存储芯片、存储器、电子设备和存储器的控制方法与流程

本申请涉及但不限于集成电路，尤其涉及一种存储芯片、存储器、电子设备和存储器的控制方法。

背景技术：

1、根据联合电子设备工程委员会(joint electron device engineering council，jedec)209b制定的低功耗内存标准协议规定，一旦通过模式寄存器(mode register，mr)设定好非目标端接模块(non-target odt，nt-odt)的阻值，在读操作(read operation)和写操作(write operation)的时候，nt-odt均使用同一个阻值。而实际上，读操作和写操作由于信号传输方向不同，目前使用相同的nt-odt电阻值无法同时满足读、写操作的要求。

技术实现思路

1、本申请实施例期望提供一种存储芯片、存储器、电子设备和存储器的控制方法。

2、本申请的技术方案是这样实现的：

3、一种存储芯片，包括：

4、指令解析模块，用于解析指令获得对应的操作模式、以及操作目标，并形成相应的控制信号；

5、非目标端接模块，用于响应控制信号，在存储芯片为非操作目标时，向数据传输通路提供对应的操作模式下的非目标端接电阻值，存储芯片和指令发送方经由数据传输通路传输数据。

6、一种存储器，包括多个上述的存储芯片，存储器包括：

7、第一连接端，用于与指令发送方连接，以接收指令；

8、第二连接端，用于与指令发送方连接，用于传输数据信号；

9、多个存储芯片同时连接至第一连接端和第二连接端。

10、一种电子设备，包括上述的存储器，还包括：

11、指令发送方，连接至存储器，用于输出指令、传输指令对应的数据信号。

12、一种存储器的控制方法，存储器包括多个存储芯片，包括：

13、解析指令，获得对应的操作模式、以及操作目标，并形成相应的控制信号；

14、响应控制信号，在存储芯片为非操作目标时，向数据传输通路提供对应的操作模式下的非目标端接电阻值；其中，存储芯片和指令发送方经由数据传输通路传输数据。

15、一种计算机存储介质，计算机存储介质存储有一个或者多个程序，一个或者多个程序可被一个或者多个处理器执行，以实现如上述的存储器的控制的控制方法的步骤。

16、本申请实施例所提供的存储芯片、存储器、电子设备和存储器的控制方法，其中，存储芯片包括：指令解析模块，用于解析指令获得对应的操作模式、以及操作目标，并形成相应的控制信号；非目标端接模块，用于响应控制信号，在存储芯片为非操作目标时，向数据传输通路提供对应的操作模式下的非目标端接电阻值，存储芯片和指令发送方经由数据传输通路传输数据；本申请改变了存储芯片的结构，动态地提供对数据传输通路生效的非目标端接电阻值，例如在读操作模式下，提供读操作模式下的非目标端接电阻值，如此，能优化读操作的信号质量；在写操作模式下，提供写操作模式下的非目标端接电阻值，如此，能优化写操作的信号质量；从而获得较好的眼图。

技术特征：

1.一种存储芯片，包括：

2.根据权利要求1所述的存储芯片，其中，所述非目标端接模块包括：开关单元和电阻单元；

3.根据权利要求1所述的存储芯片，其中，所述存储芯片包括多个第一引脚，分别用于接收不同比特位的数据信号；

4.根据权利要求1所述的存储芯片，其中，所述存储芯片还包括目标端接模块，用于在所述存储芯片为所述指令的操作目标时，提供目标端接电阻值。

5.根据权利要求3所述的存储芯片，其中，所述非目标端接模块还包括配置单元，用于配置第一模式电阻和第二模式电阻的阻值。

6.根据权利要求1所述的存储芯片，其中，所述存储芯片还包括多个接收单元，用于接收每一路输入数据信号，将所述每一路输入数据信号和对应的参考数据信号比较，并输出每一路的输出数据信号。

7.一种存储器，包括多个如权利要求1至6中任一项所述的存储芯片，所述存储器包括：

8.一种电子设备，包括权利要求7所述的存储器，还包括：

9.一种存储器的控制方法，所述存储器包括多个存储芯片，包括：

10.根据权利要求9所述的控制方法，其中，所述数据传输通路数量为多个，为每个数据传输通路分别提供对应的非目标端接电阻值。

技术总结本申请实施例公开了一种存储芯片、存储器、电子设备和存储器的控制方法，其中，存储芯片包括：指令解析模块，用于解析指令获得对应的操作模式、以及操作目标，并形成相应的控制信号；非目标端接模块，用于响应控制信号，在存储芯片为非操作目标时，向数据传输通路提供对应的操作模式下的非目标端接电阻值，存储芯片和指令发送方经由数据传输通路传输数据。技术研发人员：谢远鹏,郝小勇,欧阳逸贤,林威志受保护的技术使用者：鼎道智芯（上海）半导体有限公司技术研发日：技术公布日：2024/1/16