一种高寿命的嵌入式存储芯片的制作方法

本技术涉及存储芯片，具体为一种高寿命的嵌入式存储芯片。

背景技术：

1、存储芯片是指集尘电路中用来存储数据的芯片，也是嵌入式系统芯片的概念在存储行业的具体应用，嵌入式存储芯片是指被嵌入到电子产品中的芯片，而嵌入式存储芯片在生产后投入使用中是具有寿命限制的。

2、现有的嵌入式存储芯片电子在运动中是有着动能的，称为“电子迁移”，电子的流动撞击了金属原子，导致金属表面变得凹凸不平，同时持续高温使用，也会影响嵌入式存储芯片电子的使用寿命；且在对存储芯片进行安装时，通常是直接卡在pcb板上，安装的不够稳定，容易影响芯片的使用，为此我们提出了一种高寿命的嵌入式存储芯片。

技术实现思路

1、本实用新型的目的在于提供一种高寿命的嵌入式存储芯片，以解决上述背景技术中提出了现有的嵌入式存储芯片电子在运动中是有着动能的，称为“电子迁移”，电子的流动撞击了金属原子，导致金属表面变得凹凸不平，同时持续高温使用；且在对存储芯片进行安装时，通常是直接卡在pcb板上，安装的不够稳定的问题。

2、为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：一种高寿命的嵌入式存储芯片，包括芯体、底板和电路板，所述底板位于所述芯体的下方，所述电路板位于所述底板的下方，所述芯体的底部粘接有连接棉，所述底板的左右侧前后两侧固定连接有连接块，所述电路板的顶部中间开有卡槽，所述电路板的底部中间开有散热孔，且呈均匀分布。

3、作为上述技术方案的进一步描述：

4、所述连接棉采用铜箔异形海绵材质制成。

5、作为上述技术方案的进一步描述：

6、所述底板采用铝合金材质制成。

7、作为上述技术方案的进一步描述：

8、所述连接块的内腔顶部中间开有安装孔。

9、作为上述技术方案的进一步描述：

10、所述连接块依次卡接在所述卡槽的内腔中间。

11、作为上述技术方案的进一步描述：

12、所述卡槽的形状呈工字形形状。

13、与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：

14、1、该高寿命的嵌入式存储芯片，通过增设的连接棉、底板和散热孔，可以通过连接棉采用的铜箔异形海绵材质，具有疏松有弹性，能够很好地进行散热和便于芯体的电子运动时减少与pcb板固定连接产生的冲击，同时底板采用的铝合金材质具有良好的散热效果，配合多个散热孔可以增强底板的散热作用，使得嵌入式存储芯片电子在使用时时产生的动能进行缓冲，也可以有效避免持续高温使用而影响嵌入式存储芯片电子的使用寿命。

15、2、该高寿命的嵌入式存储芯片，通过增设的底板、连接块和开设的安装孔与卡槽，可以通过底板上的多个连接块卡在卡槽内部，采用工字形形状的卡槽对连接块的连接，使得底板上的芯片与电路板的连接更加稳定不易脱落，配合安装孔的增设可以使得连接块与卡槽的连接更加紧密稳定，使得在对存储芯片进行安装时，能够对芯片进行紧密安装连接，使其安装的更加稳定容易，不易影响芯片的使用。

技术特征：

1.一种高寿命的嵌入式存储芯片，其特征在于：包括芯体(100)、底板(200)和电路板(300)，所述底板(200)位于所述芯体(100)的下方，所述电路板(300)位于所述底板(200)的下方，所述芯体(100)的底部粘接有连接棉(110)，所述底板(200)的左右侧前后两侧固定连接有连接块(210)，所述电路板(300)的顶部中间开有卡槽(310)，所述电路板(300)的底部中间开有散热孔(320)，且呈均匀分布。

2.根据权利要求1所述的一种高寿命的嵌入式存储芯片，其特征在于：所述连接棉(110)采用铜箔异形海绵材质制成。

3.根据权利要求1所述的一种高寿命的嵌入式存储芯片，其特征在于：所述底板(200)采用铝合金材质制成。

4.根据权利要求1所述的一种高寿命的嵌入式存储芯片，其特征在于：所述连接块(210)的内腔顶部中间开有安装孔(220)。

5.根据权利要求1所述的一种高寿命的嵌入式存储芯片，其特征在于：所述连接块(210)依次卡接在所述卡槽(310)的内腔中间。

6.根据权利要求1所述的一种高寿命的嵌入式存储芯片，其特征在于：所述卡槽(310)的形状呈工字形形状。

技术总结本技术公开了存储芯片技术领域的一种高寿命的嵌入式存储芯片，包括芯体、底板和电路板，所述底板位于所述芯体的下方，所述电路板位于所述底板的下方，所述芯体的底部粘接有连接棉，所述底板的左右侧前后两侧固定连接有连接块，所述电路板的顶部中间开有卡槽，所述电路板的底部中间开有散热孔，且呈均匀分布，该高寿命的嵌入式存储芯片，结构设计合理，使得嵌入式存储芯片电子在使用时时产生的动能进行缓冲，也可以有效避免持续高温使用而影响嵌入式存储芯片电子的使用寿命；使得在对存储芯片进行安装时，能够对芯片进行紧密安装连接，使其安装的更加稳定容易，不易影响芯片的使用。技术研发人员：董育均,吉净,许琪,龚国栋,刘斌受保护的技术使用者：湖南酷牛存储科技有限公司技术研发日：20230719技术公布日：2024/3/11