存储器件的读取操作中的基于开放块的读取偏移量补偿的制作方法

本公开涉及存储器件及其操作。

背景技术：

1、闪速存储器是一种能够被电擦除并且重新编程的低成本高密度非易失性固态存储介质。闪速存储器包括nor闪速存储器和nand闪速存储器。可以由闪速存储器执行各种操作，例如读取、编程(写入)和擦除，从而将每个存储单元的阈值电压改变到期望的电平。对于nand闪速存储器而言，可以在块级上执行擦除操作，可以在页级上执行编程操作，并且可以在单元级上执行读取操作。

技术实现思路

1、在一个方面中，存储器件包括布置在多个块中的存储单元阵列以及耦合到存储单元阵列的外围电路。该外围电路被配置为响应于多个块中的块是开放块(open block)而使用补偿读取电压对块中的存储单元阵列中的存储单元执行读取操作。补偿读取电压相对于块的默认读取电压具有偏移量。

2、在另一方面中，nand闪速存储器包括布置在多个块中的存储单元阵列、寄存器、耦合到寄存器的控制逻辑单元以及耦合到控制逻辑单元的字线驱动器。寄存器被配置为存储多个块中的一个或多个块的开放块信息。控制逻辑单元被配置为基于开放块信息确定相对于一个或多个块中的块的默认读取电压的偏移量。字线驱动器被配置为在对块中的存储单元阵列中的存储单元的读取操作中将具有偏移量的补偿读取电压施加至与块中的存储单元阵列中的存储单元耦合的字线。

3、在又一方面中，系统包括nand闪速存储器和耦合到nand闪速存储器的主机，该主机被配置为初始化开放块信息。该nand闪速存储器包括布置在多个块中的存储单元阵列、寄存器、耦合到寄存器的控制逻辑单元以及耦合到控制逻辑单元的字线驱动器。寄存器被配置为存储多个块中的一个或多个块的开放块信息。控制逻辑单元被配置为基于开放块信息确定相对于一个或多个块中的块的默认读取电压的偏移量。字线驱动器被配置为在对块中的存储单元阵列中的存储单元的读取操作中将具有偏移量的补偿读取电压施加至与块中的存储单元阵列中的存储单元耦合的字线。

4、在又一方面中，公开了用于操作存储器件的方法。该存储器件包括布置在多个块中的存储单元阵列。多个块中的块被确定是开放块。使用补偿读取电压对块中的存储单元阵列中的存储单元执行读取操作。补偿读取电压相对于块的默认读取电压具有偏移量。

技术特征：

1.一种存储器件，包括：

2.根据权利要求1所述的存储器件，其中，

3.根据权利要求2所述的存储器件，其中，

4.根据权利要求1所述的存储器件，其中，

5.根据权利要求1所述的存储器件，其中，

6.根据权利要求5所述的存储器件，其中，

7.根据权利要求1所述的存储器件，其中，

8.根据权利要求7所述的存储器件，其中，

9.根据权利要求8所述的存储器件，其中，

10.根据权利要求9所述的存储器件，其中，所述外围电路还被配置为：

11.根据权利要求10所述的存储器件，其中，所述最大偏移量与所述多个块中尚未有页被编程的块相关联。

12.根据权利要求8所述的存储器件，其中，

13.根据权利要求12所述的存储器件，其中，所述多个区段通过所述存储器件的制作后修整与所述多个预设偏移量关联。

14.根据权利要求1所述的存储器件，其中，所述外围电路还被配置为响应于所述块是满块而使用所述块的所述默认读取电压对所述存储单元执行读取操作。

15.根据权利要求8所述的存储器件，其中，所述外围电路被配置为基于所述开放块信息和附加偏移量因素来确定所述偏移量。

16.根据权利要求15所述的存储器件，其中，所述附加偏移量因素包括温度、字线物理位置或系统调整中的至少一个。

17.根据权利要求10所述的存储器件，其中，所述开放块的所述多个页中的编程页的总数越大，所述偏移量越低。

18.一种nand闪速存储器，包括：

19.根据权利要求18所述的nand闪速存储器，其中，所述控制逻辑单元还被配置为基于存储在所述寄存器中的所述开放块信息确定所述块为开放块。

20.根据权利要求19所述的nand闪速存储器，其中，

21.根据权利要求20所述的nand闪速存储器，其中，

22.根据权利要求21所述的nand闪速存储器，其中，所述控制逻辑单元被配置为基于所述开放块中的所述多个页中的所述最后的编程页和所述开放块的页的总数计算所述偏移量。

