一种固态硬盘的硬件销毁电路的优化设计电路的制作方法

本公开涉及固态硬盘，特别涉及一种固态硬盘的硬件销毁电路的优化设计电路。

背景技术：

1、固态硬盘(ssd)进行数据销毁的时候，一般可以采用硬件销毁和软件销毁两种方式。硬件销毁指采用物理方式对硬盘数据进行销毁，如重物压碎、强酸溶液销毁、高电压将存储芯片击穿等。其中高电压销毁方式是指，当ssd的控制器识别到用户执行硬件销毁的操作指示后，通过高电压、冲击的方式对存储芯片执行一次性的销毁动作。此种销毁方式适用于防泄密安全等级要求较高的情况。执行了物理销毁的固态硬盘，采用任何方式都不能再对其进行恢复使用。

2、现有技术方案，对于如何使用高电压进行存储芯片硬件销毁，一般固态硬盘会设计一个升压电路，将一个低电压升压至较高的电压，然后将该高电压应用于存储芯片的电源管脚(如3.3v电源)，控制器识别到硬件销毁指令后，将高压灌入芯片内部，形成高压冲击，使存储芯片数据被损坏，达到销毁数据的目的。

3、目前，固态硬盘(ssd)的硬件销毁电路，具有电压高，电路设计较为复杂，成本较高的问题。如何解决该技术问题是本方案的目的。

技术实现思路

1、本公开旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种固态硬盘的硬件销毁电路的优化设计电路。

2、本公开提供了一种固态硬盘的硬件销毁电路的优化设计电路，包括电源选择电路及储能电容；

3、所述电源选择电路用于接收外部的硬件销毁指令，并根据所述硬件销毁指令，将存储芯片的供应电源切换至储能电容上，储能电容的高压对存储芯片的内部数据产生破坏以销毁数据。

4、优选地，当所述电源选择电路没有收到所述硬件销毁指令时，所述储能电容用于固态硬盘的掉电保护。

5、优选地，所述储能电容包括两个并联的470μf、35v型号的电容。

6、优选地，所述电源选择电路包括一个三极管u31及一个mos管q90，所述三极管u31的基极、发射极及集电极分别与外部的硬件销毁指令、地及所述储能电容连接；

7、所述mos管q90的s极及d极分别与所述储能电容及存储芯片连接。

8、优选地，所述硬件销毁指令为高电平电压信号。

9、优选地，所述储能电容与所述三极管u31的集电极之间串接两个串联的电阻r636及电阻r637，所述电阻r636及电阻r637的公共端与所述mos管q90的g极连接。

10、优选地，所述电阻r636及电阻r637的阻值大小均为10kω。

11、优选地，所述存储芯片的电源端口通过一个二极管d14连接到外部电源，且所述储能电容的电压高于所述外部电源的电压。

12、优选地，所述优化设计电路还包括电源管理电路，所述电源管理电路用于接收固态硬盘的硬件销毁指令，并将所述硬件销毁指令传递给电源选择电路。

技术特征：

1.一种固态硬盘的硬件销毁电路的优化设计电路，其特征在于，包括电源选择电路及储能电容；

2.根据权利要求1所述的固态硬盘的硬件销毁电路的优化设计电路，其特征在于，当所述电源选择电路没有收到所述硬件销毁指令时，所述储能电容用于固态硬盘的掉电保护。

3.根据权利要求1所述的固态硬盘的硬件销毁电路的优化设计电路，其特征在于，所述储能电容包括两个并联的470μf、35v型号的电容。

4.根据权利要求1所述的固态硬盘的硬件销毁电路的优化设计电路，其特征在于，所述电源选择电路包括一个三极管u31及一个mos管q90，所述三极管u31的基极、发射极及集电极分别与外部的硬件销毁指令、地及所述储能电容连接；

5.根据权利要求4所述的固态硬盘的硬件销毁电路的优化设计电路，其特征在于，所述硬件销毁指令为高电平电压信号。

6.根据权利要求4所述的固态硬盘的硬件销毁电路的优化设计电路，其特征在于，所述储能电容与所述三极管u31的集电极之间串接两个串联的电阻r636及电阻r637，所述电阻r636及电阻r637的公共端与所述mos管q90的g极连接。

7.根据权利要求6所述的固态硬盘的硬件销毁电路的优化设计电路，其特征在于，所述电阻r636及电阻r637的阻值大小均为10kω。

8.根据权利要求1所述的固态硬盘的硬件销毁电路的优化设计电路，其特征在于，所述存储芯片的电源端口通过一个二极管d14连接到外部电源，且所述储能电容的电压高于所述外部电源的电压。

9.根据权利要求1所述的固态硬盘的硬件销毁电路的优化设计电路，其特征在于，所述优化设计电路还包括电源管理电路，所述电源管理电路用于接收固态硬盘的硬件销毁指令，并将所述硬件销毁指令传递给电源选择电路。

技术总结本公开属于固态硬盘技术领域，具体提供了一种固态硬盘的硬件销毁电路的优化设计电路，包括电源选择电路及储能电容；所述电源选择电路用于接收外部的硬件销毁指令，并根据所述硬件销毁指令，将存储芯片的供应电源切换至储能电容上，储能电容的高压对存储芯片的内部数据产生破坏以销毁数据。本方案利用固态硬盘原有的储能电容(高压)，作为销毁存储芯片的冲击电压，只需要简单的控制和转换电路即可实现。简化原有的销毁电源升压电路，去掉了高压升压电路，同时节约硬件成本，简化了电路板布局空间。技术研发人员：蔡玉鑫受保护的技术使用者：绿芯半导体（厦门）有限公司技术研发日：技术公布日：2024/1/16