基于脉冲的多电平单元编程的制作方法

涉及基于脉冲的多电平单元编程。

背景技术：

1、存储器装置广泛用于在例如计算机、用户装置、无线通信装置、相机、数字显示器及类似者的各种电子装置中存储信息。信息通过将存储器装置内的存储器单元编程到各种状态来存储。举例来说，二进制存储器单元可编程到通常由逻辑1或逻辑0表示的两种支持状态中的一者。在一些实例中，单个存储器单元可支持多于两种状态，其中任一者可被存储。为了存取所存储信息，组件可读取(例如感测、检测、检索、识别、确定、评估)存储器装置中所存储的状态。为了存储信息，组件可写入(例如编程、设置、指派)存储器装置中的状态。

2、存在各种类型的存储器装置及存储器单元，其包含磁性硬盘、随机存取存储器(ram)、只读存储器(rom)、动态ram(dram)、同步动态ram(sdram)、静态ram(sram)、铁电ram(feram)、磁性ram(mram)、电阻性ram(rram)、快闪存储器、相变存储器(pcm)、自选择存储器、硫属化物存储器技术及其它。存储器单元可依据易失性配置或非易失性配置进行描述。以非易失性配置来配置的存储器单元可长时间保存所存储逻辑状态，即使缺少外部电源。以易失性配置来配置的存储器单元在与外部电源断开时会丢失所存储状态。

技术实现思路

1、描述一种方法。所述方法可包含：识别要存储于包括硫属化物材料的存储器单元中的第一逻辑状态，所述存储器单元用于存储三种或更多种逻辑状态，所述三种或更多种逻辑状态包括与第一阈值电压相关联的第二逻辑状态、与第二阈值电压相关联的第三逻辑状态及与所述第一阈值电压与所述第二阈值电压之间的中间阈值电压相关联的所述第一逻辑状态；至少部分基于识别所述第一逻辑状态来将具有第一极性的第一脉冲施加到所述存储器单元以将所述第二逻辑状态存储于所述存储器单元中；至少部分基于将所述第一脉冲施加到所述存储器单元来识别存储所述第二逻辑状态的所述存储器单元的阈值电压；及至少部分基于识别存储所述第二逻辑状态的所述存储器单元的所述阈值电压来将第一数量的脉冲施加到所述存储器单元以将所述第一逻辑状态存储于所述存储器单元中，所述第一数量的脉冲具有与所述第一极性不同的第二极性。

2、描述一种设备。所述设备可包含：处理器；存储器，其与所述处理器耦合；及指令，其存储于所述存储器中且可由所述处理器执行以致使所述设备：识别要存储于包括硫属化物材料的存储器单元中的第一逻辑状态，所述存储器单元用于存储三种或更多种逻辑状态，所述三种或更多种逻辑状态包括与第一阈值电压相关联的第二逻辑状态、与第二阈值电压相关联的第三逻辑状态及与所述第一阈值电压与所述第二阈值电压之间的中间阈值电压相关联的所述第一逻辑状态；至少部分基于识别所述第一逻辑状态来将具有第一极性的第一脉冲施加到所述存储器单元以将所述第二逻辑状态存储于所述存储器单元中；至少部分基于将所述第一脉冲施加到所述存储器单元来识别存储所述第二逻辑状态的所述存储器单元的阈值电压；及至少部分基于识别存储所述第二逻辑状态的所述存储器单元的所述阈值电压来将第一数量的脉冲施加到所述存储器单元以将所述第一逻辑状态存储于所述存储器单元中，所述第一数量的脉冲具有与所述第一极性不同的第二极性。

