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感测放大器、存储器装置和存储器装置的操作方法与流程

  • 国知局
  • 2024-07-31 19:45:15

公开的实施例涉及感测放大器,更具体地,涉及被配置为以高速读取数据的感测放大器。

背景技术:

1、诸如人工智能和物联网(iot)的技术的进步增大了对高速操作的存储器装置的需求。

2、一种类型的存储器装置(动态随机存取存储器(dram))以数据根据存储在存储器单元的单元电容器中的电荷而被写入和读取的方式操作。dram可通过使用感测放大器来感测和放大位线之间的电压差,使得数据可被读取。为了提高存储器装置的数据读取速度,需要改善通过感测放大器的感测和放大操作。在这方面,电流感测和放大操作在速度和准确度上不足。

技术实现思路

1、实施例提供能够以高速读取数据的感测放大器和包括感测放大器的存储器装置。

2、根据一个或多个实施例,一种感测放大器包括:第一隔离晶体管,通过第一位线连接到第一存储器单元;第二隔离晶体管,通过第二位线连接到第二存储器单元;以及感测放大电路系统,通过第一隔离晶体管连接到第一存储器单元,并且通过第二隔离晶体管连接到第二存储器单元,其中,感测放大电路系统被配置为:将与存储在第一存储器单元或者第二存储器单元中的单元电压对应的数据锁存到一对感测位线,并且其中,感测放大电路系统被配置为:在电荷共享操作在第一存储器单元与第一位线之间或者在第二存储器单元与第二位线之间被执行的同时,执行偏移消除操作。

3、第一隔离晶体管响应于电荷共享操作的开始而由控制电路系统截止,并且第二隔离晶体管响应于电荷共享操作的开始而由控制电路系统截止。

4、响应于电荷共享操作的开始,感测放大电路系统的所述一对感测位线开始由控制电路系统使用驱动电压进行充电。

5、感测放大电路系统响应于使用驱动电压对所述一对感测位线进行充电而开始偏移消除操作。

6、感测放大电路系统包括第一对感测晶体管和第二对感测晶体管,并且第二对感测晶体管由控制电路系统响应于使用驱动电压对所述一对感测位线进行充电而截止。

7、第一隔离晶体管由控制电路系统使用精细驱动电压导通,以在电荷共享操作已完成之后启动电荷转移操作,并且第二隔离晶体管由控制电路系统使用精细驱动电压而导通,以在电荷共享操作已经完成之后启动电荷转移操作,其中,精细驱动电压具有阈值电压的预定量内的电压电平。

8、精细驱动电压基于第一位线或第二位线的电压而被设置,并且阈值电压是第一隔离晶体管或第二隔离晶体管的阈值电压。

9、一种存储器装置包括:第一存储器单元,连接到第一位线;第二存储器单元,连接到第二位线;第一隔离晶体管,通过第一位线连接到第一存储器单元;第二隔离晶体管,通过第二位线连接到第二存储器单元;感测放大电路系统,通过第一隔离晶体管连接到第一存储器单元,并且通过第二隔离晶体管连接到第二存储器单元,并且感测放大电路系统被配置为将与存储在第一存储器单元或者第二存储器单元中的单元电压对应的数据锁存到一对感测位线;以及控制电路系统,被配置为:控制第一隔离晶体管、第二隔离晶体管和感测放大电路系统,使得在电荷共享操作在第一存储器单元与第一位线之间或者在第二存储器单元与第二位线之间被执行的同时在感测放大电路系统中执行偏移消除操作。

10、控制电路系统被配置为:截止第一隔离晶体管和第二隔离晶体管,并且激活连接到第一存储器单元的第一字线或连接到第二存储器单元的第二字线,以启动电荷共享操作。

11、控制电路系统被配置为:响应于电荷共享操作的开始,开始使用驱动电压对所述一对感测位线进行充电。

12、控制电路系统被配置为:响应于使用驱动电压对所述一对感测位线进行充电,截止包括在感测放大电路系统中的多个晶体管中的至少一个晶体管,使得偏移消除操作被执行。

13、感测放大电路系统包括第一对感测晶体管和第二对感测晶体管,并且当使用驱动电压对所述一对感测位线进行充电时,控制电路系统被配置为截止第二对感测晶体管。

14、控制电路系统被配置为:控制第一隔离晶体管、第二隔离晶体管和感测放大电路系统,使得感测操作和恢复操作在电荷共享操作已经完成之后被执行。

15、控制电路系统被配置为:控制第一隔离晶体管和第二隔离晶体管,使得电荷转移操作在电荷共享操作已经完成之后被执行。

16、控制电路被配置为:以精细驱动电压导通第一隔离晶体管和第二隔离晶体管,使得电荷转移操作被执行,其中,精细驱动电压包括阈值电压的预定量内的电压值。

17、精细驱动电压基于第一位线或第二位线的电压而被设置,并且阈值电压是第一隔离晶体管或第二隔离晶体管的阈值电压。

18、控制电路系统被配置为:控制第一隔离晶体管、第二隔离晶体管和感测放大电路系统,使得感测操作和恢复操作在电荷转移操作已经完成之后被执行。

19、一种存储器装置的操作方法,所述存储器装置包括第一存储器单元、第二存储器单元、感测放大器和控制电路系统,所述操作方法包括:通过经由控制电路系统导通第一对感测晶体管、第二对感测晶体管、第一隔离晶体管和第二隔离晶体管,来对连接到第一存储器单元的第一位线、连接到第二存储器单元的第二位线和感测放大器的一对感测位线执行预充电操作,其中,第一对感测晶体管、第二对感测晶体管、第一隔离晶体管和第二隔离晶体管被包括在感测放大器中;并且通过经由控制电路系统截止第一隔离晶体管和第二隔离晶体管,来在第一存储器单元与第一位线之间或者在第二存储器单元与第二位线之间执行电荷共享操作,其中,执行电荷共享操作的步骤包括:使用驱动电压对所述一对感测位线进行充电;并且响应于使用驱动电压对所述一对感测位线进行充电,通过截止第二对感测晶体管来执行偏移消除操作。

