半导体存储器装置及其操作方法以及操作控制器的方法与流程

本公开涉及电子装置，并且更具体地，涉及用于以提高的速度读取数据的半导体存储器装置和控制器、以及操作半导体存储器装置和控制器的方法。

背景技术：

1、半导体存储器装置可以形成为其中串水平地布置在半导体基板上的二维结构，或者其中串垂直地层叠在半导体基板上的三维结构。三维半导体存储器装置是为了解决二维半导体存储器装置的集成度限制而设计的存储器装置，并且可以包括垂直层叠在半导体基板上的多个存储器单元。

2、控制器可以控制半导体存储器装置的操作。具体来说，响应于从主机接收到的请求，控制器通过向半导体存储器装置发送命令来控制半导体存储器装置以执行与请求相对应的操作。另选地，与来自主机的请求无关，控制器可以控制半导体存储器装置执行诸如垃圾收集之类的内部操作。

技术实现思路

1、根据本公开的实施方式，一种半导体存储器装置包括存储器单元阵列、外围电路和控制逻辑。存储器单元阵列包括多个存储器单元。外围电路对多个存储器单元中的被选存储器单元执行读取操作。控制逻辑响应于从外部装置接收到的读取命令而控制外围电路的读取操作，并基于读取命令的类型确定是否对连接至多个存储器单元的字线执行放电操作。

2、根据本公开的另一实施方式，通过包括多个存储器单元的半导体存储器装置的操作方法，从外部装置接收读取命令，响应于读取命令而从多个存储器单元当中的被选存储器单元读取数据，以及基于读取命令的类型确定是否对连接至多个存储器单元的字线执行放电操作。

3、根据本公开的又一实施方式，通过操作控制器的方法，控制包括多个存储器单元的半导体存储器装置的读取操作。通过操作控制器的方法，向半导体存储器装置发送第一类型读取命令和第二类型读取命令中的一个；从半导体存储器装置接收数据；以及基于向半导体存储器装置发送的读取命令的类型，确定是否向半导体存储器装置发送放电命令。第一类型读取命令控制半导体存储器装置以执行包括字线放电操作的读取操作，并且第二类型读取命令控制半导体存储器装置以执行没有字线放电操作的读取操作。

4、根据本公开的又一实施方式，通过操作控制器的方法，控制包括多个存储器单元的半导体存储器装置的读取操作。通过操作控制器的方法，向半导体存储器装置发送第一类型读取命令；从半导体存储器装置接收第一数据；以及基于对第一数据的纠错操作是否成功，确定是否向半导体存储器装置发送第二类型读取命令。第一类型读取命令控制半导体存储器装置以执行包括字线放电操作的读取操作，并且第二类型读取命令控制半导体存储器装置以执行没有字线放电操作的读取操作。

技术特征：

1.一种半导体存储器装置，该半导体存储器装置包括：

2.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，所述控制逻辑控制所述外围电路，以通过响应于所述读取命令而向所述多条字线施加第一电压来执行沟道初始化操作，通过向所述多条字线当中的连接至所述被选存储器单元的被选字线施加至少一个读取电压来执行阈值电压感测操作，并且通过向所述多条字线施加第二电压来执行字线均衡操作。

3.根据权利要求2所述的半导体存储器装置，其中，响应于确定出所述读取命令是第一类型读取命令，所述控制逻辑控制所述外围电路，以在所述字线均衡操作之后通过向所述多条字线施加电压低于所述第二电压的第三电压来执行字线放电操作。

4.根据权利要求3所述的半导体存储器装置，其中，所述第一电压是电压比所述至少一个读取电压更高的读取通过电压，并且

5.根据权利要求4所述的半导体存储器装置，其中，所述第三电压是接地电压。

6.根据权利要求2所述的半导体存储器装置，其中，所述控制逻辑控制所述外围电路，以在所述阈值电压感测操作期间按照第一读取电压至第n读取电压当中的最低电压到最高电压的顺序向所述被选字线施加所述第一读取电压至所述第n读取电压，其中，n是大于1的自然数。

7.根据权利要求2所述的半导体存储器装置，其中，所述控制逻辑控制所述外围电路，以在所述阈值电压感测操作期间按照第一读取电压至第n读取电压当中的最高电压到最低电压的顺序向所述被选字线施加所述第一读取电压至所述第n读取电压，其中，n是大于1的自然数。

8.根据权利要求2所述的半导体存储器装置，其中，响应于确定出所述读取命令是第二类型读取命令，所述控制逻辑控制所述外围电路，以在所述字线均衡操作之后保持所述多条字线的电压。

9.根据权利要求8所述的半导体存储器装置，其中，响应于在保持所述多条字线的电压的状态下从所述外部装置接收到的放电命令，所述控制逻辑控制所述外围电路，以通过向所述多条字线施加电压比所述第二电压更低的第三电压来执行字线放电操作。

10.一种操作包括多个存储器单元的半导体存储器装置的方法，该方法包括以下步骤：

11.根据权利要求10所述的方法，其中，响应于所述读取命令而从所述多个存储器单元当中的被选存储器单元读取数据的步骤包括以下步骤：

12.根据权利要求11所述的方法，其中，基于所述读取命令的类型确定是否对连接至所述多个存储器单元的字线执行放电操作的步骤包括以下步骤：当所述读取命令是第一类型读取命令时，在所述字线均衡操作之后，通过向所述多条字线施加电压低于所述第二电压的第三电压来执行字线放电操作。

13.根据权利要求12所述的方法，其中，所述第一电压是电压比所述至少一个读取电压更高的读取通过电压，并且

14.根据权利要求13所述的方法，其中，所述第三电压是接地电压。

15.根据权利要求11所述的方法，其中，基于所述读取命令的类型确定是否对连接至所述多个存储器单元的字线执行放电操作的步骤包括以下步骤：当所述读取命令是第二类型读取命令时，在所述字线均衡操作之后，保持所述多条字线的电压。

16.根据权利要求15所述的方法，该方法还包括以下步骤：在保持所述多条字线的电压之后：

17.一种操作控制器的方法，该控制器用于控制包括多个存储器单元的半导体存储器装置的读取操作，该方法包括以下步骤：

18.根据权利要求17所述的方法，其中，基于所述读取命令的类型确定是否向所述半导体存储器装置发送所述放电命令的步骤包括以下步骤：当所述读取命令是所述第二类型读取命令时，向所述半导体存储器装置发送用于控制所述半导体存储器装置执行所述字线放电操作的放电命令。

19.一种操作控制器的方法，该控制器用于控制包括多个存储器单元的半导体存储器装置的读取操作，该方法包括以下步骤：

20.根据权利要求19所述的方法，其中，基于对所述第一数据的纠错操作是否成功来确定是否向所述半导体存储器装置发送所述第二类型读取命令的步骤包括以下步骤：

21.根据权利要求20所述的方法，该方法还包括以下步骤：

22.根据权利要求20所述的方法，该方法还包括以下步骤：

技术总结本申请涉及半导体存储器装置及其操作方法以及操作控制器的方法。一种半导体存储器装置包括存储器单元阵列、外围电路和控制逻辑。存储器单元阵列包括多个存储器单元。外围电路对多个存储器单元中的被选存储器单元执行读取操作。控制逻辑响应于从外部装置接收到的读取命令而控制外围电路的读取操作，并基于读取命令的类型确定是否对连接至多个存储器单元的字线执行放电操作。技术研发人员：安成浩受保护的技术使用者：爱思开海力士有限公司技术研发日：技术公布日：2024/1/16