存储器器件的制作方法

实施方式涉及一种存储器器件。

背景技术：

1、作为存储器器件，众所周知的是dram(dynamic random access memory，动态随机存取存储器)。dram的存储单元包含电容器与晶体管。此外，在dram的存储单元使用立式晶体管的存储器器件为人所周知。立式晶体管具备在与半导体衬底的主面交叉的方向延伸的半导体柱作为通道。而且，立式晶体管中，覆盖半导体柱的周围的栅极电极由在沿衬底主面的方向延伸的配线形成。

2、[先前技术文献]

3、[专利文献]

4、[专利文献1]日本专利第3302796号公报

技术实现思路

1、[发明所要解决的问题]

2、本发明提高存储器器件的性能且抑制制造成本。

3、[解决问题的技术手段]

4、实施方式的存储器器件包含多个字线、多个位线、多个晶体管、多个电容器及板线。多个字线分别在第1方向上延伸设置，且在与第1方向交叉的第2方向上排列设置。多个位线分别在第2方向上延伸设置，且在第1方向上排列设置。多个晶体管分别具有在与第1方向及第2方向交叉的第3方向上延伸设置的通道。多个电容器各自的一电极分别连接于多个晶体管各自的一端。板线连接于多个电容器各自的另一电极。多个晶体管包含：多个第1晶体管，栅极端连接于包含在多个字线中的第1字线；及多个第2晶体管，栅极端连接于包含在多个字线中且与第1字线相邻的第2字线。多个第1晶体管与多个第2晶体管在第1方向上相互交错配置。多个位线包含在第1方向上依序排列的第1至第4位线。第1位线及第3位线各自连接于第1晶体管及第2晶体管各自的另一端。第2位线连接于第1晶体管的另一端且不连接于所述第2晶体管的另一端。第4位线连接于第2晶体管的另一端且不连接于所述第1晶体管的另一端。

技术特征：

1.一种存储器器件，具备：

2.根据权利要求1所述的存储器器件，其中

3.根据权利要求2所述的存储器器件，其还具备多个第1触点，且

4.根据权利要求3所述的存储器器件，其中

5.根据权利要求3所述的存储器器件，其中

6.根据权利要求1至5中任一项所述的存储器器件，其中

7.一种存储器器件，具备：

8.根据权利要求7所述的存储器器件，其中

9.根据权利要求7所述的存储器器件，其中

10.根据权利要求7所述的存储器器件，其中

11.根据权利要求10所述的存储器器件，其中

12.根据权利要求7所述的存储器器件，其中

13.根据权利要求12所述的存储器器件，其中

14.根据权利要求11或13所述的存储器器件，其中

15.根据权利要求8所述的存储器器件，其中

16.根据权利要求8所述的存储器器件，其中

17.根据权利要求8所述的存储器器件，其中

18.根据权利要求7所述的存储器器件，其中

19.根据权利要求7所述的存储器器件，其中

20.根据权利要求19所述的存储器器件，其还具备分别贯通所述配线而设置的2个第1触点，

21.根据权利要求19所述的存储器器件，其还具备分别贯通所述配线而设置的2个第1触点，

22.根据权利要求19所述的存储器器件，其还具备：

技术总结本发明的课题在于提高存储器器件的性能且抑制制造成本。实施方式的存储器器件包含多个字线、多个位线及多个晶体管。多个字线分别在第1方向上延伸设置，且在第2方向上排列。多个位线分别在第2方向上延伸设置，且在第1方向上排列。多个晶体管包含：多个第1晶体管，栅极端连接于第1字线；及多个第2晶体管，栅极端连接于第2字线。多个第1晶体管与多个第2晶体管在第1方向上相互交错配置。多个位线包含第1至第4位线。第1及第3位线连接于第1及第2晶体管各自的另一端。第2及第4位线连接于第1或第2晶体管的另一端。技术研发人员：犬饲贵士受保护的技术使用者：铠侠股份有限公司技术研发日：技术公布日：2024/3/21