具有唯一存储容量的存储器管芯的制作方法

1.本公开整体涉及存储器设备，并且更具体地涉及被配置为在每存储器单元多位模式下操作的存储器设备。2.相关领域半导体存储器广泛用于各种电子设备，诸如蜂窝电话、数码相机、个人数字助理、医疗电子器件、移动计算设备、服务器、固态驱动器、非移动计算设备和其他设备。半导体存储器可以包括非易失性存储器或易失性存储器。即使当非易失性存储器未连接到电源(例如，电池)时，该非易失性存储器也允许存储和保留信息。此类非易失性存储器设备通常包括一个或多个存储器管芯，该一个或多个存储器管芯包括cmos晶圆和具有多个存储器单元的阵列晶圆，该cmos晶圆包含用于在存储器块中对存储器单元进行编程、读取以及擦除的电子部件。随着技术的进步，阵列晶圆尺寸正在以比cmos晶圆尺寸快的速率下降。存储器产品在传统上具有二进制容量，例如，256gb、512gb、1tb、2tb等。换句话讲，以千兆字节、兆兆字节等为单位测量，许多存储器产品的容量在传统上为2n，其中n为0或正整数。类似地，那些存储器产品中存在的存储器管芯在传统上具有二进制容量，但是以千兆字节、兆兆字节等为单位测量(例如，256gb、512gb、1tb、2tb等)。

背景技术：

技术实现思路

1、本公开的一个方面涉及一种包括多个存储器块的存储器管芯。每个存储器块包括多个存储器单元，该多个存储器单元被配置为在存储器管芯处于tlc操作模式下时在每个存储器单元中存储三位数据。存储器管芯在于tlc操作模式下操作时具有非二进制数据容量。

2、根据本公开的另一方面，存储器管芯在于tlc操作模式下操作时的非二进制数据容量是六百八十三千兆比特(683gb)的倍数。

3、根据本公开的又一方面，存储器管芯在于tlc操作模式下操作时的非二进制数据容量是六百八十三千兆比特(683gb)。

4、根据本公开的又一方面，多个存储器块包括主块和扩展块，该主块对存储器管芯在于tlc操作模式下操作时的非二进制数据容量有贡献，该扩展块对存储器管芯在于tlc操作模式下操作时的非二进制数据容量没有贡献。

5、根据本公开的另一方面，存储器管芯能够被配置用于在qlc操作模式下操作，并且存储器管芯在于qlc操作模式下操作时具有二进制数据容量。

6、根据本公开的又一方面，在存储器管芯处于tlc操作模式时，多个存储器块包括对非二进制数据容量有贡献的第一多个主块和对非二进制数据容量没有贡献的多个扩展块，并且在存储器管芯处于qlc操作模式时，多个存储器块包括对二进制数据容量有贡献的第二多个主块。该第二多个主块大于第一多个主块。

7、根据本公开的又一方面，第一多个主块不大于多个存储器块的百分之八十。

8、根据本公开的另一方面，存储器管芯还包括与包括多个存储器块的阵列层重叠的cmos层。

9、本公开的另一方面涉及一种存储器设备，该存储器设备包括多个存储器管芯，该多个存储器管芯各自包括具有存储器单元的多个存储器块，该存储器单元被配置为在存储器设备在tlc操作模式下操作时在每个存储器单元中存储三位数据。当在tlc操作模式下操作时，存储器管芯中的每个存储器管芯具有非二进制数据容量，并且存储器管芯组合以为存储器设备提供二进制数据容量。

10、根据本公开的另一方面，存储器管芯在于tlc操作模式下操作时的非二进制数据容量是六百八十三千兆比特(683gb)的倍数。

11、根据本公开的又一方面，存储器管芯在于tlc操作模式下操作时的非二进制数据容量是六百八十三千兆比特(683gb)。

12、根据本公开的又一方面，存储器管芯中的每个存储器管芯中的多个存储器块包括主块和扩展块，该主块对存储器管芯在于tlc操作模式下操作时的非二进制数据容量有贡献，该扩展块对存储器管芯在于tlc操作模式下操作时的非二进制数据容量没有贡献。

13、根据本公开的另一方面，存储器管芯能够被配置用于在qlc操作模式下操作，并且存储器管芯在于qlc操作模式下操作时具有二进制数据容量。

14、根据本公开的又一方面，在存储器管芯处于tlc操作模式时，多个存储器块包括对非二进制数据容量有贡献的第一组主块，并且在存储器管芯处于qlc操作模式时，多个存储器块包括对二进制数据容量有贡献的第二组主块。该第二多个主块大于第一多个主块。

15、根据本公开的又一方面，第一多个主块不大于多个存储器块的百分之八十。

16、根据本公开的另一方面，存储器管芯中的每个存储器管芯包括具有多个存储器块的阵列层和与该阵列层重叠的cmos层。

17、本公开的又一方面涉及一种制造多个存储器设备的方法。该方法包括形成多个阵列层的步骤。阵列层中的每个阵列层包括布置在多个存储器块中的多个存储器单元。该方法继续步骤：将阵列层与多个cmos层接合以形成多个存储器管芯，该多个cmos层包括用于对多个存储器单元进行编程、读取以及擦除的电子部件。该方法继续将多个存储器管芯中的第一组配置为在tlc操作模式下操作并具有非二进制数据容量的步骤。该方法继续将多个存储器管芯中的第二组配置为在qlc操作模式下操作并具有二进制数据容量的步骤。

18、根据本公开的另一方面，第一组存储器管芯中的每个存储器管芯的非二进制数据容量为683gb的倍数。

19、根据本公开的又一方面，第一组存储器管芯中的每个存储器管芯的非二进制数据容量为683gb。

20、根据本公开的又一方面，第二组存储器管芯中的每个存储器管芯的二进制数据容量是1tb。

21、根据本公开的另一方面，该方法还包括将第一组存储器管芯中的多个存储器管芯组合成具有二进制数据容量的单个存储器设备的步骤。

22、本公开的又一方面涉及一种包括多个存储器块的存储器管芯。每个存储器块包括多个存储器单元。多个存储器块包括对存储器管芯的数据容量有贡献的多个主存储器块和对存储器块的数据容量没有贡献的多个扩展块。存储器管芯的数据容量是非二进制量。

23、根据本公开的另一方面，多个存储器单元被配置为每个存储器单元存储三位数据。

24、根据本公开的又一方面，存储器管芯的非二进制数据容量为683gb的倍数。

25、根据本公开的又一方面，存储器管芯的非二进制数据容量为683gb。

26、本公开的又一方面涉及一种操作存储器设备的方法。该方法包括制备包括至少一个存储器管芯的存储器设备的步骤。存储器管芯包括多个存储器块并具有为非二进制量的最大数据容量。该方法还包括将存储器管芯的存储器单元编程为最大数据容量的步骤。

27、根据本公开的另一方面，多个存储器单元被配置为每个存储器单元存储三位数据。

28、根据本公开的又一方面，最大数据容量为683gb的倍数。

29、根据本公开的又一方面，最大数据容量为683gb。

30、本公开的又一方面涉及一种包括多个存储器块的存储器管芯。每个存储器块包括多个存储器单元，该多个存储器单元被配置为在存储器管芯处于tlc操作模式下时在每个存储器单元中存储三位数据。存储器管芯在于tlc操作模式下操作时具有为683gb的数据容量。