在存储器设备的编程期间的预充电方案的制作方法

1.本公开整体涉及用于对存储器设备的存储器单元进行编程的技术，该存储器设备包括被划分成子块的多个存储器块。2.相关技术半导体存储器广泛用于各种电子设备，诸如蜂窝电话、数字相机、个人数字助理、医疗电子器件、移动计算设备、服务器、固态驱动器、非移动计算设备和其他设备。半导体存储器可以包括非易失性存储器或易失性存储器。即使当非易失性存储器未连接到电源(例如，电池)时，非易失性存储器也允许存储和保留信息。nand存储器设备包括具有布置在多个字线和多个沟道中的存储器单元的阵列的存储器块。在一些存储器块中，字线被划分成可以彼此独立地被编程和擦除的两个或更多个子块。在每个子块内，在从子块的一侧到子块的相对侧的方向上顺序地对字线进行编程。在许多存储器设备中，为了努力使编程干扰最小化，在从子块的源极侧朝向子块的漏极侧的第一方向上对上部子块中的字线进行编程，并且在从子块的漏极侧朝向子块的源极侧的相反的第二方向上对下部子块中的字线进行编程。

背景技术：

技术实现思路

1、本公开的一个方面涉及一种对存储器设备进行编程的方法。该方法包括制备包括至少一个存储器块的存储器设备的步骤。该至少一个存储器块具有源极侧和漏极侧，并且包括布置在多个字线中的多个存储器单元。该多个字线布置在多个子块中，该多个子块被配置为彼此独立地被编程和擦除。该方法还包括确定多个子块中的选定子块在至少一个存储器块内的位置和多个子块中的至少一个未选定子块的编程条件的步骤。该方法继续进行在多个编程循环中对选定子块中的至少一个字线进行编程的步骤。该编程循环包括预充电过程，并且基于选定子块在至少一个存储器块内的位置和至少一个未选定子块的编程条件中的至少一者，从存储器块的源极侧或漏极侧开始该预充电过程。

2、根据本公开的另一方面，该方法进一步包括以下步骤：不管选定子块在存储器块内的位置如何，并且不管至少一个未选定子块的编程条件如何，在从漏极侧朝向源极侧的方向上顺序地对多个子块中的选定子块的字线进行编程。

3、根据本公开的又一方面，多个编程循环中的每个编程循环包括验证操作，该验证操作包括将通过电压vread施加到存储器块中的多个未选定字线。

4、根据本公开的再一方面，在每个编程循环的验证操作结束时，仅在选定字线的一侧上，未选定字线中的至少一些未选定字线在朝向存储器块的源极侧或存储器块的漏极侧的方向上开始一个接一个地从通过电压vread放电。

5、根据本公开的另一方面，选定字线的未选定字线一个接一个地放电的一侧是选定字线的预充电过程开始的同一侧。

6、根据本公开的又一方面，在未选定字线中的一些未选定字线完成放电之前，将预充电电压施加到存储器块的源极侧上的源极线或存储器块的漏极侧上的位线中的至少一者，以在未选定字线中的一些未选定字线的放电完成之前对存储器块中的至少一个沟道进行预充电。

7、根据本公开的再一方面，如果选定子块是位于存储器块的源极侧上的下部子块，那么从存储器块的源极侧开始预充电过程。

8、根据本公开的另一方面，如果选定子块是位于存储器块的漏极侧上的上部子块，并且至少一个未选定子块是闭合子块，那么从存储器块的漏极侧开始预充电过程。

9、根据本公开的又一方面，如果选定子块是位于存储器块的漏极侧上的上部子块，并且至少一个未选定子块是开放子块，那么方法进一步包括以下步骤：确定选定子块中的编程字线的数量；将选定子块中的编程字线的数量与阈值进行比较；如果选定子块中的编程字线的数量小于阈值，那么从存储器块的漏极侧开始预充电过程；并且如果选定子块中的编程字线的数量大于阈值，那么从存储器块的源极侧开始预充电过程。

