存储器子系统阈值电压修改操作的制作方法

本公开的实施例大体上涉及存储器子系统，且更具体地说，涉及存储器子系统阈值电压修改操作。

背景技术：

1、存储器子系统可包含存储数据的一或多个存储器装置。存储器装置可以是例如非易失性存储器装置和易失性存储器装置。一般来说，主机系统可以利用存储器子系统以在存储器装置处存储数据且从存储器装置检索数据。

技术实现思路

1、一方面，本公开涉及一种用于存储器子系统阈值电压修改操作的方法，其包括：针对多个存储器裸片确定与多个存储器裸片中的每一者的质量特性相关的分格信息；执行选择栅极扫描以确定多个存储器裸片中的每一者的第一阈值电压和第一阈值电压窗口；以及基于多个存储器裸片中的每一者的所确定的质量特性执行擦除和编程操作，以设定多个存储器裸片当中的存储器裸片子集的第二阈值电压以及第二阈值电压窗口，其中第二阈值电压窗口大于第一阈值电压窗口。

2、另一方面，本公开涉及一种用于存储器子系统阈值电压修改操作的设备，其包括：存储器装置，其包括多个存储器裸片；处理器，其耦合到存储器装置，其中处理器配置成：确定与多个存储器裸片中的每一者的质量特性相关的分格信息；执行多个存储器裸片中的每一存储器裸片的选择栅极扫描；至少部分地基于每一存储器裸片的选择栅极扫描确定多个存储器裸片中的每一存储器裸片的第一阈值电压和第一阈值电压窗口；以及执行擦除和编程操作以设定多个存储器裸片中的每一存储器裸片的第二阈值电压以及第二阈值窗口。

3、另一方面，本公开涉及一种用于存储器子系统阈值电压修改操作的系统，其包括：多个存储器裸片，其驻存在存储器装置上；耦合到多个存储器裸片的处理器，其中处理器配置成：执行多个存储器裸片中的每一存储器裸片的选择栅极扫描以确定多个存储器裸片中的每一存储器裸片的第一阈值电压和第一阈值电压窗口；以及执行擦除和编程操作，以设定多个存储器裸片中的每一存储器裸片的第二阈值电压以及第二阈值窗口，其中第二阈值窗口大于第一阈值窗口。

技术特征：

1.一种用于存储器子系统阈值电压修改操作的方法(550)，其包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：

3.根据权利要求1或2所述的方法，其中所述第二阈值电压和所述第二阈值电压窗口对于所述多个存储器裸片当中的每一存储器裸片子集是相同的。

4.根据权利要求1或2所述的方法，其中执行所述擦除和编程操作以设定所述多个存储器裸片当中的所述存储器裸片子集的所述第二阈值电压以及所述第二阈值电压窗口进一步包括：

5.一种用于存储器子系统阈值电压修改操作的设备(100)，其包括：

6.根据权利要求5所述的设备，其中所述多个存储器裸片中的每一者的所述质量特性至少部分地基于晶片上制造有所述存储器裸片的物理位置，或至少部分地基于对应于所述多个存储器裸片当中的相应存储器裸片的fuse_id。

7.根据权利要求5所述的设备，其中所述处理器进一步配置成：

8.根据权利要求5至7中任一权利要求所述的设备，其中所述第二阈值电压和所述第二阈值电压窗口对于所述多个存储器裸片当中的每一存储器裸片子集是相同的。

9.根据权利要求5至7中任一权利要求所述的设备，其中执行所述擦除和编程操作以设定所述多个存储器裸片中的每一存储器裸片子集的所述第二阈值电压以及所述第二阈值电压窗口，所述处理器进一步配置成将所述多个存储器裸片中的存储器裸片的第一子集和所述多个存储器裸片中的存储器裸片的第二子集设定为不同第二阈值电压，其中所述存储器裸片的第一子集具有相同的第二阈值电压和第二阈值电压窗口，且所述存储器裸片的第二子集具有相同的第二阈值电压和第二阈值电压窗口。

10.一种用于存储器子系统阈值电压修改操作的系统(600)，其包括：

11.根据权利要求10所述的系统，其中：

12.根据权利要求10所述的系统，其中：

13.根据权利要求10至12中任一权利要求所述的系统，其中所述第二阈值电压和所述第二阈值电压窗口对于所述多个存储器裸片当中的所述存储器裸片中的每一者是相同的。

14.根据权利要求10至12中任一权利要求所述的系统，其中所述处理器进一步配置成针对所述多个存储器裸片确定与所述多个存储器裸片中的每一者的质量特性相关的分格信息。

15.根据权利要求10至12中任一权利要求所述的系统，其中所述处理器进一步配置成：

技术总结本公开涉及存储器子系统阈值电压修改操作。一种方法包含针对多个存储器裸片确定与所述多个存储器裸片中的每一者的质量特性相关的分格信息。所述方法进一步包含：执行选择栅极扫描以确定所述多个存储器裸片中的每一者的第一阈值电压和第一阈值电压窗口；以及基于所述多个存储器裸片中的每一者的所确定的质量特性执行擦除和编程操作，以设定所述多个存储器裸片当中的存储器裸片子集的第二阈值电压以及第二阈值电压窗口，其中所述第二阈值电压窗口大于所述第一阈值电压窗口。技术研发人员：周振明,黄健受保护的技术使用者：美光科技公司技术研发日：技术公布日：2024/1/15