一种基于测试设备的存储芯片的修复方法与流程

本发明涉及芯片测试，具体涉及一种基于测试设备的存储芯片的修复方法。背景技术：：：1、存储芯片测试主要针对的是存储器，包括随机存取存储器、闪存等，用于存储和读取数据或程序代码的半导体组件。测试的内容包括一些性能参数，例如读取时间、写入恢复时间、数据保存时间等。这些测试的目的是确保存储器在各种条件下都能可靠、准确地存储和读取数据。2、存储芯片相比系统级芯片的测试存在额外的修复的流程，测试机按照测试要求获取每颗芯片的失效的电路信息，形成失效单元电路的日志文件，测试机的修复分析程序加载日志文件，生成修复方案，使用备用电路去修复损坏的电路，若每个芯片上的备用电路数量无法修复该芯片上损坏电路的区域，则该芯片被剔除，不进入后面的流程。3、测试机的处理失效单元电路的修复分配算法能够影响到存储芯片在测试封装流程中的良率，最优的修复方案能够使得芯片生产经济价值达到最大化，但由于芯片修复的失效信息复杂，程序分配的解只能够达到相对较优的解，现有修复方法通常根据失效单元电路信息直接分配，不分析失效单元电路之间的相关性，分配的修复方案为非优解。技术实现思路1、本发明的目的在于提供一种基于测试设备的存储芯片的修复方法，解决以下技术问题：2、由于芯片修复的失效信息复杂，程序分配的解只能够达到相对较优的解，现有修复方法通常根据失效单元电路信息直接分配，不分析失效单元电路之间的相关性，分配的修复方案为非优解。3、本发明的目的可以通过以下技术方案实现：4、一种基于测试设备的存储芯片的修复方法，包括以下步骤：5、测试设备连接存储芯片进行测试，将存储芯片划分为若干个区块并编号，从二进制测试日志中提取存储芯片中的失效单元电路信息；6、统计不同区块下的失效单元电路的数量，将任一区块的编号作为存储键值，该区块的失效单元电路数量和失效单元电路坐标信息（x，y）作为存储值，将所有的失效单元电路信息存储到哈希表数据结构中；7、在任一区块中，分别以任一x地址位作为键值，对应的y地址位的集合作为存储值，得到x-y哈希表结构；分别以任一y地址位作为键值，对应x地址位集合作为存储值，得到y-x哈希表结构；8、分别对x-y哈希表结构和y-x哈希表结构进行遍历，获取任一x地址位对应的y地址位集合gx，任一y地址位对应的x地址位集合gy，若存在集合gx的数值大于列备用电路用于修复列方向的最大数量，则任意分配一组行备用电路修复；若存在集合gy的数值大于行备用电路用于修复行方向的最大失效单元电路数；则任意分配一组列备用电路修复；若无可分配的行/列备用电路，则标记并删除该存储芯片，并更新哈希表结构，停止遍历；若有可分配的行/列备用电路，则更新x-y和y-x哈希表结构，删除已修复的失效单元电路地址信息；9、比较删除后的x-y和y-x哈希表结构中，每个键值对应的存储值的集合大小，获取最大的集合值m，若m对应的是x地址位坐标，则分配行备用电路，若m对应的是y地址位坐标，则分配列备用电路，若无可使用备用电路，则标记该存储芯片并删除；若有可使用备用电路，则记录该备用电路使用情况，更新x-y和y-x哈希表结构，删除已修复的失效单元电路地址信息，直至x-y和y-x哈希表结构中数据值为空，停止遍历，则该存储芯片能够被正常修复。10、作为本发明进一步的方案：采集失效单元电路信息的过程为：11、通过测试设备采集存储芯片的初始失效单元电路信息并记录到内存介质中，获取存储芯片的配置信息和测试设备的编码规范，所述配置信息包括区块数量、失效单元电路地址位信息、备用电路的数量和分布，从所述内存介质中提取失效单元电路信息，所述失效单元电路信息包括失效单元电路区块编号，失效单元电路坐标信息（x，y）、输入－输出线编号。12、作为本发明进一步的方案：所述备用电路包括列备用电路和行备用电路，所述列备用电路用于修复存储芯片中列方向的失效单元电路，所述行备用电路用于修复存储芯片中行方向的失效单元电路。13、作为本发明进一步的方案：获取存储芯片中各个区块的备用修复电路单元的最大数量ti和失效单元电路数量fi，i表示区块编号，若fi大于ti，则该存储芯片无法修复，标记该存储芯片，并从哈希表数据结构中删除该存储芯片的失效单元电路信息。