用于补偿感测放大器泄漏的电路结构和相关方法与流程

本公开涉及一种用于补偿感测放大器泄漏的电路结构和相关方法。

背景技术：

1、许多集成电路(ic)架构包括用于读取存储在位基元(bit cell)中的数据的部件，例如，通过放大位基元中的电压电平并将其与参考电压进行比较，以将数据表征(characterize)为逻辑低(例如“0”)或逻辑高(例如“1”)。ic可以包括用于放大选定位基元的电压的多个感测放大器。为了从选定位基元读取数据，感测放大器可以使用多路复用器将选定位基元耦接到放大部件。然而，多路复用器可能通过未选定电流路径内的任何晶体管引入显著电流泄漏。相对于选定位基元内的电压大小，电流泄漏可能是显著的。在一些情况下，这种电流泄漏可能导致感测放大器将逻辑低误表征为逻辑高，或者将逻辑高误表征为逻辑低。

技术实现思路

1、本公开的说明性方面被设计为解决在此描述的问题和/或其他未讨论的问题。

2、本公开的实施例提供了一种电路结构，包括：参考电压产生器，其将电源电压和参考线耦接到感测放大器；以及多路复用器，其位于所述参考电压产生器内并且耦接到所述参考线，所述多路复用器包括多个晶体管，每个晶体管具有耦接到地的栅极端子。

3、本公开的另一方面包括上述任一方面，并且其中，所述多路复用器包括被配置为镜像(mirror)所述感测放大器内的电流泄漏的多个晶体管。

4、本公开的另一方面包括上述任一方面，并且其中，所述感测放大器是耦接到所述参考电压产生器的多个感测放大器之一，所述多个感测放大器中的每个感测放大器具有来自列多路复用器的相同电流泄漏。

5、本公开的另一方面包括上述任一方面，并且其中，所述多路复用器包括：第一晶体管，其被配置为镜像所述感测放大器的二比一相(two-to-one phase)中的电流泄漏；第二晶体管，其被配置为镜像所述感测放大器的四比一相中的电流泄漏；以及第三晶体管，其被配置为镜像所述感测放大器的八比一相中的电流泄漏。

6、本公开的另一方面包括上述任一方面，并且其中，所述多路复用器被配置为将来自所述参考线的参考电流增加约等于所述感测放大器中的电流泄漏的量。

7、本公开的另一方面包括上述任一方面，并且其中，所述多路复用器不与所述感测放大器耦接。

8、本公开的另一方面包括上述任一方面，并且其中，所述感测放大器被配置为将来自选定位基元的电流与来自所述参考电压产生器的输出进行比较，以输出指示所述选定位基元中的逻辑电平的电流。

9、本公开的其他实施例提供了一种电路结构，包括：参考电压产生器，其耦接到电源电压和到感测放大器的参考线；多路复用器，其位于所述参考电压产生器内并且耦接到所述参考线，所述多路复用器包括多个晶体管，每个晶体管具有耦接到地的栅极端子，其中，参考电压产生器基于所述参考线中的参考电流、所述电源电压和所述多路复用器中的电流泄漏，输出参考电压；以及多个感测放大器，每个感测放大器耦接到所述参考电压产生器，其中，所述多个感测放大器中的每个感测放大器包括具有与所述多路复用器相同的电流泄露的放大器多路复用器。

10、本公开的另一方面包括上述任一方面，并且其中，所述多路复用器的所述多个晶体管被配置为镜像所述多个感测放大器之一内的电流泄漏。

11、本公开的另一方面包括上述任一方面，并且其中，所述多个感测放大器中的每个感测放大器的所述放大器多路复用器具有基本上一致的尺寸。

12、本公开的另一方面包括上述任一方面，并且其中，所述参考电压产生器的所述多路复用器具有所述基本上一致的尺寸。

13、本公开的另一方面包括上述任一方面，并且其中，所述多路复用器的所述多个晶体管包括：第一晶体管，其被配置为镜像所述多个感测放大器之一的所述多路复用器的二比一相中的电流泄漏；第二晶体管，其被配置为镜像所述多个感测放大器之一的所述多路复用器的四比一相中的电流泄漏；以及第三晶体管，其被配置为镜像所述多个感测放大器之一的所述多路复用器的八比一相中的电流泄漏。

14、本公开的另一方面包括上述任一方面，并且其中，所述多路复用器被配置为将所述参考电流减小约等于所述多个感测放大器中的每个感测放大器内的电流泄漏的量。

15、本公开的另一方面包括上述任一方面，并且其中，所述多路复用器不与所述多个感测放大器中的任一个耦接。

16、本公开的另外的实施例提供了一种用于产生至少一个感测放大器的参考电压的方法，所述方法包括：将电源电压和参考电流传输到参考电压产生器以输出所述参考电压，其中，所述参考电压产生器包括耦接到参考线的多路复用器，所述多路复用器包括多个晶体管，每个晶体管具有耦接到地的栅极端子；以及将所述参考电压传输到多个感测放大器，其中，所述多个感测放大器中的每个感测放大器包括具有与所述多路复用器相同的电流泄露的放大器多路复用器。

