存储器设备和操作该存储器设备的方法与流程

本公开总体上涉及一种存储器设备和该存储器设备的操作方法，并且更具体地，涉及一种被配置为执行编程、读取或擦除操作的存储器设备以及该存储器设备的操作方法。

背景技术：

1、存储器设备可以包括：存储器单元阵列，存储有数据；外围电路，被配置为编程或读取存储器单元阵列中的数据或擦除存储器单元阵列中的数据；以及控制电路，被配置为控制外围电路。

2、存储器单元阵列可以包括多个平面。多个平面中的每一个可以包括多个存储器块，并且多个存储器块中的每一个可以包括多个存储器单元。

3、外围电路可以被配置为在控制电路的控制下对存储器设备中包括的存储器块之中的被选择的存储器块执行编程、读取或擦除操作。

4、控制电路可以被配置为响应于从外部控制器输出的命令和地址而控制外围电路。例如，控制电路可以响应于编程命令和地址而控制外围电路以在被选择的存储器块中执行编程操作，响应于读取命令和地址而控制外围电路以执行被选择的存储器块的读取操作或者响应于擦除命令和地址而控制外围电路以擦除被选择的存储器块。

5、外围电路可以通过位线和局部线而连接到存储器单元阵列，并且通过调整施加到位线和局部线的电压来执行编程、读取或擦除操作。

6、当存储器设备的集成度增加时，存储器单元阵列中包括的存储器单元的数目增加。因此，将存储器单元和外围电路彼此连接的位线和局部线的数目或长度也增加。当构成存储器设备的物理结构的数目或长度如上所述地增加时，在编程、读取或擦除操作中可能发生电延迟。由于电延迟，在存储器设备中执行编程、读取或擦除操作所需的时间可能增加，并且存储器设备的可靠性可能劣化。

技术实现思路

1、一些实施例提供了一种能够根据外围电路中包括的行解码器与位线之间的距离来调整施加到位线的电压的存储器设备以及该存储器设备的操作方法。

2、根据本公开的一个方面，提供了一种存储器设备，包括：电压生成器，被配置为生成操作电压；行解码器，被配置为通过局部线向存储器块发送操作电压；页缓冲器，通过位线被连接到存储器块，页缓冲器被配置为响应于页缓冲器控制信号而向位线施加电压；以及页缓冲器控制电路，被配置为通过根据位线离行解码器的距离而调整电压电平和电压被施加到位线的时间来输出页缓冲器控制信号。

3、根据本公开的另一方面，提供了一种操作存储器设备的方法，该方法包括：将擦除允许电压施加到字线；将擦除电压施加到位线；以及将导通电压施加到字线与位线之间的第一选择线，其中，随着位线离行解码器的距离变得更近，被施加到位线的擦除电压的增加速度变得相对较低，其中行解码器将擦除允许电压施加到字线，并且将导通电压施加到第一选择线。

4、根据本公开的另一方面，提供了一种操作存储器设备的方法，该方法包括：将读取电压施加到字线之中的被选择的字线；将通过电压施加到字线之中的未被选择的字线；将预充电电压施加到位线；以及将导通电压施加到字线与位线之间的第一选择线，其中随着位线离行解码器的距离变得更近，被施加到位线的预充电电压的电平变得更低，其中行解码器将读取电压和通过电压施加到字线，并且将导通电压施加到第一选择线。

5、根据本公开的另一方面，提供了一种操作存储器设备的方法，该方法包括：将编程电压施加到字线之中的被选择的字线；将通过电压施加到字线之中的未被选择的字线；将编程允许电压施加到位线之中的被选择的位线；将编程禁止电压施加到位线之中的未被选择的位线；以及将导通电压施加到字线与位线之间的第一选择线，其中随着位线离行解码器的距离变得更近，编程允许电压变得更低并且编程禁止电压变得更高，其中行解码器将编程电压和通过电压施加到字线并且将导通电压施加到第一选择线。

技术特征：

1.一种存储器设备，包括：

2.根据权利要求1所述的存储器设备，其中所述电压生成器被配置为生成编程电压、通过电压、验证电压、读取电压及擦除电压作为所述操作电压。

3.根据权利要求1所述的存储器设备，其中所述行解码器通过全局线被连接到所述电压生成器，并且被配置为响应于行地址而将所述操作电压发送到所述局部线。

4.根据权利要求3所述的存储器设备，其中所述行解码器包括：

5.根据权利要求1所述的存储器设备，其中所述页缓冲器中的每个页缓冲器包括：

6.根据权利要求5所述的存储器设备，其中所述开关的导通电平根据所述感测信号的电压电平而变化。

7.根据权利要求5所述的存储器设备，其中所述开关被配置为根据所述感测信号的电压电平来改变被施加到所述位线的所述预充电电压或所述擦除电压的电平。

8.根据权利要求5所述的存储器设备，其中所述页缓冲器控制电路包括：

9.根据权利要求8所述的存储器设备，其中所述感测信号控制器包括：

10.根据权利要求9所述的存储器设备，其中，在擦除操作中，

11.根据权利要求10所述的存储器设备，其中，当感测信号被输出时，所述第一电压生成电路被配置为将所述感测信号的电平增加到目标电平。

12.根据权利要求9所述的存储器设备，其中，在擦除操作中，

13.根据权利要求9所述的存储器设备，其中，在读取操作中，

14.根据权利要求8所述的存储器设备，其中，在编程操作中，

15.根据权利要求14所述的存储器设备，其中所述页缓冲器之中被连接到被选择的串的页缓冲器响应于所述负信号而将所述编程允许电压施加到所述位线，并且

16.一种操作存储器设备的方法，所述方法包括：

17.根据权利要求16所述的方法，其中，当所述擦除电压被施加到所述位线时，所述擦除电压被施加到源极线，并且所述导通电压被施加到所述字线与所述源极线之间的第二选择线。

18.根据权利要求16所述的方法，其中随着所述行解码器与所述位线之间的距离变得更近，所述擦除电压增加的梯度变得更低。

19.根据权利要求16所述的方法，其中，随着所述行解码器与所述位线之间的距离变得更近，所述擦除电压被施加到所述位线的时间变得更晚。

20.根据权利要求19所述的方法，其中被施加到所述位线的所述擦除电压的电平相同。

21.一种操作存储器设备的方法，所述方法包括：

22.一种操作存储器设备的方法，所述方法包括：

23.根据权利要求22所述的方法，其中所述编程允许电压在0v与负电压之间被调整，并且

技术总结本公开的实施例涉及存储器设备和操作该存储器设备的方法。存储器设备和该存储器设备的操作方法，包括：电压生成器，用于生成操作电压；以及行解码器，用于通过局部线而将操作电压发送到存储器块。存储器设备还包括通过位线被连接到存储器块的页缓冲器，该页缓冲器响应于页缓冲器控制信号而向位线施加电压。存储器设备还包括用于通过根据位线离行解码器的距离而调整电压的电平和电压被施加到位线的时间来输出页缓冲器控制信号的页缓冲器控制电路。技术研发人员：全南喆受保护的技术使用者：爱思开海力士有限公司技术研发日：技术公布日：2024/1/15