一种存储器刷新方法及存储器与流程

本申请实施例涉及存储领域，涉及但不限于一种存储器刷新方法及存储器。

背景技术：

1、低功耗内存(low power double data rate synchronous dynamic randomaccess memory，lpddr)是ddr sdram的一种。lpddr5在两次进入自我刷新(self-refresh)状态之间需要发送自动刷新(refresh)命令来满足协议要求。使用单个存储体刷新(per-bank refresh)作为refresh方式时，需要分次(每次2个bank)发送不同目标存储块(bank)的刷新(refresh)命令。使用全存储体刷新(all-bank refresh)作为refresh方式时，只需要发送1次refresh all-bank命令来完成refresh操作。从性能的角度考虑，all-bankrefresh时，需要关闭所有bank，来进行refresh操作。在满足时序要求后，需要重新打开相应的bank进行读写操作；而per-bank refresh只需要关闭2个bank来进行refresh操作，而其它14个bank此时均可以进行正常读写操作。为了保证性能需求，ddr往往采用per-bankrefresh的方式。在采用per-bank refresh作为refresh方式时，每当需要发送self-refresh命令使双倍速率同步动态随机存储器(double data rate，ddr)或ddr控制器进入低功耗状态时，需要发送的per-bank refresh导致发送self-refresh命令需等待很长时间，影响ddr或ddr controller进入低功耗的时间。

技术实现思路

1、有鉴于此，本申请实施例提供一种存储器刷新方法及存储器。

2、本申请实施例的技术方案是这样实现的：

3、第一方面，本申请实施例提供一种存储器刷新方法，所述方法包括：

4、基于接收自我刷新请求的时刻，确定利用第一刷新方式完成当前待刷新任务对应的第一消耗时长；

5、比对所述第一消耗时长与以第二刷新方式完成当前待刷新任务对应的第二消耗时长，以确定在进入自我刷新状态前，对所述存储器中存储块的自动刷新策略；其中，所述第一刷新方式和第二刷新方式采用不同的刷新单元；

6、基于所述自动刷新策略完成所述当前待刷新任务后，基于所述自我刷新请求，进入自我刷新状态。

7、第二方面，本申请实施例提供一种存储器，所述存储器包括：记录模块、比较模块和控制模块，

8、所述记录模块，用于记录待刷新任务参数，所述待刷新任务参数和刷新时长相关；

9、所述比较模块，用于基于接收自我刷新请求的时刻，获取所述记录模块记录的当前待刷新任务参数，以比对以第一刷新方式完成待刷新任务所需的第一消耗时长与以第二刷新方式完成当前待刷新任务对应的第二消耗时长，并输出比较信号，所述比较信号对应于用于完成待刷新任务的自动刷新策略；其中，所述第一刷新方式和第二刷新方式采用不同的刷新单元；

10、控制模块，用于响应于所述比较信号，确定与所述比较信号对应的完成待刷新任务的自动刷新策略，并以所述自动刷新策略完成所述待刷新任务后，控制所述存储器进入与所述自我刷新请求对应的自我刷新状态；所述自动刷新策略包括第一刷新方式和第二刷新方式中的至少一种。

11、本申请实施例中，首先基于接收自我刷新请求的时刻，确定利用第一刷新方式完成当前待刷新任务对应的第一消耗时长；然后比对所述第一消耗时长与以第二刷新方式完成当前待刷新任务对应的第二消耗时长，以确定在进入自我刷新状态前，对所述存储器中存储块的自动刷新策略；基于所述自动刷新策略完成所述当前待刷新任务后，基于所述自我刷新请求，进入自我刷新状态。这样，可以确定一个刷新用时较短的刷新方式完成当前待刷新任务的刷新，减少发送自我刷新请求的等待时间，以使得存储器能够尽快进入低功耗状态，有效降低存储器的功耗。

技术特征：

1.一种存储器刷新方法，所述方法包括：

2.如权利要求1所述的方法，所述比对所述第一消耗时长与以第二刷新方式完成待刷新任务对应的第二消耗时长，以确定在进入自我刷新状态前，对所述存储器中存储块的刷新策略，包括：

3.如权利要求2所述的方法，所述利用所述存储器的比较电路比对所述第一消耗时长与所述第二消耗时长，以确定在进入自我刷新状态前，对所述存储器中存储块的刷新策略，包括：

4.如权利要求1所述的方法，所述方法还包括：

5.如权利要求4所述的方法，所述基于所述存储器的颗粒参数，确定存储块数量阈值，包括：

6.如权利要求4所述的方法，所述方法还包括：

7.如权利要求1至6任一项所述的方法，所述方法还包括：

8.一种存储器，所述存储器包括：记录模块、比较模块、控制模块和存储块，其中，

9.如权利要求8所述的存储器，所述记录模块包括计数器，所述当前待刷新任务参数包括待刷新的目标存储块数量，

10.如权利要求8或9所述的存储器，

技术总结本申请公开了一种存储器刷新方法及存储器，其中，所述方法包括：基于接收自我刷新请求的时刻，确定利用第一刷新方式完成当前待刷新任务对应的第一消耗时长；比对所述第一消耗时长与以第二刷新方式完成当前待刷新任务对应的第二消耗时长，以确定在进入自我刷新状态前，对所述存储器中存储块的自动刷新策略；其中，所述第一刷新方式和第二刷新方式采用不同的刷新单元；基于所述自动刷新策略完成所述当前待刷新任务后，基于所述自我刷新请求，进入自我刷新状态。技术研发人员：王燚,王伟,刘存受保护的技术使用者：鼎道智芯（上海）半导体有限公司技术研发日：技术公布日：2024/3/21