存储器控制方法、存储器存储装置及存储器控制电路单元与流程

本发明涉及一种存储器控制技术，尤其涉及一种存储器控制方法、存储器存储装置及存储器控制电路单元。背景技术：：：1、移动电话与笔记本计算机等可携式电子装置在这几年来的成长十分迅速，使得消费者对存储媒体的需求也急速增加。由于可复写式非易失性存储器模块(rewritable non-volatile memory module)(例如，快闪存储器)具有数据非易失性、省电、体积小，以及无机械结构等特性，所以非常适合内建于上述所举例的各种可携式电子装置中。2、部分类型的存储器存储装置可在闲置超过一个预设时间长度后，自动进入省电模式。由此，可减少存储器存储装置处于闲置状态时的功耗。一般来说，在存储器存储装置出厂前，这个预设时间长度会被设定为一个最佳值，以尽可能在存储器存储装置出厂后，在存储器存储装置的效能与功耗之间取得平衡。然而，实务上，无论此预设时间长度在存储器存储装置出厂前如何进行最佳化，一旦存储器存储装置的工作状态发生变化，存储器存储装置的效能与功耗之间的平衡很容易就会被打破(例如存储器存储装置的效能大幅下降或存储器存储装置的功耗大幅上升)，从而影响用户体验。技术实现思路1、本发明提供一种存储器控制方法、存储器存储装置及存储器控制电路单元，可改善上述问题。2、本发明的范例实施例提供一种存储器控制方法，其用于存储器存储装置。所述存储器控制方法包括：检测所述存储器存储装置的状态；以及根据所述存储器存储装置的所述状态调整所述存储器存储装置的操作模式，其中所述操作模式包括第一操作模式与第二操作模式，在所述第一操作模式中，所述存储器存储装置进入省电模式之前的第一等待时间长于在所述第二操作模式中，所述存储器存储装置进入所述省电模式之前的第二等待时间。3、在本发明的范例实施例中，所述第二等待时间为零。4、在本发明的范例实施例中，根据所述存储器存储装置的所述状态调整所述存储器存储装置的所述操作模式的步骤包括：根据所述存储器存储装置的所述状态更新参考值，其中所述参考值与所述存储器存储装置在目标时间范围内的效能有关；以及根据所述参考值调整所述存储器存储装置的所述操作模式。5、在本发明的范例实施例中，根据所述存储器存储装置的所述状态更新所述参考值的步骤包括：根据所述存储器存储装置在所述目标时间范围内的写入数据量、读取数据量及接口传输数据量的至少其中之一更新所述参考值。6、在本发明的范例实施例中，根据所述存储器存储装置在所述目标时间范围内的所述写入数据量、所述读取数据量及所述接口传输数据量的所述至少其中之一更新所述参考值的步骤包括：根据所述存储器存储装置在所述目标时间范围内的所述写入数据量、所述读取数据量及所述接口传输数据量的所述至少其中之一获得至少一效能评估参数；响应于所述至少一效能评估参数中的第一效能评估参数符合第一更新条件，将所述参考值加上第一调整值；以及响应于所述第一效能评估参数符合第二更新条件，将所述参考值减去第二调整值，其中所述第一更新条件不同于所述第二更新条件。7、在本发明的范例实施例中，根据所述参考值调整所述存储器存储装置的所述操作模式的步骤包括：响应于所述参考值符合第一触发条件，将所述存储器存储装置的所述操作模式设定为所述第一操作模式；以及响应于所述参考值符合第二触发条件，将所述存储器存储装置的所述操作模式设定为所述第二操作模式，其中所述第一触发条件不同于所述第二触发条件。8、在本发明的范例实施例中，在所述省电模式中，所述存储器存储装置有能力保存存储于缓冲存储器中的数据。9、在本发明的范例实施例中，在所述第一操作模式中进入的所述省电模式相同于在所述第二操作模式中进入的所述省电模式。10、本发明的范例实施例另提供一种存储器存储装置，其包括连接接口单元、可复写式非易失性存储器模块及存储器控制电路单元。所述连接接口单元用以连接至主机系统。所述存储器控制电路单元连接至所述连接接口单元与所述可复写式非易失性存储器模块。所述存储器控制电路单元用以：检测所述存储器存储装置的状态；以及根据所述存储器存储装置的所述状态调整所述存储器存储装置的操作模式，其中所述操作模式包括第一操作模式与第二操作模式，在所述第一操作模式中，所述存储器存储装置进入省电模式之前的第一等待时间长于在所述第二操作模式中，所述存储器存储装置进入所述省电模式之前的第二等待时间。