用于改善相邻字线干扰的双向感测方案的制作方法

本申请涉及非易失性存储器装置和非易失性存储器装置的操作。

背景技术：

1、本节段提供与本公开相关联的技术相关的背景信息，并且由此不一定为现有技术。

2、半导体存储器装置已经变得越来越普遍用于各种电子设备。例如，非易失性半导体存储器用于蜂窝电话、数字相机、个人数字助理、移动计算设备、非移动计算设备以及其他设备。

3、电荷存储材料(诸如浮栅)或电荷俘获材料可用于此类存储器装置中以存储表示数据状态的电荷。电荷俘获材料可以被垂直布置在三维(3d)堆叠的存储器结构中，或者被水平布置在二维(2d)存储器结构中。3d存储器结构的一个示例是位成本可扩展(bics)体系结构，该体系结构包括交替的导电层和介电层的堆叠。

技术实现思路

1、本节段提供了本公开的一般概述，并且不是其全部范围或其所有特征和优点的全面公开。

2、本公开的目的是提供解决和克服本文所述的缺点的存储器装置和操作该存储器装置的方法。

3、因此，本公开的一个方面是一种存储设备，该存储设备包括：非易失性存储器，该非易失性存储器包括控制电路和使用一组字线和一组位线形成的存储器单元阵列；和控制器，该控制器耦接到该非易失性存储器。该控制器被配置为：按正序编程序列对第一子块执行编程操作；使用反向感测方案对该第一子块执行感测操作；按倒序编程序列对第二子块执行编程操作；以及使用常规感测方案对该第二子块执行感测操作。

4、因此，本公开的另一个方面是一种操作非易失性半导体存储器设备的方法，其中该非易失性半导体存储器设备包括被划分为多个子块的n个字线的块，并且该多个子块包括该n个字线的块的第一子集的第一子块和该n个字线的块的第二子集的第二子块。该方法包括：按正序编程序列对该第一子块执行编程操作；使用反向感测方案对该第一子块执行感测操作；按倒序编程序列对该第二子块执行编程操作；以及使用常规感测方案对该第二子块执行感测操作。

5、因此，本公开的另一个方面是一种装置，该装置包括：用于按正序编程序列对非易失性存储器的块的第一子块执行编程操作的装置；用于使用反向感测方案对该第一子块执行感测操作的装置；用于按倒序编程序列对该块的第二子块执行编程操作的装置；以及用于使用常规感测方案对该第二子块执行感测操作的装置。

6、根据本文提供的描述，另外的适用领域将变得显而易见。本技术实现要素：中的描述和具体示例仅旨在用于例证的目的，并非旨在限制本发明的范围。

技术特征：

1.一种存储设备，所述存储设备包括：

2.根据权利要求1所述的存储设备，其中，所述第一子块是所述块的上层子块。

3.根据权利要求1所述的存储设备，其中，所述第二子块是所述块的下层子块。

4.根据权利要求1所述的存储设备，其中，所述多个子块包括所述n个字线的块的第三子集的第三子块，并且所述控制电路还被配置为：

5.根据权利要求1所述的存储设备，其中，所述多个子块包括所述n个字线的块的第三子集的第三子块，并且所述控制电路还被配置为：

6.根据权利要求1所述的存储设备，其中，使用相同的感测电路来使用所述常规感测方案执行所述感测操作，以及使用所述反向感测方案执行所述感测操作。

7.根据权利要求1所述的存储设备，其中，所述n个字线的块的所述第二子集不同于所述n个字线的块的所述第一子集。

8.一种操作非易失性半导体存储器设备的方法，所述非易失性半导体存储器设备包括被划分为多个子块的n个字线的块，所述多个子块包括所述n个字线的块的第一子集的第一子块和所述n个字线的块的第二子集的第二子块，并且所述方法包括：

9.根据权利要求8所述的方法，其中，所述第一子块是所述块的上层子块。

10.根据权利要求8所述的方法，其中，所述第二子块是所述块的下层子块。

技术总结本文公开了一种存储设备。该存储设备包括：非易失性存储器，其中该非易失性存储器包括被划分为多个子块的N个字线的块，并且该多个子块包括该N个字线的块的第一子集的第一子块和该N个字线的块的第二子集的第二子块；和控制电路，该控制电路耦接到该N个字线的块。该控制电路被配置为：按正序编程序列对该第一子块执行编程操作；使用反向感测方案对该第一子块执行感测操作；按倒序编程序列对该第二子块执行编程操作；以及使用常规感测方案对该第二子块执行感测操作。技术研发人员：赵登涛,D·杜塔,张鹏,H·李受保护的技术使用者：闪迪技术有限公司技术研发日：技术公布日：2024/3/11