基于偏移读电压的闪存颗粒分级方法、控制器及介质与流程

本发明涉及闪存颗粒分级，具体涉及一种基于偏移读电压的闪存颗粒分级方法、控制器及介质。

背景技术：

1、目前，部分厂商使用闪存颗粒分级方法是依赖厂商提供的偏移读取电压参数(也称为retry参数)来读取数据，并基于这些读取结果来进行分级，厂商提供的偏移读取电压参数是通过各种测试得出的，这些参数在特定使用条件下对相应的颗粒比较有效，正常情况下厂商会提供几组到几十组偏移电压参数供用户对闪存颗粒进行读取，当原厂提供的全部retry参数组中有一组能读取成功，则可以说明该闪存颗粒中的数据能够被纠正且读对；

2、然而，该方案存在以下问题，假设原厂厂商提供了30组偏移读取电压参数，如果有两颗颗粒，一颗只需要一组参数就能纠正数据，而另一颗需要用到30组参数才能纠正数据，按照现有的方案，它们将被分到同一个等级，而由于前一颗粒能直接根据参数进行读取，后一颗粒需要尝试前29组偏移电压参数才能正确读取数据，使得前一颗粒的性能和响应速度明显优于后一颗粒，这就导致了该分级方案得到的分级结果的一致性较差，使得分级结果无法有效的从多个闪存颗粒中确定处理高性能的颗粒，无法很好地满足对于高性能的颗粒的分级需求，例如，需要高响应速度应用环境(如手机)的需求；同时，后一颗粒需要尝试前29组偏移电压参数才能正确读取数据，也说明原厂提供的参数可能并不适用于所有的测试场景，其中存在只会浪费测试时间的无效参数，使得读取该颗粒时依然会消耗大量时间，影响其响应速度。

技术实现思路

1、本发明实施例提供一种基于偏移读电压的闪存颗粒分级方法、控制器及计算机存储介质，至少能保证，本发明方案仅通过两组偏移读电压参数组对闪存颗粒进行分级，以缩短测试时间，提高测试效率和颗粒的响应速度，通过将颗粒更精细化的分级良品、次良品或不良品，已满足对高性能的颗粒的分级需求，其中，良品即对应满足高性能需求的颗粒。

2、第一方面，本发明实施例提供了一种基于偏移读电压的闪存颗粒分级方法，所述方法包括：

3、获取闪存颗粒在多个测试场景下的测试数据，所述测试场景包括高温写高温读、高温写低温读、低温写低温读和低温写高温读；

4、根据所述测试数据得到多个所述测试场景对应的第一偏移读电压参数组和第二偏移读电压参数组；

5、从多个所述测试场景中确定当前场景，根据所述当前场景对应所述第一偏移读电压参数组和所述第二偏移读电压参数组对所述闪存颗粒的多个块中的多个页进行读取处理，并根据读取结果将多个块标记为第一类块、第二类块和第三类块；