20、所述操作方法还包括:在电荷共享操作已经完成之后,通过经由控制电路系统使用精细驱动电压导通第一隔离晶体管和第二隔离晶体管来执行电荷转移操作,其中,精细驱动电压具有阈值电压的预定量内的电压值。

21、精细驱动电压基于第一位线或第二位线的电压而被设置,并且阈值电压是第一隔离晶体管或第二隔离晶体管的阈值电压。

技术特征:

1.一种感测放大器,包括:

2.根据权利要求1所述的感测放大器,其中,第一隔离晶体管响应于电荷共享操作的开始而由控制电路系统截止,并且

3.根据权利要求1所述的感测放大器,其中,响应于电荷共享操作的开始,感测放大电路系统的所述一对感测位线开始由控制电路系统使用驱动电压进行充电。

4.根据权利要求3所述的感测放大器,其中,感测放大电路系统响应于使用驱动电压对所述一对感测位线进行充电而开始偏移消除操作。

5.根据权利要求4所述的感测放大器,其中,感测放大电路系统包括第一对感测晶体管和第二对感测晶体管,并且

6.根据权利要求1至5中的任何一项所述的感测放大器,其中,第一隔离晶体管由控制电路系统使用精细驱动电压导通,以在电荷共享操作已完成之后启动电荷转移操作,

7.根据权利要求6所述的感测放大器,其中,精细驱动电压基于第一位线或第二位线的电压而被设置,并且阈值电压是第一隔离晶体管或第二隔离晶体管的阈值电压。

8.一种存储器装置,包括:

9.根据权利要求8所述的存储器装置,其中,控制电路系统被配置为:截止第一隔离晶体管和第二隔离晶体管,并且激活连接到第一存储器单元的第一字线或连接到第二存储器单元的第二字线,以启动电荷共享操作。

10.根据权利要求8所述的存储器装置,其中,控制电路系统被配置为:响应于电荷共享操作的开始,开始使用驱动电压对所述一对感测位线进行充电。

11.根据权利要求10所述的存储器装置,其中,控制电路系统被配置为:响应于使用驱动电压对所述一对感测位线进行充电,截止包括在感测放大电路系统中的多个晶体管中的至少一个晶体管,使得偏移消除操作被执行。

12.根据权利要求11所述的存储器装置,其中,感测放大电路系统包括第一对感测晶体管和第二对感测晶体管,并且

13.根据权利要求8至12中的任何一项所述的存储器装置,其中,控制电路系统被配置为:控制第一隔离晶体管、第二隔离晶体管和感测放大电路系统,使得感测操作和恢复操作在电荷共享操作已经完成之后被执行。

14.根据权利要求8至12中的任何一项所述的存储器装置,其中,控制电路系统被配置为:控制第一隔离晶体管和第二隔离晶体管,使得电荷转移操作在电荷共享操作已经完成之后被执行。

15.根据权利要求14所述的存储器装置,其中,控制电路被配置为:以精细驱动电压导通第一隔离晶体管和第二隔离晶体管,使得电荷转移操作被执行,其中,精细驱动电压包括阈值电压的预定量内的电压值。

16.根据权利要求15所述的存储器装置,其中,精细驱动电压基于第一位线或第二位线的电压而被设置,并且阈值电压是第一隔离晶体管或第二隔离晶体管的阈值电压。

17.根据权利要求14所述的存储器装置,其中,控制电路系统被配置为:控制第一隔离晶体管、第二隔离晶体管和感测放大电路系统,使得感测操作和恢复操作在电荷转移操作已经完成之后被执行。

18.一种存储器装置的操作方法,所述存储器装置包括第一存储器单元、第二存储器单元、感测放大器和控制电路系统,所述操作方法包括:

19.根据权利要求18所述的操作方法,还包括:在电荷共享操作已经完成之后,通过经由控制电路系统使用精细驱动电压导通第一隔离晶体管和第二隔离晶体管来执行电荷转移操作,其中,精细驱动电压具有阈值电压的预定量内的电压值。

20.根据权利要求19所述的操作方法,其中,精细驱动电压基于第一位线或第二位线的电压而被设置,并且阈值电压是第一隔离晶体管或第二隔离晶体管的阈值电压。

技术总结感测放大器、存储器装置和存储器装置的操作方法被提供。所述感测放大器包括:第一隔离晶体管,通过第一位线连接到第一存储器单元;第二隔离晶体管,通过第二位线连接到第二存储器单元;以及感测放大电路系统,通过第一隔离晶体管连接到第一存储器单元,通过第二隔离晶体管连接到第二存储器单元,并且将与存储在第一存储器单元或第二存储器单元中的单元电压对应的数据锁存到一对感测位线,其中,感测放大电路系统被配置为:在电荷共享操作在第一存储器单元与第一位线之间或者在第二存储器单元与第二位线之间被执行的同时,执行偏移消除操作。技术研发人员:李昌永,姜奎彰受保护的技术使用者:三星电子株式会社技术研发日:技术公布日:2024/3/21

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