读出电路及存储系统

本发明涉及读出电路和存储系统。

背景技术：

1、近年来，nand闪存等大容量的非易失性半导体存储器被用作内置于存储卡、ssd(solid state drive：固态硬盘)等存储介质中的存储元件。因为能够在半导体存储器中同时读出多个存储单元的数据，所以，随着同时读出的存储单元的数量的增加，功耗有增大的趋势，其结果，会给系统设计带来问题。以往，已知有在nand闪存中防止漏电流来实现低功耗化的技术(参见下述专利文献1、2)，以及在使用复数个nand闪存的芯片的情况下实现低功耗化的技术(参见下述非专利文献1)等。

2、现有技术文献

3、专利文献

4、专利文献1：日本特开2011-76678号公报

5、专利文献1：日本特开2004-362695号公报

6、非专利文献

7、c.siauetal.，“a 512gb 3-bit/cell 3d flash memory on128-wordline-layerwith 132mb/s write performance featuring circuit-under-array technology”、2019ieee international solid-state circuits conference、2019.

技术实现思路

1、发明要解决的问题

2、最近，随着大容量化，半导体存储器的功耗降低变得越来越重要。在如上所述的现有技术中，在削减从存储单元读出数据的操作本身所消耗的功耗这一观点上尚有改善的余地。

3、本发明是鉴于上述课题而完成的，其目的在于，提供一种能够有效地降低从存储单元读出数据的操作的功耗的读出电路及存储系统。

4、用于解决问题的手段

5、为了解决上述问题，本发明的一个方式的读出电路，从具有复数个位线的存储阵列读出数据，位线是电连接复数个存储单元的线状的布线部，其中，读出电路具有：第一放大部，具有读出线，在执行数据的读出操作时，经由读出线，对位线充电之后，在读出线上的传感器节点的电压中放大位线的电信号，读出线是与位线电连接的线状的布线部；以及第二放大部，输出判断信号，判断信号根据传感器节点的电压，对存储于连接位线且在执行数据的读出操作时选出的存储单元的数据进行判断而得到，第一放大部包括：第一开关元件，电连接于位线与读出线之间，根据位线的电信号进行导通/断开；以及第二开关元件，导通/断开电源与读出线之间的连接，第二开关元件根据来自具有第一电压的第一电源的供电对位线充电，第一开关元件根据来自具有第二电压的第二电源的供电进行导通/断开，第二电压高于第一电压。

6、或者，本发明的其他方式的存储系统，具有：所述的读出电路；以及存储阵列，包括经由复数个位线与读出电路电连接的复数个所述存储单元。

7、发明的效果

8、根据上述一个方式或上述其他方式，在从与位线电连接的复数个存储单元中被选出的存储单元读出数据时，通过第一放大部，根据来自具有第一电压的第一电源的供电，经由读出线对位线进行充电。此外，由第一放大部在读出线上的读出节点处放大位线的电信号。进而，由第二放大部判断存储于根据读出节点的电压选出的存储单元的数据，并作为判断信号输出。此时，用于位线的充电的第一电源的电压低于用于导通/断开位线与读出线之间的连接的电源的电压，所以，能够在变为可判断存储单元的数据的存储状态前降低对位线进行充电时所消耗的功耗。其结果，能够有效地降低从存储单元读出数据的操作的功耗。

9、根据本发明，能够有效地降低从存储单元读出数据的操作的功耗。

技术特征：

1.一种读出电路，从具有复数个位线的存储阵列读出数据，所述位线是电连接复数个存储单元的线状的布线部，其中，

2.根据权利要求1所述的读出电路，其中，

3.根据权利要求1所述的读出电路，其中，

4.根据权利要求2所述的读出电路，其中，

5.根据权利要求1所述的读出电路，其中，

6.根据权利要求1至5中任一项所述的读出电路，其中，

7.根据权利要求6所述的读出电路，其中，

8.一种存储系统，其中，

技术总结控制电路(13)是从具有与存储单元(MC)电连接的位线(BL)的存储阵列(11)读出数据的电路，具有：放大部(33)，其具有与位线(BL)电连接的读出线(RL)，在执行数据的读出操作时，经由读出线(RL)，对位线(BL)充电之后，在读出线(RL)上的传感器节点(SN)中放大位线(BL)的电信号；逆变器(35)，根据传感器节点(SN)的电压，对与该位线(BL)连接且存储于执行数据的读出操作时选出的存储单元(MC)的数据进行判断，放大部(33)包括开关元件(29)、(31)，开关元件(31)根据来自具有第一电压(VDDQ)的第一电源的供电对位线充电，开关元件(29)根据来自具有高于第一电压(VDDQ)的第二电压(VDD)的第二电源的供电执行导通/断开。技术研发人员：丹泽彻受保护的技术使用者：国立大学法人静冈大学技术研发日：技术公布日：2024/2/6