11、在本发明的范例实施例中，所述存储器控制电路单元根据所述存储器存储装置的所述状态调整所述存储器存储装置的所述操作模式的操作包括：根据所述存储器存储装置的所述状态更新参考值，其中所述参考值与所述存储器存储装置在目标时间范围内的效能有关；以及根据所述参考值调整所述存储器存储装置的所述操作模式。12、在本发明的范例实施例中，所述存储器控制电路单元根据所述存储器存储装置的所述状态更新所述参考值的操作包括：根据所述存储器存储装置在所述目标时间范围内的写入数据量、读取数据量及接口传输数据量的至少其中之一更新所述参考值。13、在本发明的范例实施例中，所述存储器控制电路单元根据所述存储器存储装置在所述目标时间范围内的所述写入数据量、所述读取数据量及所述接口传输数据量的所述至少其中之一更新所述参考值的操作包括：根据所述存储器存储装置在所述目标时间范围内的所述写入数据量、所述读取数据量及所述接口传输数据量的所述至少其中之一获得至少一效能评估参数；响应于所述至少一效能评估参数中的第一效能评估参数符合第一更新条件，将所述参考值加上第一调整值；以及响应于所述第一效能评估参数符合第二更新条件，将所述参考值减去第二调整值，其中所述第一更新条件不同于所述第二更新条件。14、在本发明的范例实施例中，所述存储器控制电路单元根据所述参考值调整所述存储器存储装置的所述操作模式的操作包括：响应于所述参考值符合第一触发条件，将所述存储器存储装置的所述操作模式设定为所述第一操作模式；以及响应于所述参考值符合第二触发条件，将所述存储器存储装置的所述操作模式设定为所述第二操作模式，其中所述第一触发条件不同于所述第二触发条件。15、本发明的范例实施例另提供一种存储器控制电路单元，其用以控制可复写式非易失性存储器模块。所述存储器控制电路单元包括主机接口、存储器接口及存储器管理电路。所述主机接口用以连接至主机系统。所述存储器接口用以连接至所述可复写式非易失性存储器模块。所述存储器管理电路连接至所述主机接口与所述存储器接口。所述存储器管理电路用以：检测所述存储器存储装置的状态；以及根据所述存储器存储装置的所述状态调整所述存储器存储装置的操作模式，其中所述操作模式包括第一操作模式与第二操作模式，在所述第一操作模式中，所述存储器存储装置进入省电模式之前的第一等待时间长于在所述第二操作模式中，所述存储器存储装置进入所述省电模式之前的第二等待时间。16、在本发明的范例实施例中，所述存储器管理电路根据所述存储器存储装置的所述状态调整所述存储器存储装置的所述操作模式的操作包括：根据所述存储器存储装置的所述状态更新参考值，其中所述参考值与所述存储器存储装置在目标时间范围内的效能有关；以及根据所述参考值调整所述存储器存储装置的所述操作模式。17、在本发明的范例实施例中，所述存储器管理电路根据所述存储器存储装置的所述状态更新所述参考值的操作包括：根据所述存储器存储装置在所述目标时间范围内的写入数据量、读取数据量及接口传输数据量的至少其中之一更新所述参考值。18、在本发明的范例实施例中，所述存储器管理电路根据所述存储器存储装置在所述目标时间范围内的所述写入数据量、所述读取数据量及所述接口传输数据量的所述至少其中之一更新所述参考值的操作包括：根据所述存储器存储装置在所述目标时间范围内的所述写入数据量、所述读取数据量及所述接口传输数据量的所述至少其中之一获得至少一效能评估参数；响应于所述至少一效能评估参数中的第一效能评估参数符合第一更新条件，将所述参考值加上第一调整值；以及响应于所述第一效能评估参数符合第二更新条件，将所述参考值减去第二调整值，其中所述第一更新条件不同于所述第二更新条件。19、在本发明的范例实施例中，所述存储器管理电路根据所述参考值调整所述存储器存储装置的所述操作模式的操作包括：响应于所述参考值符合第一触发条件，将所述存储器存储装置的所述操作模式设定为所述第一操作模式；以及响应于所述参考值符合第二触发条件，将所述存储器存储装置的所述操作模式设定为所述第二操作模式，其中所述第一触发条件不同于所述第二触发条件。20、基于上述，通过动态决定将存储器存储装置操作于第一操作模式或第二操作模式，存储器存储装置进入省电模式之前的等待时间可被动态调整。由此，可在尽可能不影响存储器存储装置的效能的前提下，进一步降低存储器存储装置的功耗。当前第1页12当前第1页12