存储器装置的形成方法与流程

本文描述的实施例一般地涉及存储器装置的形成方法。

背景技术：

1、使用可变电阻元件作为存储元件的存储器装置是已知的。可变电阻元件在串联耦接(couple)到切换元件时用作存储器基元(memory cell)。作为切换元件，使用二端子型切换元件。

技术实现思路

1、一般而言，根据一个实施例，一种存储器装置包括：在第一方向上的多个第一互连、在与所述第一方向相交的第二方向上的多个第二互连、以及多个存储器基元，所述多个存储器基元中的每一个在所述多个第一互连和所述多个第二互连之间与所述多个第一互连之一和所述多个第二互连之一的组相关联，并且包括串联耦接的可变电阻元件和切换元件。所述存储器装置的形成方法包括：从尚未被执行形成处理的存储器基元中选择具有最高互连电阻的存储器基元；对所选择的存储器基元中的切换元件执行形成处理；以及对所述多个存储器基元重复所述选择和所述执行。

技术特征：

1.一种存储器装置的形成方法，所述存储器装置包括在第一方向上的多个第一互连、在与所述第一方向相交的第二方向上的多个第二互连、以及多个存储器基元，所述多个存储器基元中的每一个在所述多个第一互连和所述多个第二互连之间与所述多个第一互连之一和所述多个第二互连之一的组相关联，并且包括串联耦接的可变电阻元件和切换元件，所述形成方法包括：

2.根据权利要求1所述的形成方法，其中：

3.根据权利要求1所述的形成方法，其中：

4.根据权利要求3所述的形成方法，其中

5.根据权利要求4所述的形成方法，其中

6.根据权利要求5所述的形成方法，其中

7.根据权利要求5所述的形成方法，其中

8.根据权利要求4所述的形成方法，其中

9.根据权利要求8所述的形成方法，其中

10.根据权利要求9所述的形成方法，其中

11.根据权利要求1所述的形成方法，其中

12.根据权利要求1所述的形成方法，其中

13.根据权利要求1所述的形成方法，还包括：

14.根据权利要求1所述的形成方法，其中

15.根据权利要求1所述的形成方法，其中

技术总结本公开涉及存储器装置的形成方法。根据一个实施例，一种存储器装置包括在第一方向上的第一互连、在与第一方向相交的第二方向上的第二互连、以及存储器基元。存储器基元中的每一个在第一互连和第二互连之间与第一互连之一和第二互连之一的组相关联，并且包括串联耦接的可变电阻元件和切换元件。存储器装置的形成方法包括：从尚未被执行形成处理的存储器基元中选择具有最高互连电阻的存储器基元；对所选择的存储器基元中的切换元件执行形成处理；以及对存储器基元重复选择和执行。技术研发人员：松下直辉受保护的技术使用者：铠侠股份有限公司技术研发日：技术公布日：2024/3/11