刷新电路、刷新方法、存储器及存储系统与流程

本技术涉及半导体，涉及但不限于一种刷新电路、刷新方法、存储器及存储系统。

背景技术：

1、随着当今科学技术的不断发展，半导体存储装置的密度不断增加。高数据可靠性、高存取速度以及更小的芯片尺寸成为了半导体存储器发展的重要趋势。然而，存储器单元之间的电磁相互作用对存储器单元的影响增大，使得存储器单元数据丢失的可能性增加。

2、动态随机存取存储器(dynamic random access memory，dram)是一种易失性存储器，其通过存储单元电容器中积累的电荷作为物理信号来存储信息。而存储单元中的电荷可随着时间的推移衰减，因此需要周期性地实行刷新操作，否则存储的数据信息将会丢失。在数据由于电荷的泄漏而丢失之前，可以通过再充电来维持在存储单元中存储的电荷。存储单元中电荷的这种再充电被称为刷新操作，并且在电荷显著丢失之前可以重复执行刷新操作，以重新补充电荷，避免存储数据发生错误。然而，当存储器单元中某一单行地址对应的字线被频繁开启时，会导致相邻地址的电容器在刷新操作到来之前泄露过多的电荷，造成数据错误和数据丢失。

技术实现思路

1、有鉴于此，本技术实施例提供了一种刷新电路、刷新方法、存储器及存储系统。

2、第一方面，本技术实施例提供了一种刷新电路，包括：计数单元，用于对接收的外部脉冲信号进行计数，并响应于行锤刷新命令重置计数值；随机单元，用于在所述计数单元输出所述计数值之前生成第一随机数；第一生成单元，连接所述计数单元和多个所述随机单元，用于获取所述计数单元生成的所述计数值和多个所述随机单元生成的多个所述第一随机数，不同所述随机单元生成的所述第一随机数不同；所述第一生成单元还用于在所述计数值等于任一所述第一随机数时输出采样脉冲；第二生成单元，与所述第一生成单元的输出端连接，用于在接收到所述采样脉冲时获取对应的访问地址，以及基于获取到的至少一个所述访问地址生成行锤地址；刷新单元，用于响应下一所述行锤刷新命令，刷新与所述行锤地址相邻的至少一条行地址。

3、在一些实施例中，所述随机单元还用于基于环境温度调整所述第一随机数的最大随机值。

4、在一些实施例中，所述随机单元包括n个伪随机数单元，每一所述伪随机数单元用于响应于所述行锤刷新命令生成第二随机数；所述随机单元用于基于环境温度将生成的m个所述第二随机数之和输出，以作为所述第一随机数；其中，n≥m≥1；或者，所述随机单元用于基于环境温度将一个所述第二随机数输出，以作为所述第一随机数。

5、在一些实施例中，所述刷新电路还包括：温度检测模块，用于检测所述环境温度；温度标志模块，用于基于所述环境温度输出不同的温度标志信号，不同的所述温度标志信号用于表征所述刷新电路处于不同的所述环境温度；所述随机单元还用于接收所述温度标志信号，以及用于基于所述温度标志信号调整所述第一随机数的最大随机值。

6、在一些实施例中，所述计数单元具有计数最大值，所述计数单元还用于基于所述环境温度调整所述计数最大值。

7、在一些实施例中，所述环境温度包括第一温度区间和第二温度区间，所述计数单元包括：第一计数单元和第二计数单元，所述第一计数单元的所述计数最大值与所述第二计数单元的所述计数最大值不同，所述第一计数单元基于处于所述第一温度区间的所述环境温度使能，所述第二计数单元用于基于处于所述第二温度区间的所述环境温度使能，所述第一计数单元和所述第二计数单元择一对所述外部脉冲信号进行计数，以生成所述计数值。