17、本公开的另一方面包括上述任一方面，并且其中，所述多路复用器包括多个晶体管，所述多个晶体管被配置为镜像所述多个感测放大器之一内的电流泄漏。

18、本公开的另一方面包括上述任一方面，并且其中，所述多路复用器的所述多个晶体管包括：第一晶体管，其被配置为镜像所述感测放大器的二比一相中的电流泄漏；第二晶体管，其被配置为镜像所述感测放大器的四比一相中的电流泄漏；以及第三晶体管，其被配置为镜像所述感测放大器的八比一相中的电流泄漏。

19、本公开的另一方面包括上述任一方面，并且其中，将所述电源电压和所述参考电流传输到所述参考电压产生器使得所述多路复用器的所述多个晶体管镜像所述多个感测放大器之一内的电流泄漏。

20、本公开的另一方面包括上述任一方面，并且其中，将所述电源电压和所述参考电流传输到所述参考电压产生器使得所述多路复用器将所述参考电流减小约等于所述感测放大器内的电流泄漏的量。

21、本公开的另一方面包括上述任一方面，并且还包括经由所述感测放大器将选定位基元中的电压与所述参考电压进行比较，以输出指示所述选定位基元中的逻辑电平的电压。

22、本公开描述的包括本技术实现要素：部分中描述的方面的两个或更多个方面可以进行组合以形成本文未具体描述的实施方式。

23、一种或多种实施方式的细节在附图和下面的描述中进行阐述。通过描述、附图以及权利要求，其他特征、目标和优点将是显而易见的。

技术特征：

1.一种电路结构，包括：

2.根据权利要求1所述的电路结构，其中，所述多路复用器包括被配置为镜像所述感测放大器内的电流泄漏的多个晶体管。

3.根据权利要求2所述的电路结构，其中，所述感测放大器是耦接到所述参考电压产生器的多个感测放大器之一，所述多个感测放大器中的每个感测放大器具有来自列多路复用器的相同电流泄漏。

4.根据权利要求1所述的电路结构，其中，所述多路复用器包括：

5.根据权利要求1所述的电路结构，其中，所述多路复用器被配置为将来自所述参考线的参考电流增加约等于所述感测放大器中的电流泄漏的量。

6.根据权利要求1所述的电路结构，其中，所述多路复用器不与所述感测放大器耦接。

7.根据权利要求1所述的电路结构，其中，所述感测放大器被配置为将来自选定位基元的电流与来自所述参考电压产生器的输出进行比较，以输出指示所述选定位基元中的逻辑电平的电流。

8.一种电路结构，包括：

9.根据权利要求8所述的电路结构，其中，所述多路复用器的所述多个晶体管被配置为镜像所述多个感测放大器之一内的电流泄漏。

10.根据权利要求8所述的电路结构，其中，所述多个感测放大器中的每个感测放大器的所述放大器多路复用器具有基本上一致的尺寸。

11.根据权利要求10所述的电路结构，其中，所述参考电压产生器的所述多路复用器具有所述基本上一致的尺寸。

12.根据权利要求8所述的电路结构，其中，所述多路复用器的所述多个晶体管包括：

13.根据权利要求8所述的电路结构，其中，所述多路复用器被配置为将所述参考电流减小约等于所述多个感测放大器中的每个感测放大器内的电流泄漏的量。

14.根据权利要求8所述的电路结构，其中，所述多路复用器不与所述多个感测放大器中的任一个耦接。

15.一种用于产生至少一个感测放大器的参考电压的方法，所述方法包括：

16.根据权利要求15所述的方法，其中，将所述参考电流传输到所述参考电压的所述多路复用器包括通过被配置为镜像所述多个感测放大器之一内的电流泄漏的多个晶体管来传输所述参考电流。

17.根据权利要求16所述的方法，其中，所述多路复用器通过以下项镜像所述电流泄露：

18.根据权利要求15所述的方法，其中，将所述电源电压和所述参考电流传输到所述参考电压产生器使得所述多路复用器的所述多个晶体管镜像所述多个感测放大器之一内的电流泄漏。

19.根据权利要求15所述的方法，其中，将所述电源电压和所述参考电流传输到所述参考电压产生器使得所述多路复用器将所述参考电流减小约等于所述感测放大器内的电流泄漏的量。

20.根据权利要求15所述的方法，还包括经由所述感测放大器将选定位基元中的电压与所述参考电压进行比较，以输出指示所述选定位基元中的逻辑电平的电压。

技术总结本公开的实施例提供了用于补偿感测放大器泄漏的电路结构和相关方法。根据本公开的电路结构包括将电源电压和参考线耦接到感测放大器的参考电压产生器。参考电压产生器内的多路复用器耦接到参考线。多路复用器包括多个晶体管，每个晶体管具有耦接到地的栅极端子。技术研发人员：胡晓莉,李笑笑,赵薇,孙玉晴,戴学强,X·程受保护的技术使用者：格芯（美国）集成电路科技有限公司技术研发日：技术公布日：2024/2/1