压分布的描述方法、系统、电子设备和存储介质，涉及存储产品技术领域。闪存阈值电压分布的描述方法包括以下步骤：获取闪存的存储页的原始数据；以具有不同偏移量的多个读电压读取闪存的存储页，得到每个读电压对应的偏移数据；根据原始数据与偏移数据的比较结果，得到每个读电压对应的比特翻转信息；根据每个读电压的偏移情况以及比特翻转信息，绘制存储页的阈值电压分布图。根据本发明实施例的闪存阈值电压分布的描述方法，通过观察每个存储页的阈值电压分布图，便可以直观了解存储页的阈值电压分布情况，有利于后续正确读取和恢复存储页的数据。技术研发人员：贺乐,赖鼐,龚晖受保护的技术使用者：珠海妙存科技有限公司技术研发日：技术公布日：2024/1/16