14、作为本发明进一步的方案：遍历的具体过程为：15、对x-y哈希表结构进行遍历，获取x地址位对应的y地址位集合gx，vgx表示为集合gx的数值，若vgx＞colmax，colmax表示列备用电路能够修复的列方向的最大失效单元电路数；则将该x地址位设为行备用电路特定失效单元电路，任意分配一组行备用电路去修复，若无可用的行备用电路，则标记并删除该存储芯片，更新哈希表结构；若有可用的行备用电路，则更新x-y和y-x哈希表结构，删除已修复的失效单元电路地址信息；16、对y-x哈希表结构进行遍历，获取y地址位对应的x地址位集合gy，vgy表示为集合gy的数值，若vgy＞rowmax，rowmax表示行备用电路能够修复的行方向的最大失效单元电路数；则将该y地址位设为列备用电路特定失效单元电路；任意分配一组列备用电路去修复，若无可用的列备用电路，则标记并删除该存储芯片，更新哈希表结构；若有可用的列备用电路，则更新x-y和y-x哈希表结构，删除已修复的失效单元电路地址信息。17、作为本发明进一步的方案：比较的具体过程为：18、将删除后剩余的失效单元电路标记为稀疏失效单元电路，获取此时所有x-y哈希表中最大集合的数值max-x，max-x=max(hash-table(x-y))，记录此时所对应的x值；获取所有y-x哈希表中最大集合的数值max-y，记录此时所对应的y值，max-y=max(hash-table(y-x))，筛选两个哈希表中最大集合的值作为m，m=max{max-x｜max-y}。19、作为本发明进一步的方案：若max-x=max-y，两个哈希表中存储最大的集合值相等，则将max-y判定为m输出。20、作为本发明进一步的方案：当所有的存储芯片的测试信息被遍历完成，输出正常可修复的存储芯片信息，剔除无法修复的存储芯片信息。21、本发明的有益效果：22、本发明将失效单元电路分为两种类型：特定修复类型的失效区域和稀疏修复类型的失效区域，预先处理特定修复失效单元电路区域；然后将启发式策略中的贪心策略融入芯片修复方案的生成，分析稀疏失效单元电路之间的相关性，提升行和列备用电路的修复利用率，能够有效提升存储芯片在测试修复中的良率。技术特征：1.一种基于测试设备的存储芯片的修复方法，其特征在于，包括以下步骤：2.根据权利要求1所述的一种基于测试设备的存储芯片的修复方法，其特征在于，采集失效单元电路信息的过程为：3.根据权利要求1所述的一种基于测试设备的存储芯片的修复方法，其特征在于，所述备用电路包括列备用电路和行备用电路，所述列备用电路用于修复存储芯片中列方向的失效单元电路，所述行备用电路用于修复存储芯片中行方向的失效单元电路。4.根据权利要求1所述的一种基于测试设备的存储芯片的修复方法，其特征在于，获取存储芯片中各个区块的备用修复电路单元的最大数量ti和失效单元电路数量fi，i表示区块编号，若fi大于ti，则该存储芯片无法修复，标记该存储芯片，并从哈希表数据结构中删除该存储芯片的失效单元电路信息。5.根据权利要求1所述的一种基于测试设备的存储芯片的修复方法，其特征在于，遍历的具体过程为：6.根据权利要求1所述的一种基于测试设备的存储芯片的修复方法，其特征在于，比较的具体过程为：7.根据权利要求6所述的一种基于测试设备的存储芯片的修复方法，其特征在于，若max-x=max-y，两个哈希表中存储最大的集合值相等，则将max-y判定为m输出。8.根据权利要求1所述的一种基于测试设备的存储芯片的修复方法，其特征在于，当所有的存储芯片的测试信息被遍历完成，输出正常可修复的存储芯片信息，剔除无法修复的存储芯片信息。技术总结本发明公开了一种基于测试设备的存储芯片的修复方法，属于芯片测试技术领域：：，具体包括：采集存储芯片中的失效单元电路信息；将区块编号作为存储键值，失效单元电路坐标作为存储值，构建X‑Y和Y‑X哈希表结构；对哈希表进行遍历，若存在超过预设阈值的失效单元电路集合，则将该集合称为特定失效单元电路，分配特定类型备用电路修复该区域；若无可用的备用电路，则标记并删除该存储芯片；若不存在超过预设阈值的失效单元电路集合，则将该集合称为稀疏失效单元电路，获取最大的集合值，分配备用电路，若无可用的备用电路，则标记并删除该存储芯片；若有可用的备用电路，则正常修复；本发明提升了对失效单元电路的修复利用率。技术研发人员：潘志富,刘金海,李海涛,郭琦,何肖珉受保护的技术使用者：悦芯科技股份有限公司技术研发日：技术公布日：2024/3/21