存储器管理方法、存储器存储装置及存储器控制电路单元与流程

本发明涉及一种存储器管理技术，尤其涉及一种存储器管理方法、存储器存储装置及存储器控制电路单元。背景技术：：：1、移动电话与笔记本计算机等可携式电子装置在这几年来的成长十分迅速，使得消费者对存储媒体的需求也急速增加。由于可复写式非易失性存储器模块(rewritable non-volatile memory module)(例如，快闪存储器)具有数据非易失性、省电、体积小，以及无机械结构等特性，所以非常适合内建于上述所举例的各种可携式电子装置中。2、部分类型的存储器存储装置支持对可复写式非易失性存储器模块执行数据刷新操作，以降低存储于可复写式非易失性存储器模块中的数据的比特错误率(bit errorrate,ber)。然而，实务上，执行数据刷新操作往往会大幅降低存储器存储装置的效能，从而降低存储器存储装置的操作稳定性。技术实现思路1、本发明提供一种存储器管理方法、存储器存储装置及存储器控制电路单元，可提升存储器存储装置的操作稳定性。2、本发明的范例实施例提供一种存储器管理方法，用于可复写式非易失性存储器模块。所述存储器管理方法包括：检测所述可复写式非易失性存储器模块的状态；根据第一条件与第二条件决定是否对所述可复写式非易失性存储器模块执行数据刷新操作。所述第一条件与所述可复写式非易失性存储器模块中的第一实体单元有关。所述第二条件与所述可复写式非易失性存储器模块中的多个第二实体单元有关。所述数据刷新操作用以在所述可复写式非易失性存储器模块中更新数据，以降低所述数据的比特错误率。3、在本发明的范例实施例中，所述第一条件包括所述第一实体单元是否符合第一临界条件。4、在本发明的范例实施例中，所述的存储器管理方法还包括：根据所述第一实体单元的损耗程度，判断所述第一实体单元是否符合所述第一临界条件。5、在本发明的范例实施例中，所述的存储器管理方法还包括：根据在解码从所述第一实体单元读取的第一数据的过程中，所述第一数据是否在软解码模式中被解码，评估所述第一实体单元的所述损耗程度。6、在本发明的范例实施例中，所述第二条件包括所述多个第二实体单元是否符合第二临界条件。7、在本发明的范例实施例中，所述的存储器管理方法还包括：根据所述多个第二实体单元的损耗程度及数据存取效能的至少其中之一，判断所述多个第二实体单元是否符合所述第二临界条件。8、在本发明的范例实施例中，根据所述多个第二实体单元的所述损耗程度及所述数据存取效能的所述至少其中之一，判断所述多个第二实体单元是否符合所述第二临界条件的步骤包括：根据所述多个第二实体单元中符合第一临界条件的实体单元的总数，判断所述多个第二实体单元是否符合所述第二临界条件。9、在本发明的范例实施例中，根据所述第一条件与所述第二条件决定是否对所述可复写式非易失性存储器模块执行所述数据刷新操作的步骤包括：响应于所述第一实体单元符合第一临界条件且所述多个第二实体单元符合第二临界条件，决定对所述可复写式非易失性存储器模块执行所述数据刷新操作。10、在本发明的范例实施例中，所述第一条件反映所述第一实体单元的电气效能，且所述第二条件反映所述多个第二实体单元的电气效能。11、在本发明的范例实施例中，所述的存储器管理方法还包括：在决定对所述可复写式非易失性存储器模块执行所述数据刷新操作后，对所述可复写式非易失性存储器模块中符合第一临界条件的第三实体单元执行所述数据刷新操作。12、本发明的范例实施例另提供一种存储器存储装置，其包括连接接口单元、可复写式非易失性存储器模块及存储器控制电路单元。所述连接接口单元用以连接至主机系统。所述存储器控制电路单元连接至所述连接接口单元与所述可复写式非易失性存储器模块。所述存储器控制电路单元用以：检测所述可复写式非易失性存储器模块的状态；以及根据第一条件与第二条件决定是否对所述可复写式非易失性存储器模块执行数据刷新操作，其中所述第一条件与所述可复写式非易失性存储器模块中的第一实体单元有关，所述第二条件与所述可复写式非易失性存储器模块中的多个第二实体单元有关，并且所述数据刷新操作用以在所述可复写式非易失性存储器模块中更新数据，以降低所述数据的比特错误率。13、在本发明的范例实施例中，所述存储器控制电路单元还用以：根据所述第一实体单元的损耗程度，判断所述第一实体单元是否符合所述第一临界条件。14、在本发明的范例实施例中，所述存储器控制电路单元还用以：根据在解码从所述第一实体单元读取的第一数据的过程中，所述第一数据是否在软解码模式中被解码，评估所述第一实体单元的所述损耗程度。