8、在一些实施例中，所述外部脉冲信号的周期与2k-1的乘积小于行锤刷新的最小周期；所述k为所述随机单元的二进制位数。

9、在一些实施例中，所述随机单元的数量大于或等于3；所述第二生成单元具体用于：基于获取的访问地址中出现频次最高的一个或多个访问地址生成所述行锤地址。

10、在一些实施例中，所述第一生成单元包括：预采样单元，用于输出预采样脉冲，所述预采样脉冲的周期与所述外部脉冲信号的周期一致；采样信号生成单元，用于在所述计数值等于任一所述第一随机数时输出采样信号；采样脉冲生成单元，连接所述预采样单元与所述采样信号生成单元，用于对所述预采样脉冲和所述采样信号进行与运算处理，以输出所述采样脉冲。

11、第二方面，本技术实施例提供了一种刷新方法，包括：对接收的外部脉冲信号进行计数，并响应于行锤刷新命令重置计数值；在输出所述计数值之前生成并输出多个不同的第一随机数；获取所述计数值和多个所述第一随机数；在所述计数值等于任一所述第一随机数时输出采样脉冲；在接收到所述采样脉冲时获取对应的访问地址，以及基于获取到的至少一个所述访问地址生成行锤地址；响应下一所述行锤刷新命令，刷新与所述行锤地址相邻的至少一条行地址。

12、在一些实施例中，所述在输出所述计数值之前生成第一随机数，还包括：基于环境温度调整所述第一随机数的最大随机值。

13、在一些实施例中，所述基于环境温度调整所述第一随机数的最大随机值，包括：响应于所述行锤刷新命令生成n个第二随机数；基于环境温度将生成的m个所述第二随机数之和输出，以作为所述第一随机数；其中，n≥m≥1；或者，基于环境温度将一个所述第二随机数输出，以作为所述第一随机数。

14、在一些实施例中，所述刷新方法还包括：检测所述环境温度；基于所述环境温度输出不同的温度标志信号，不同的所述温度标志信号用于表征不同的所述环境温度；所述基于环境温度调整所述第一随机数的最大随机值包括：基于所述温度标志信号调整所述第一随机数的最大随机值。

15、在一些实施例中，所述刷新方法还包括：基于所述环境温度调整所述计数值的计数最大值。

16、在一些实施例中，所述环境温度包括第一温度区间和第二温度区间；所述对接收的外部脉冲信号进行计数包括：基于处于所述第一温度区间的所述环境温度，对所述外部脉冲信号进行计数，生成第一计数值；基于处于所述第二温度区间的所述环境温度，对所述外部脉冲信号进行计数，生成第二计数值；所述第一计数值和所述第二计数值择一作为所述计数值，所述第一计数值和所述第二计数值的所述计数最大值不同。

17、在一些实施例中，所述外部脉冲信号的周期与2k-1的乘积小于行锤刷新的最小周期；所述k为所述第一随机数的二进制位数。

18、在一些实施例中，所述第一随机数的数量大于或等于3；所述基于获取到的至少一个所述访问地址生成行锤地址，包括：基于获取的访问地址中出现频次最高的一个或多个访问地址生成所述行锤地址。

19、第三方面，本技术实施例提供了一种存储器，包括：存储单元阵列；外围电路，与所述存储单元阵列耦接；所述外围电路包括上述实施例中任一所述的刷新电路。

20、第四方面，本技术实施例提供了一种存储系统，包括：存储器，包括上述实施例中任一所述的刷新电路；控制器，与所述存储器耦接；所述控制器用于控制所述存储器。

21、在本技术实施例提供的刷新电路中，计数单元用于对外部脉冲进行计数生成计数值，多个随机单元用于生成多个不同的第一随机数，第一生成单元在计数值等于任一第一随机数时输出采样脉冲，第二生成单元根据采样脉冲获取访问地址，以生成行锤地址。如此，通过产生多个不同的第一随机数，可以在行锤刷新周期内随机抓取至少一个访问地址，增加了抓取地址的随机性和均匀性，从而提高所生成行锤地址的准确性，以减少行锤效应带来的数据错误和数据丢失。