半导体存储装置以及存储器系统的制作方法

本发明的实施方式涉及一种半导体存储装置。

背景技术：

1、作为半导体存储装置，已知有nand(not and，与非)型闪速存储器。

技术实现思路

1、实施方式提供一种能够提高处理能力的半导体存储装置。

2、实施方式的半导体存储装置包含：第1及第2平面，分别包含存储单元阵列，该存储单元阵列包含至少能够保存第1及第2数据的多个存储单元；控制电路，以对读出动作及写入动作进行控制的方式构成；以及输入输出电路。第1数据通过与第1读出电压对应的第1读出动作确定。第2数据通过与第2读出电压对应的第2读出动作及与第3读出电压对应的第3读出动作确定。在从外部控制器接收指示第1数据的读出的第1读出命令的情况下，控制电路从第1平面读出第1数据，从第2平面读出第2数据，输入输出电路将从第1平面读出的第1数据与从第2平面读出的第2数据依次输出。在从外部控制器接收指示第2数据的读出的第2读出命令的情况下，控制电路从第1平面读出第2数据，从第2平面读出第1数据，输入输出电路将从第2平面读出的第1数据与从第1平面读出的第2数据依次输出。

技术特征：

1.一种半导体存储装置，其包括：

2.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中

3.根据权利要求2所述的半导体存储装置，其中

4.根据权利要求3所述的半导体存储装置，其中

5.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中

6.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中

7.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中所述输入/输出电路包含：

8.根据权利要求7所述的半导体存储装置，其中

9.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中i等于k，且j等于l。

10.一种操作半导体存储装置的方法，所述半导体存储装置包括：

11.根据权利要求10所述的方法，其中

12.根据权利要求11所述的方法，其中

13.根据权利要求12所述的方法，其中

14.根据权利要求10所述的方法，其中

15.根据权利要求10所述的方法，其进一步包括：

16.根据权利要求10所述的方法，其进一步包括：

17.根据权利要求16所述的方法，其进一步包括：

18.根据权利要求10所述的方法，其中i等于k，且j等于l。

19.一种半导体存储装置，其包括：

20.根据权利要求19所述的半导体存储装置，其进一步包括：

21.根据权利要求20所述的半导体存储装置，其进一步包括：

22.根据权利要求21所述的半导体存储装置，其中

23.根据权利要求22所述的半导体存储装置，其中

24.根据权利要求23所述的半导体存储装置，其进一步包括：

25.根据权利要求24所述的半导体存储装置，其中

26.根据权利要求25所述的半导体存储装置，其中

27.根据权利要求19所述的半导体存储装置，其中

28.根据权利要求19所述的半导体存储装置，其中

29.一种操作半导体存储装置的方法，所述半导体存储装置包括：

30.根据权利要求29所述的方法，其中

31.根据权利要求30所述的方法，其中

32.根据权利要求31所述的方法，其中

33.根据权利要求32所述的方法，其中

34.根据权利要求33所述的方法，其中

35.根据权利要求34所述的方法，其中

36.根据权利要求35所述的方法，其中

37.根据权利要求29所述的方法，其中

38.根据权利要求29所述的方法，其中

技术总结实施方式提供一种能够提高处理能力的半导体存储装置以及存储器系统。根据实施方式，半导体存储装置包含：第1及第2平面(PBP)，分别包含存储单元阵列(20)，该存储单元阵列(20)包含至少能够保存第1及第2数据的多个存储单元；控制电路(16)；以及输入输出电路(10)。第1数据(低页)通过第1读出动作(BR)确定。第2数据(上页)通过第2读出动作(AR)及第3读出动作(CR)确定。在接收到第1读出命令的情况下，控制电路从第1平面读出第1数据，从第2平面读出第2数据。在接收到第2读出命令的情况下，控制电路从第1平面读出第2数据，从第2平面读出第1数据。技术研发人员：菅原昭雄,吉原正浩受保护的技术使用者：铠侠股份有限公司技术研发日：技术公布日：2024/1/15