10、本公开的另一方面涉及一种存储器设备。该存储器设备包括至少一个存储器块。该至少一个存储器块具有源极侧和漏极侧并且包括布置在多个字线中的多个存储器单元。该多个字线布置在被配置为彼此独立地被编程和擦除的多个子块中。该存储器设备还包括控制电路，该控制电路被配置为对多个子块中的选定子块的存储器单元进行编程。该控制电路被配置为确定多个子块中的选定子块在至少一个存储器块内的位置并且确定多个子块中的至少一个未选定子块的编程条件。该控制电路还被配置为在多个编程循环中对选定子块中的至少一个字线进行编程。该编程循环包括预充电过程，并且该控制电路基于选定子块在存储器块内的位置和至少一个未选定子块的编程条件中的至少一者，从存储器块的源极侧或漏极侧对存储器块中的多个沟道进行预充电。

11、根据本公开的另一方面，该控制电路被进一步配置为：不管选定子块在存储器块内的位置如何，并且不管至少一个未选定子块的编程条件如何，在从存储器块的漏极侧朝向源极侧的方向上顺序地对多个子块中的选定子块的字线进行编程。

12、根据本公开的又一方面，多个编程循环中的每个编程循环包括验证操作，该验证操作包括控制电路将通过电压vread施加到存储器块中的多个未选定字线。

13、根据本公开的再一方面，在每个编程循环的验证操作结束时，仅在选定字线的一侧上，控制电路开始使未选定字线中的至少一些未选定字线在朝向存储器块的源极侧或存储器块的漏极侧的方向上一个接一个地从通过电压vread放电。

14、根据本公开的另一方面，未选定字线开始一个接一个地从通过电压vread放电的一侧是控制电路从其对多个沟道进行预充电的选定字线的同一侧。

15、根据本公开的又一方面，在未选定字线中的一些未选定字线放电完成之前，控制电路将预充电电压施加到存储器块的源极侧上的源极线或存储器块的漏极侧上的位线中的至少一者，以在完成放电过程之前对存储器块中的至少一个沟道进行预充电。

16、根据本公开的再一方面，如果选定子块是位于存储器块的源极侧上的下部子块，那么控制电路从存储器块的源极侧开始预充电过程。

17、根据本公开的另一方面，如果选定子块是位于存储器块的漏极侧上的上部子块，并且至少一个未选定子块是闭合子块，那么控制电路从存储器块的漏极侧开始预充电过程。

18、根据本公开的又一方面，如果选定子块是位于存储器块的漏极侧上的上部子块，并且至少一个未选定子块是开放子块，那么控制电路被进一步配置为确定选定子块中的编程字线的数量并且将选定子块中的编程字线的数量与阈值进行比较。如果选定子块中的编程字线的数量小于阈值，那么控制电路从存储器块的漏极侧对多个沟道进行预充电。如果选定子块中的编程字线的数量大于阈值，那么控制电路从存储器块的源极侧对多个沟道进行预充电。

19、本公开的又一方面涉及一种装置。该装置包括至少一个存储器块。该至少一个存储器块具有源极侧和漏极侧并且包括布置在多个字线中的多个存储器单元。该多个字线布置在被配置为彼此独立地被编程和擦除的多个子块中。该装置还包括用于将至少一个存储器块的存储器单元编程为每存储器单元包括至少三个数据位的编程装置。当对多个子块中的选定子块进行编程时，该编程装置被配置为确定多个子块中的选定子块在至少一个存储器块内的位置，并且确定多个子块中的至少一个未选定子块的编程条件。该编程装置被进一步配置为在多个编程循环中对选定子块中的选定字线进行编程。该编程循环包括编程脉冲和验证操作。在验证操作中的每个验证操作期间，该编程装置将通过电压vread施加到多个未选定字线。该编程装置被进一步配置为开始一个接一个地对选定字线的一侧上的未选定字线进行放电，以从选定字线的一侧上的存储器块的多个沟道移除电子。

20、根据本公开的另一方面，该编程装置被进一步配置为从选定字线的该编程装置对未选定字线一个接一个地放电的一侧对存储器块的多个沟道进行预充电。