6、根据多个块中的所述第一类块、所述第二类块和所述第三类块的数量将所述闪存颗粒确定为良品、次良品或不良品。

7、在一些实施例中，根据读取结果将多个块标记为第一类块、第二类块和第三类块，包括：

8、根据读取多个块中的多个页时是否得到目标数据，将多个页标记为第一类页、第二类页和第三类页；

9、根据多个块中所述第一类页、所述第二类页和所述第三类页的数量，将多个块标记为第一类块、第二类块和第三类块。

10、在一些实施例中，所述根据读取多个块中的多个页时是否得到目标数据，将多个页标记为第一类页、第二类页和第三类页，包括：

11、在根据所述第一偏移读电压参数组读取目标页得到目标数据的情况下，将所述目标页标记为第一类页；

12、在根据所述第一偏移读电压参数组读取目标页未得到目标数据，且根据所述第二偏移读电压参数组读取目标页得到目标数据的情况下，将所述目标页标记为第二类页；

13、在根据所述第一偏移读电压参数组和述第二偏移读电压参数组读取目标页均未得到目标数据的情况下，将所述目标页标记为第三类页。

14、在一些实施例中，所述根据多个块中所述第一类页、所述第二类页和所述第三类页的数量，将多个块标记为第一类块、第二类块和第三类块，包括：

15、在目标块中的多个页均为所述第一类页的情况下，将所述目标块标记为第一类块；

16、在目标块中的多个页包括所述第二类页，且未包括所述第三类页的情况下，将所述目标块标记为第二类块；

17、在目标块中的多个页包括所述第三类页的情况下，将所述目标块标记为第三类块。

18、在一些实施例中，根据多个块中的所述第一类块、所述第二类块和所述第三类块的数量将所述闪存颗粒确定为良品、次良品或不良品，包括：

19、在多个块均为所述第一类块的情况下，将所述闪存颗粒确定为良品；

20、在多个块包括所述第二类块，且未包括所述第三类块的情况下，将所述闪存颗粒确定为次良品；

21、在多个块包括所述第三类块的情况下，将所述闪存颗粒确定为不良品。

22、在一些实施例中，在当前场景为高温写高温读的情况下，所述根据读取结果将多个块标记为第一类块、第二类块和第三类块之后，还包括：

23、在所述闪存颗粒不包括第三类块的情况下，控制当前场景温度，以将当前场景依次切换至高温写低温读、低温写低温读和低温写高温读；

24、根据切换后的当前场景对应的所述第一偏移读电压参数组和所述第二偏移读电压参数组对所述闪存颗粒的所述第一类块和所述第二类块中的多个页进行读取处理，并根据读取结果将所述第一类块和所述第二类块标记为第一类块、第二类块和第三类块；

25、在高温写高温读、高温写低温读、低温写低温读和低温写高温读均执行完毕之后，根据多个块中的所述第一类块、所述第二类块和所述第三类块的数量将所述闪存颗粒确定为良品、次良品或不良品。

26、在一些实施例中，所述第一偏移读电压参数组包括一个偏移读电压参数，所述第二偏移读电压参数组包括两个偏移读电压参数，所述偏移读电压参数用于确定读取所述闪存颗粒时的读取电压，所述第一偏移读电压参数组和所述第二偏移读电压参数组均用于在对应的测试场景下确定读取所述闪存颗粒得到目标数据。

27、在一些实施例中，所述闪存颗粒为tlc颗粒，所述tlc颗粒的页的类型包括lsb页、csb页和msb页，根据所述测试数据得到多个所述测试场景对应的第一偏移读电压参数组和第二偏移读电压参数组，包括：

28、根据所述测试数据得到多个所述测试场景下多个类型的页对应的第一偏移读电压参数组和第二偏移读电压参数组，以使从多个所述测试场景中确定当前场景后，根据所述当前场景下多个页的类型对应所述第一偏移读电压参数组和所述第二偏移读电压参数组，对所述闪存颗粒的多个块中的多个页进行读取处理。

29、第二方面，本发明实施例提供了一种控制器，包括存储器、处理器及存储在所述存储器上并可在所述处理器上运行的计算机程序，所述处理器执行所述计算机程序时实现如第一方面中任意一项实施例所述的基于偏移读电压的闪存颗粒分级方法。

30、第三方面，本发明实施例提供了一种计算机可读存储介质，存储有计算机可执行指令，计算机可执行指令用于执行如第一方面中任意一项实施例所述的基于偏移读电压的闪存颗粒分级方法。

31、本发明至少具有以下有益效果：本发明提出了一种基于偏移读电压的闪存颗粒分级方法，通过获取闪存颗粒在多个测试场景下的测试数据，所述测试场景包括高温写高温读、高温写低温读、低温写低温读和低温写高温读；根据所述测试数据得到多个所述测试场景对应的第一偏移读电压参数组和第二偏移读电压参数组；从多个所述测试场景中确定当前场景，根据所述当前场景对应所述第一偏移读电压参数组和所述第二偏移读电压参数组对所述闪存颗粒的多个块中的多个页进行读取处理，并根据读取结果将多个块标记为第一类块、第二类块和第三类块；根据多个块中的所述第一类块、所述第二类块和所述第三类块的数量将所述闪存颗粒确定为良品、次良品或不良品，其中，本发明方案通过对测试数据进行分析，得到两组最有效的偏移读电压参数组对闪存颗粒进行分级，因为由原本的约几十组的参数缩减成了两组的参数，有效的缩短测试时间，提高测试效率和颗粒的响应速度，且提高了分级精度，使得本发明能将颗粒更精细化的分级良品、次良品或不良品，使得最终筛选出来的闪存颗粒产品具有更好的一致性，并满足当前如手机等高响应速度应用环境对高性能的颗粒的分级需求，其中，良品即对应满足高性能需求的颗粒。

32、本发明的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本发明而了解。本发明的目的和其他优点可通过在说明书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。