存储器装置及其操作方法与流程

各种实施方式总体上涉及存储器装置，并且更具体地，涉及用于在非易失性存储器装置中编程和验证数据的设备及方法。

背景技术：

1、存储器系统是使用诸如硅(si)、锗(ge)、砷化镓(gaas)、磷化铟(inp)等的半导体实现的储存装置。存储器系统分为易失性存储器装置和非易失性存储器装置。易失性存储器装置是当供电中断时其内所存储的数据丢失的存储器装置。易失性存储器装置的代表性示例包括静态ram(sram)、动态ram(dram)、同步dram(sdram)等。非易失性存储器装置是即使在供电中断时其内所存储的数据仍保留的存储器装置。非易失性存储器装置的代表性示例包括只读存储器(rom)、可编程rom(prom)、电可编程rom(eprom)、电可擦除可编程rom(eeprom)、闪存、相变随机存取存储器(pram)、磁ram(mram)、电阻ram(rram)、铁电ram(fram)等。

2、非易失性存储器装置的单元是可以对其执行电编程/擦除操作的元件。非易失性存储器装置可以通过随着电子因施加到单元的薄氧化物膜的强电场移动而改变单元的阈值电压，来对单元执行编程操作和擦除操作。

3、可以通过用于在向已经连接到被选为编程目标的存储器单元的字线施加具有逐步增加的电压的编程脉冲的同时改变已经被选为编程目标的存储器单元的阈值电压的增量步进脉冲编程(ispp)算法来执行非易失性存储器装置中包括的多个存储器单元的编程操作。此外，在施加编程脉冲之后，可以执行检查被选为编程目标的存储器单元的阈值电压电平是否已经达到目标电压电平的验证操作。

技术实现思路

1、在本发明的实施方式的一个方面，一种存储器装置可以包括：存储器单元阵列，其包括连接在多条字线和多条位线之间的多个存储器单元；以及控制器，其被配置为使用增量步进脉冲编程(ispp)方法以重复地执行包括电压施加区间和验证区间的编程循环，直到针对已连接到已被选为编程目标的字线的单元的编程操作达到阈值电压电平，并且控制器被配置为在根据ispp方法重复的编程循环当中，基于第一编程循环的验证区间中在已连接到被选字线的单元当中的已选为验证目标的各个单元的阈值电压电平与低于目标电平的预目标电平之间进行比较的结果，来调整在第一编程循环之后的第二编程循环的电压施加区间中向被选字线施加的编程电压的电平的增幅。

2、在本公开的实施方式的一个方面，一种存储器装置的操作方法可以包括：根据增量步进脉冲编程(ispp)方法，对连接在多条字线和多条位线之间的多个存储器单元当中的已连接到已选为编程目标的字线的单元重复地执行包括电压施加区间和验证区间的编程循环，直到完成编程操作；在根据ispp方法重复的编程循环当中，在第一编程循环的电压施加区间中，向被选字线施加第一编程电压；在第一编程循环的第一施加步骤之后的验证区间中，将已连接到被选字线的单元当中的已选为验证目标的各个单元的阈值电压电平与低于目标电平的预目标电平进行比较；以及在根据ispp方法重复的编程循环当中，在第二编程循环的电压施加区间中，基于比较步骤的结果，调整向被选字线施加的第二编程电压的电平的增幅。

技术特征：

1.一种存储器装置，该存储器装置包括：

2.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述控制器包括：

3.根据权利要求2所述的存储器装置，其中，所述控制操作单元：

4.根据权利要求3所述的存储器装置，其中，

5.根据权利要求4所述的存储器装置，其中，所述控制操作单元：响应于确定出所述被选单元的目标电平对应于所述n个阈值电压电平当中的除了所述最低阈值电压电平之外的其余阈值电压电平，无论所述控制电路单元已施加的所述比较信号如何，生成控制所述第二编程电压以与所述第一编程电压的电平相比具有对应于所述第二水平的增幅的所述电平调整信号。

6.根据权利要求2所述的存储器装置，其中，

7.根据权利要求6所述的存储器装置，其中，所述控制操作单元：

8.根据权利要求2所述的存储器装置，其中，所述控制电路单元包括：

9.一种存储器装置的操作方法，该操作方法包括以下步骤：

10.根据权利要求9所述的操作方法，其中，调整所述第二编程电压的电平的增幅的步骤包括以下步骤：

11.根据权利要求10所述的操作方法，其中，

12.根据权利要求11所述的操作方法，其中，调整所述第二编程电压的电平的增幅的步骤包括：响应于确定出所述被选单元的目标电平对应于所述n个阈值电压电平当中的除了所述最低阈值电压电平之外的其余阈值电压电平，无论已选为验证目标的各个单元的阈值电压电平的比较结果如何，控制所述第二编程电压以与所述第一编程电压的电平相比具有对应于所述第二水平的增幅。

13.根据权利要求9所述的操作方法，其中，

14.根据权利要求13所述的操作方法，其中，调整步骤包括以下步骤：

技术总结本申请涉及存储器装置及其操作方法。一种存储器装置包括：存储器单元阵列，其包括多个存储器单元；以及控制器，其被配置为重复地执行包括电压施加区间和验证区间的编程循环，直到针对已连接到已被选为编程目标的字线的单元的编程操作达到阈值电压电平，并且控制器被配置为在重复的编程循环当中，基于第一编程循环的验证区间中在已连接到被选字线的单元当中的已选为验证目标的各个单元的阈值电压电平与预目标电平之间进行比较的结果，来调整在第一编程循环之后的第二编程循环的电压施加区间中向被选字线施加的编程电压的电平的增幅。技术研发人员：崔亨进,高贵韩受保护的技术使用者：爱思开海力士有限公司技术研发日：技术公布日：2024/5/29