15、在本发明的范例实施例中，所述存储器控制电路单元还用以：根据所述多个第二实体单元的损耗程度及数据存取效能的至少其中之一，判断所述多个第二实体单元是否符合所述第二临界条件。16、在本发明的范例实施例中，所述存储器控制电路单元根据所述多个第二实体单元的所述损耗程度及所述数据存取效能的所述至少其中之一，判断所述多个第二实体单元是否符合所述第二临界条件的操作包括：根据所述多个第二实体单元中符合第一临界条件的实体单元的总数，判断所述多个第二实体单元是否符合所述第二临界条件。17、在本发明的范例实施例中，所述存储器控制电路单元根据所述第一条件与所述第二条件决定是否对所述可复写式非易失性存储器模块执行所述数据刷新操作的操作包括：响应于所述第一实体单元符合第一临界条件且所述多个第二实体单元符合第二临界条件，决定对所述可复写式非易失性存储器模块执行所述数据刷新操作。18、在本发明的范例实施例中，所述存储器控制电路单元还用以：在决定对所述可复写式非易失性存储器模块执行所述数据刷新操作后，对所述可复写式非易失性存储器模块中符合第一临界条件的第三实体单元执行所述数据刷新操作。19、本发明的范例实施例另提供一种存储器控制电路单元，其用以控制可复写式非易失性存储器模块。所述存储器控制电路单元包括主机接口、存储器接口及存储器管理电路。所述主机接口用以连接至主机系统。所述存储器接口，用以连接至所述可复写式非易失性存储器模块。所述存储器管理电路连接至所述主机接口与所述存储器接口。所述存储器控制电路单元用以：检测所述可复写式非易失性存储器模块的状态；以及根据第一条件与第二条件决定是否对所述可复写式非易失性存储器模块执行数据刷新操作，其中所述第一条件与所述可复写式非易失性存储器模块中的第一实体单元有关，所述第二条件与所述可复写式非易失性存储器模块中的多个第二实体单元有关，并且所述数据刷新操作用以在所述可复写式非易失性存储器模块中更新数据，以降低所述数据的比特错误率。20、在本发明的范例实施例中，所述存储器管理电路还用以：根据所述第一实体单元的损耗程度，判断所述第一实体单元是否符合所述第一临界条件。21、在本发明的范例实施例中，所述存储器管理电路还用以：根据在解码从所述第一实体单元读取的第一数据的过程中，所述第一数据是否在软解码模式中被解码，评估所述第一实体单元的所述损耗程度。22、在本发明的范例实施例中，所述存储器管理电路还用以：根据所述多个第二实体单元的损耗程度及读写效能的至少其中之一，判断所述多个第二实体单元是否符合所述第二临界条件。23、在本发明的范例实施例中，所述存储器管理电路根据所述多个第二实体单元的所述损耗程度及所述读写效能的所述至少其中之一，判断所述多个第二实体单元是否符合所述第二临界条件的操作包括：根据所述多个第二实体单元中符合第一临界条件的实体单元的总数，判断所述多个第二实体单元是否符合所述第二临界条件。24、在本发明的范例实施例中，所述存储器管理电路根据所述第一条件与所述第二条件决定是否对所述可复写式非易失性存储器模块执行所述数据刷新操作的操作包括：响应于所述第一实体单元符合第一临界条件且所述多个第二实体单元符合第二临界条件，决定对所述可复写式非易失性存储器模块执行所述数据刷新操作。25、在本发明的范例实施例中，所述存储器管理电路还用以：在决定对所述可复写式非易失性存储器模块执行所述数据刷新操作后，对所述可复写式非易失性存储器模块中符合第一临界条件的第三实体单元执行所述数据刷新操作。26、本发明的范例实施例另提供一种存储器存储装置，其包括连接接口单元、可复写式非易失性存储器模块及存储器控制电路单元。所述连接接口单元用以连接至主机系统。所述存储器控制电路单元连接至所述连接接口单元与所述可复写式非易失性存储器模块。所述存储器控制电路单元用以根据所述可复写式非易失性存储器模块的数据存取效能，决定是否对所述可复写式非易失性存储器模块执行数据刷新操作，并且所述数据刷新操作用以在所述可复写式非易失性存储器模块中更新数据，以降低所述数据的比特错误率。27、基于上述，在检测可复写式非易失性存储器模块的状态后，是否对可复写式非易失性存储器模块执行数据刷新操作可根据第一条件与第二条件被决定。特别是，第一条件与可复写式非易失性存储器模块中的第一实体单元有关，且第二条件与可复写式非易失性存储器模块中的多个第二实体单元有关。此外，所述数据刷新操作用以在可复写式非易失性存储器模块中更新数据，以降低所述数据的比特错误率。由此，可提升存储器存储装置的操作稳定性。当前第1页12当前第1页12