半导体器件的制作方法

本公开涉及一种半导体器件。

背景技术：

1、半导体器件可以包括电压生成器，电压生成器使用由外部主机等供应的外部电源电压来生成用于半导体器件的操作的电源电压。例如，电压生成器可以输出具有比外部电源电压的电平高的电平的高电压。电压生成器可以包括电荷泵以生成具有比外部电源电压的电平高的电平的高电压。与这种半导体器件中包括的其它电路相比，电荷泵会占据相对大的面积。因而，需要有效地设计电荷泵以提高半导体器件的集成度。

技术实现思路

1、示例实施例提供一种具有增加的集成密度和提高的可靠性的半导体器件，增加的集成密度是通过有效地设计电荷泵而实现的，提高的可靠性是通过实施电荷泵使得电荷泵的输出电压的电平被确定为取决于温度变化而改变来实现的。

2、根据一示例实施例，一种半导体器件包括：多个存储单元；以及外围电路，所述外围电路被配置成控制所述多个存储单元。所述外围电路包括：温度补偿电路，所述温度补偿电路被配置成输出基于所述半导体器件的温度确定的补偿电流；电压调节器，所述电压调节器被配置成输出具有基于所述补偿电流确定的电平的泵电压；时钟生成器，所述时钟生成器被配置成生成具有基于所述补偿电流确定的频率的时钟信号；以及电荷泵电路，所述电荷泵电路包括：电平转换器(level shifter)，所述电平转换器被配置成通过基于所述泵电压调整所述时钟信号的摆幅电平(swing level)来输出控制信号，以及多个单元电路，所述多个单元电路中的每一个单元电路包括被配置成由所述控制信号充电和放电的多个泵浦电容器。

3、根据一示例实施例，一种半导体器件包括：温度补偿电路，所述温度补偿电路被配置成输出基于所述半导体器件的温度确定的与绝对温度成比例(ptat)电流作为补偿电流；电压调节器，所述电压调节器被配置成输出具有基于补偿电流确定的电平的泵电压；时钟生成器，所述时钟生成器被配置成生成具有基于所述补偿电流确定的频率的时钟信号；电平转换器，所述电平转换器被配置成通过基于所述泵电压调整所述时钟信号的摆幅电平来生成控制信号；以及电荷泵，所述电荷泵包括多个单元电路，所述多个单元电路中的每一个单元电路包括被配置成由所述控制信号充电和放电的多个泵浦电容器。所述电平转换器被设置为比所述时钟生成器更靠近所述电荷泵。

4、根据一示例实施例，一种半导体器件包括：电平转换器，所述电平转换器被配置成：接收第一时钟信号、相位与所述第一时钟信号的相位相反的第二时钟信号和泵电压；以及，分别通过基于所述泵电压的电平调整所述第一时钟信号的摆幅电平和所述第二时钟信号的摆幅电平，来输出第一控制信号和第二控制信号；以及电荷泵，所述电荷泵包括多个单元电路，所述多个单元电路中的每一个单元电路包括：至少一个第一泵浦电容器，所述至少一个第一泵浦电容器被配置成由所述第一控制信号充电和放电；以及，至少一个第二泵浦电容器，所述至少一个第二泵浦电容器被配置成由所述第二控制信号充电和放电。所述第一控制信号和所述第二控制信号中的每一者的频率和摆幅电平中的至少一者随着所述半导体器件的温度升高而增大。所述泵电压的所述电平可以是基于所述温度确定的。

技术特征：

1.一种半导体器件，所述半导体器件包括：

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述电压调节器被配置成：

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述时钟生成器被配置成：

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述补偿电流是与温度成比例的与绝对温度成比例电流。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述电荷泵电路包括：

6.根据权利要求5所述的半导体器件，其中，所述多个存储单元中的每一个存储单元是nor闪存单元，

7.根据权利要求5所述的半导体器件，其中，所述多个单元电路包括：

8.根据权利要求5所述的半导体器件，其中，所述正电荷泵包括：

9.根据权利要求5所述的半导体器件，其中，所述外围电路还包括：

10.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述时钟生成器还被配置成生成参考时钟信号，所述参考时钟信号具有与所述温度无关的恒定频率。

11.一种半导体器件，所述半导体器件包括：

12.根据权利要求11所述的半导体器件，其中，所述时钟信号包括相反相位的第一时钟信号和第二时钟信号，

13.根据权利要求12所述的半导体器件，其中，所述多个单元电路中的每一个单元电路包括第一泵浦电容器、第二泵浦电容器和第三泵浦电容器，

14.根据权利要求13所述的半导体器件，其中，所述多个单元电路包括串联连接到所述第一单元电路的第二单元电路，

15.一种半导体器件，所述半导体器件包括：

16.根据权利要求15所述的半导体器件，其中，所述第一控制信号具有与所述第一时钟信号相同的频率和相同的相位，并且

17.根据权利要求15所述的半导体器件，其中，所述多个单元电路中的第一单元电路和第二单元电路中的每一者包括多个第一泵浦电容器和多个第二泵浦电容器，

18.根据权利要求17所述的半导体器件，其中，所述第一单元电路和所述第二单元电路彼此串联连接。

19.根据权利要求15所述的半导体器件，其中，所述第一泵浦电容器和所述第二泵浦电容器中的每一者是金属氧化物半导体电容器。

20.根据权利要求15所述的半导体器件，其中，当所述温度在预定参考范围之内时，所述第一控制信号与所述第一时钟信号相同，并且所述第二控制信号与所述第二时钟信号相同。

技术总结一种半导体器件包括多个存储单元和外围电路，所述外围电路被配置成控制所述多个存储单元。所述外围电路包括：温度补偿电路，所述温度补偿电路被配置成输出基于所述半导体器件的温度确定的补偿电流；电压调节器，所述电压调节器被配置成调节具有基于所述补偿电流确定的电平的泵电压；时钟生成器，所述时钟生成器被配置成生成具有基于所述补偿电流确定的频率的时钟信号；以及电荷泵电路。所述电荷泵电路包括：电平转换器，所述电平转换器被配置成通过基于所述泵电压调整所述时钟信号的摆幅电平来输出控制信号；以及多个单元电路，所述多个单元电路中的每一个单元电路包括被配置成由所述控制信号充电和放电的多个泵浦电容器。技术研发人员：元祥景,辛贤真受保护的技术使用者：三星电子株式会社技术研发日：技术公布日：2024/1/15