基于读取存储器单元期间所获得的单元统计数据识别存储器单元的编程模式的制作方法

本文中公开的至少一些实施例大体上涉及存储器系统，且更特定来说但不限于，涉及编程存储器单元以存储数据及从存储器单元检索数据的技术。

背景技术：

1、存储器子系统可包含存储数据的一或多个存储器装置。存储器装置可为例如非易失性存储器装置及易失性存储器装置。一般来说，主机系统可利用存储器子系统将数据存储于存储器装置处及从存储器装置检索数据。

2、存储器装置可包含具有形成于半导电材料的集成电路裸片上的一或多个存储器单元阵列的存储器集成电路。存储器单元是可个别使用或操作以存储数据的存储器的最小单元(unit)。一般来说，存储器单元可存储一或多个数据位。

3、不同类型的存储器单元已开发用于存储器集成电路，例如随机存取存储器(ram)、只读存储器(rom)、动态随机存取存储器(dram)、静态随机存取存储器(sram)、同步动态随机存取存储器(sdram)、相变存储器(pcm)、磁随机存取存储器(mram)、或非(nor)快闪存储器、电可擦除可编程只读存储器(eeprom)、快闪存储器等等。

4、一些集成电路存储器单元是易失性的且需要电力来维持存储于单元中的数据。易失性存储器的实例包含动态随机存取存储器(dram)及静态随机存取存储器(sram)。

5、一些集成电路存储器单元是非易失性的且即使没有供电还可留存存储数据。非易失性存储器的实例包含快闪存储器、只读存储器(rom)、可编程只读存储器(prom)、可擦除可编程只读存储器(eprom)及电可擦除可编程只读存储器(eeprom)存储器等等。快闪存储器包含与非(nand)型快闪存储器或或非(nor)型快闪存储器。nand存储器单元是基于nand逻辑门；且nor存储器单元是基于nor逻辑门。

6、交叉点存储器(例如3d xpoint存储器)使用非易失性存储器单元阵列。交叉点存储器中的存储器单元是无晶体管的。此类存储器单元中的每一者可具有在集成电路中一起堆叠为列的选择器装置及任选地相变存储器装置。此类列的存储器单元经由在彼此垂直的方向上运行的两个导线层连接于集成电路中。两个层中的一者是在存储器单元上方；且另一层是在存储器单元下方。因此，每一存储器单元可个别选择于在两个层中在不同方向上运行的两个导线的交叉点处。交叉点存储器装置是快速及非易失性的且可用作用于处理及存储的统一存储器池。

7、非易失性集成电路存储器单元可经编程以通过在编程/写入操作期间将电压或电压模式施加到存储器单元来存储数据。编程/写入操作将存储器单元设定于对应于数据经编程/存储到存储器单元中的状态中。存储于存储器单元中的数据可通过检查存储器单元的状态来检索于读取操作中。读取操作通过施加电压及确定存储器单元在对应于预界定状态的电压处是否变成导电来确定存储器单元的状态。

技术实现思路

技术特征：

1.一种方法，其包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述编程模式基于所述匹配从第一模式及每存储器单元存储比所述第一模式更多位的第二模式选择。

3.根据权利要求2所述的方法，其中所述第一模式编程所述一组存储器单元每存储器单元存储一个位；且所述第二模式编程所述一组存储器单元每两个存储器单元存储三个位。

4.根据权利要求3所述的方法，其进一步包括：

5.根据权利要求3所述的方法，其中所述第一统计数据识别所述第一部分与所述一组存储器单元之间的存储器单元群体的比率。

6.根据权利要求3所述的方法，其中所述第一统计数据识别所述第一部分中的存储器单元的计数。

7.根据权利要求3所述的方法，其中所述第一部分的识别用于读取在所述第一模式中编程的所述一组存储器单元及读取在所述第二模式中编程的所述一组存储器单元。

8.根据权利要求3所述的方法，其中响应于所述编程模式经识别为所述第二模式，所述操作包括：

9.根据权利要求3所述的方法，其中所述第一读取电压以第一极性驱动到所述一组存储器单元上；且响应于所述编程模式经识别为所述第二模式，所述操作包括：

10.一种存储器装置，其包括：

11.根据权利要求10所述的存储器装置，其中所述模式包含所述数目随着所述量值增大而接近与所述编程模式预相关联的目标。

12.根据权利要求11所述的存储器装置，其中所述编程模式经确定为多个预界定模式中的一者，包含每存储器单元存储一个位的第一模式及每两个存储器单元存储三个位的第二模式。

13.根据权利要求12所述的存储器装置，其中所述控制器进一步经配置以响应于所述编程模式是所述第一模式而：

14.根据权利要求12所述的存储器装置，其中所述控制器进一步经配置以响应于所述编程模式是所述第二模式而：

15.根据权利要求12所述的存储器装置，其中所述控制器进一步经配置以响应于所述编程模式是所述第二模式而：

16.一种存储器装置，其包括：

17.根据权利要求16所述的存储器装置，其中所述结果包含在执行共同部分时识别为具有编程于所述电压区中的阈值电压的存储器单元的统计数据。

18.根据权利要求17所述的存储器装置，其中所述多个模式经配置以将所述存储器单元的阈值电压编程到各自包含在所述共同部分中测试的所述电压区的不同数目个电压区中。

19.根据权利要求18所述的存储器装置，其中在所述共同部分中测试的所述电压区是分别针对所述多个模式编程的所述不同数目个电压区中的每一者中的最低区。

20.根据权利要求19所述的存储器装置，其中所述多个模式包含

技术总结本发明涉及用于确定一组存储器单元的编程模式且无需使存储于所述存储器单元中的位值包含所述编程模式的识别符的系统、方法及设备。在测试所述组中的所述存储器单元的哪些位于最低电压区中(所述测试是用于读取在不同模式中编程的所述存储器单元的共同操作)期间，可比较经发现为位于所述最低电压区中的所述存储器单元的统计数据与在不同模式中编程的所述存储器单元组的已知不同行为。与所述模式中的一者的行为的匹配可用于将所述匹配模式识别为所述一组存储器单元的所述编程模式。技术研发人员：K·萨尔帕特瓦里,F·佩里兹,N·N·加杰拉受保护的技术使用者：美光科技公司技术研发日：技术公布日：2024/1/16