3、描述一种方法。所述方法可包含：识别要存储于包括硫属化物材料的存储器单元中的第一逻辑状态，所述存储器单元用于存储三种或更多种逻辑状态，所述三种或更多种逻辑状态包括与第一阈值电压相关联的第二逻辑状态、与第二阈值电压相关联的第三逻辑状态及与所述第一阈值电压与所述第二阈值电压之间的中间阈值电压相关联的所述第一逻辑状态；至少部分基于识别所述第一逻辑状态来将具有第一极性的第一脉冲施加到所述存储器单元以将所述第二逻辑状态存储于所述存储器单元中；至少部分基于将所述第一脉冲施加到所述存储器单元来识别存储所述第二逻辑状态的所述存储器单元的阈值电压；至少部分基于识别存储所述第二逻辑的所述存储器单元的所述阈值电压来将具有与所述第一极性不同的第二极性的第二脉冲施加到所述存储器单元以将所述第三逻辑状态存储于所述存储器单元中；及至少部分基于识别存储所述第二逻辑状态的所述存储器单元的所述阈值电压来将具有所述第一极性的第一数量的脉冲施加到所述存储器单元以将所述第一逻辑状态存储于所述存储器单元中。

技术特征：

1.一种方法，其包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其中识别存储所述第二逻辑状态的所述存储器单元的所述阈值电压进一步包括：

3.根据权利要求2所述的方法，其进一步包括：

4.根据权利要求3所述的方法，其进一步包括：

5.根据权利要求2所述的方法，其进一步包括：

6.根据权利要求1所述的方法，其中选择所述第一数量的脉冲包括：

7.根据权利要求6所述的方法，其中脉冲的不同数量与所述存储器单元的不同电压阈值相关联。

8.根据权利要求6所述的方法，其中所述第一数量的脉冲中的每一脉冲进一步包括：

9.根据权利要求8所述的方法，其中每一脉冲电流是相同第一脉冲电流且每一脉冲宽度是相同第一脉冲宽度。

10.根据权利要求9所述的方法，其中与所述第二阈值电压相关联的第二数量的脉冲中的每一脉冲具有第二脉冲电流及第二脉冲宽度，所述第二脉冲电流与所述第一脉冲电流不同，所述第二脉冲宽度与所述第一脉冲宽度不同。

11.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：

12.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：

13.根据权利要求1所述的方法，其中施加所述第一脉冲进一步包括：

14.一种设备，其包括：

15.根据权利要求14所述的设备，其中用于识别存储所述第二逻辑状态的所述存储器单元的所述阈值电压的所述指令可由所述处理器进一步执行以致使所述设备：

16.根据权利要求15所述的设备，其中所述指令可由所述处理器进一步执行以致使所述设备：

17.一种方法，其包括：

18.根据权利要求17所述的方法，其中识别存储所述第二逻辑状态的所述存储器单元的所述阈值电压进一步包括：

19.根据权利要求18所述的方法，其进一步包括：

20.根据权利要求19所述的方法，其进一步包括：

21.根据权利要求18所述的方法，其进一步包括：

22.根据权利要求17所述的方法，其中选择所述第一数量的脉冲包括：

23.根据权利要求22所述的方法，其中脉冲的不同数量与所述存储器单元的不同电压阈值相关联。

24.根据权利要求22所述的方法，其中所述第一数量的脉冲中的每一脉冲进一步包括：

25.根据权利要求24所述的方法，其中每一脉冲电流是相同第一脉冲电流且每一脉冲宽度是相同第一脉冲宽度。

技术总结本申请案涉及基于脉冲的多电平单元编程。存储器装置可识别要存储到能够存储三种或更多种逻辑状态的多电平存储器单元的中间逻辑状态。所述存储器装置可基于识别所述中间逻辑状态来将具有第一极性的第一脉冲施加到所述存储器单元以将设置或复位状态存储到所述存储器单元。因而，所述存储器装置可识别存储所述设置或复位状态的所述存储器单元的阈值电压。所述存储器装置可基于识别存储所述设置或复位状态的所述存储器单元的所述阈值电压来将一定数量的脉冲施加到所述存储器单元以存储所述经识别中间逻辑状态。在一些实例中，所述一定数量的脉冲可具有与所述第一极性不同的第二极性。技术研发人员：H·A·卡斯特罗,M·博尼亚蒂,I·托尔托雷利受保护的技术使用者：美光科技公司技术研发日：技术公布日：2024/1/16