半导体存储装置的制作方法

本实施方式涉及一种半导体存储装置。

背景技术：

1、具有存储单元阵列的半导体存储装置对存储单元阵列写入数据，或从存储单元阵列读出数据。半导体存储装置中，在写入处理及/或读出处理中实现特定功能。

技术实现思路

1、一实施方式提供一种能容易地使写入处理及/或读出处理多功能化的半导体存储装置。

2、根据一实施方式，提供一种半导体存储装置，其具有第1芯片、第2芯片及第3芯片。第2芯片接合于第1芯片。第3芯片在与第1芯片相反的侧接合于第2芯片。第1芯片具有多个第1导电层、第1半导体膜及第1绝缘膜。多个第1导电层介隔第1绝缘层积层。第1半导体膜通过多个第1导电层在积层方向延伸。第1绝缘膜配置在多个第1导电层与半导体膜之间。在第1芯片中，在多个第1导电层与第1半导体膜交叉的多个交叉位置形成多个存储单元。第2芯片具有多个第2导电层、第2半导体膜及第2绝缘膜。多个第2导电层介隔第2绝缘层积层。第2半导体膜通过多个第2导电层在积层方向上延伸。第2绝缘膜配置在多个第2导电层与半导体膜之间。在第2芯片中，在多个第2导电层与第2半导体膜交叉的多个交叉位置形成多个存储单元。多个第1导电层的积层数与多个第2导电层的积层数互不相同。

3、根据所述构成，能够提供能容易地使写入处理及/或读出处理多功能化的半导体存储装置。

技术特征：

1.一种半导体存储装置，具备：

2.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中所述多个第1导电层的积层数比所述多个第2导电层的积层数多。

3.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中所述多个第1导电层的积层数比所述多个第2导电层的积层数少。

4.一种半导体存储装置，具备：

5.根据权利要求4所述的半导体存储装置，其中所述多个第1导电层的积层间距比所述多个第2导电层的积层间距大。

6.根据权利要求4所述的半导体存储装置，其中所述多个第1导电层的积层间距比所述多个第2导电层的积层间距小。

7.一种半导体存储装置，具备：

8.根据权利要求7所述的半导体存储装置，其中所述第1电荷存储膜的膜厚比所述第2电荷存储膜的膜厚薄。

9.根据权利要求7所述的半导体存储装置，其中所述第1电荷存储膜的膜厚比所述第2电荷存储膜的膜厚厚。

10.一种半导体存储装置，具备：

11.根据权利要求10所述的半导体存储装置，其中所述第3绝缘膜的膜厚比所述第4绝缘膜的膜厚薄。

12.根据权利要求10所述的半导体存储装置，其中所述第3绝缘膜的膜厚比所述第4绝缘膜的膜厚厚。

技术总结根据一实施方式，在半导体存储装置的第1芯片中，多个第1导电层介隔第1绝缘层积层。第1半导体膜通过多个第1导电层在积层方向延伸。在第1芯片中，在多个第1导电层与第1半导体膜交叉的多个交叉位置形成多个存储单元。在第2芯片中，多个第2导电层介隔第2绝缘层积层。第2半导体膜通过多个第2导电层在积层方向延伸。在第2芯片中，在多个第2导电层与第2半导体膜交叉的多个交叉位置形成多个存储单元。多个第1导电层的积层数与多个第2导电层的积层数互不相同。技术研发人员：中塚圭祐,内山泰宏受保护的技术使用者：铠侠股份有限公司技术研发日：技术公布日：2024/1/15