23.根据权利要求22所述的nand闪速存储器，其中，所述控制逻辑单元被配置为：

24.根据权利要求23所述的nand闪速存储器，其中，所述最大偏移量与所述多个块中尚未有页被编程的块相关联。

25.根据权利要求21所述的nand闪速存储器，其中，

26.根据权利要求25所述的nand闪速存储器，其中，所述多个区段通过所述nand闪速存储器的制作后修整与所述多个预设偏移量关联。

27.根据权利要求18所述的nand闪速存储器，其中，所述控制逻辑单元被配置为基于所述开放块信息和附加偏移量因素来确定所述偏移量。

28.根据权利要求27所述的nand闪速存储器，其中，所述附加偏移量因素包括温度、字线物理位置或系统调整中的至少一个。

29.根据权利要求23所述的nand闪速存储器，其中，所述开放块的所述多个页中的编程页的总数越大，所述偏移量越低。

30.一种用于存储器件的读取操作的存储系统，包括：

31.根据权利要求30所述的存储系统，其中，

32.根据权利要求31所述的存储系统，其中，所述附加偏移量因素包括温度、字线物理位置或系统调整中的至少一个。

33.根据权利要求30-32中的任一项所述的存储系统，其中，所述存储控制器被配置为响应于系统重启而控制扫描所述存储单元阵列或者恢复所述开放块信息的备份副本。

34.根据权利要求30-32中的任一项所述的存储系统，其中，所述控制逻辑单元还被配置为基于对所述存储单元阵列的编程操作来更新所述开放块信息。

35.根据权利要求30-32中的任一项所述的存储系统，其中，所述存储控制器被配置为：初始化所述开放块信息，将初始开放块信息从所述存储单元阵列存储到所述寄存器中。

36.根据权利要求30-32中的任一项所述的存储系统，其中，

37.根据权利要求30-32中的任一项所述的存储系统，其中，

38.根据权利要求37所述的存储系统，其中，所述控制逻辑单元被配置为基于所述最后的编程页和所述开放块的页的总数计算所述偏移量。

39.根据权利要求38所述的存储系统，其中，所述控制逻辑单元被配置为：

40.根据权利要求39所述的存储系统，其中，所述开放块的所述多个页中的编程页的总数越大，所述偏移量越低。

41.根据权利要求39所述的存储系统，其中，所述最大偏移量与所述多个块中尚未有页被编程的块的相关联。

42.根据权利要求37所述的存储系统，其中，

43.根据权利要求42所述的存储系统，其中，所述多个区段通过所述nand闪速存储器的制作后修整与所述多个预设偏移量关联。

44.根据权利要求30-32中的任一项所述的存储系统，其中，所述控制逻辑单元还被配置为基于初始阈值电压移位来调整所述块的所述默认读取电压。

45.一种用于操作包括具有多个块的存储单元阵列的存储器件的方法，所述方法包括：

46.根据权利要求45所述的方法，其中，

47.根据权利要求46所述的方法，其中，

48.根据权利要求45所述的方法，其中，执行所述读取操作包括：

49.根据权利要求48所述的方法，其中，

50.根据权利要求49所述的方法，其中，确定所述偏移量包括：基于所述开放块的所述多个页中的所述最后的编程页和所述开放块的页的总数计算所述偏移量。

51.根据权利要求50所述的方法，其中，计算所述偏移量包括：

52.根据权利要求50所述的方法，其中，

53.根据权利要求52所述的方法，其中，所述多个区段通过所述存储器件的制作后修整与所述多个预设偏移量关联。

54.根据权利要求45所述的方法，还包括初始化所述开放块信息。

55.根据权利要求54所述的方法，其中，初始化所述开放块信息包括：响应于系统重启而扫描所述存储单元阵列或者恢复所述开放块信息的备份副本。

56.根据权利要求45所述的方法，还包括：

57.根据权利要求45所述的方法，还包括：

技术总结公开了存储器件的读取操作中的基于开放块的读取偏移量补偿。例如，一种存储器件包括布置在多个块中的存储单元阵列、以及耦合到存储单元阵列的外围电路。该外围电路被配置为响应于多个块中的块是开放块而使用补偿读取电压对块中的存储单元阵列中的存储单元执行读取操作。补偿读取电压相对于块的默认读取电压具有偏移量。技术研发人员：郭晓江,J·H·康,何有信受保护的技术使用者：长江存储科技有限责任公司技术研发日：技术公布日：2024/1/16