存储器故障分析与检测方法与流程

本发明涉及一种存储器故障分析与检测技术，且特别是涉及一种利用数学运算方式将异常坐标进行分类，并结合制作工艺能力的设计与布局而得到的各种数学组合排列结果，来判定异常的主因的存储器故障分析与检测方法。

背景技术：

1、故障位图(failure bitmap，fbm)是目前半导体元件常用的故障分析系统。fbm故障分析系统会根据半导体存储器单元阵列的布局，在显示器上显示存储器的每个单元的分析结果，如正常或故障的信息。

2、然而，目前业界所使用的fbm故障分析系统所显示的故障信息基本上只有显示系统内最基础的分类，并无根据产品的设计/布局/制作工艺等相关特性所进行的分类，所以即使发现故障区域，仍然需要进行繁琐且耗时的fa(failure analysis)失效分析。

技术实现思路

1、本发明提供一种存储器故障分析与检测方法以及相应的计算机可读取介质，可针对设计/布局/制作工艺等相关特性进行异常bit分类，将分类结果搭配设计与布局来预测或判定异常的主因，以期加快分析的时程。

2、本发明的存储器故障分析与检测方法，用于对存储器进行异常位检测。所述故障分析与检测方法包括对所述存储器的检测区域标示坐标，其中所述坐标是与所述检测区域的布局设计或制作工艺相关联，然后使用mod函数根据所述坐标的规律性进行分类，其中所述mod函数是取余数的函数，再从所述检测区域的故障位图(fbm)中得到对应所述分类的故障信息，其中所述故障信息包括与所述布局设计或所述制作工艺相应的故障原因。

3、在本发明的一实施例中，上述分类包括将所述故障位图中显示单一位故障的结果分类成一位(1-bit)故障，且所述坐标表示为(x,y)，其中x代表第一方向、y代表第二方向。

4、在本发明的一实施例中，上述一位故障包括1-bit(xeye)、1-bit(xoyo)、1-bit(xoye)与1-bit(xeyo)，其中e代表在所述坐标中为偶数且o代表在所述坐标中为奇数。

5、在本发明的一实施例中，上述检测区域为多图案光刻的两个黄光制作工艺后的检测区域，则上述一位故障包括1-bit(cc)、1-bit(cg)、1-bit(gc)与1-bit(gg)，其中cc代表第一黄光制作工艺为形成芯(core)的部位且第二黄光制作工艺为形成core的部位、cg代表第一黄光制作工艺为形成core的部位且第二黄光制作工艺为形成间隙(gap)的部位、gc代表第一黄光制作工艺为形成gap的部位且第二黄光制作工艺为形成core的部位、gg代表第一黄光制作工艺为形成gap的部位且第二黄光制作工艺为形成gap的部位。

6、在本发明的一实施例中，上述检测区域为线型多图案光刻的两个黄光制作工艺后的检测区域，则上述一位故障包括1-bit(core space)与1-bit(space core)，其中corespace代表第一黄光制作工艺为形成core的部位且第二黄光制作工艺为形成间隔(space)的部位、space core代表第一黄光制作工艺为形成space的部位且第二黄光制作工艺为形成core的部位。

7、在本发明的一实施例中，上述分类包括将所述故障位图中显示二位故障的结果分类成二位(2-bit)故障，且所述坐标表示为(x,y)，其中x代表第一方向、y代表第二方向。

8、在本发明的一实施例中，上述存储器为动态随机存取存储器(dram)，则上述二位故障包括2-bit(sti)、2-bit(blc)、2-bit(plug)与2-bit(sn)，其中sti代表主动(有源)区短路(aa short)所造成的故障、blc代表位线接点断路(blc open)所造成的故障、plug代表插塞短路(plug short)所造成的故障、sn代表存储节点短路(storage node short)所造成的故障。

9、在本发明的一实施例中，上述检测区域为flash字线(wl)的多图案光刻区域，则上述二位故障包括core造成的短路与space造成的短路。

10、在本发明的一实施例中，上述检测区域为dram位线(bl)的多图案光刻区域，则上述二位故障包括2-bit(core)与2-bit(gap)，其中core代表core区域所造成的故障与gap代表gap区域所造成的故障。

11、在本发明的一实施例中，上述检测区域为多图案光刻的两个黄光制作工艺后的检测区域，则上述分类包括将所述故障位图中显示两条连续线故障的位线对(bit linepair，blp)分类成core部位与gap部位。

12、在本发明的一实施例中，上述检测区域为dram的感测放大器(sa)区域，则上述分类包括将所述故障位图中显示两条线故障的结果分类成sas_6,e与sas_7,f。

13、本发明的计算机可读取介质是内储程序的计算机可读取介质，当计算机载入所述程序并执行后，可完成上述存储器故障分析与检测方法。

14、基于上述，本发明利用在检测区域内标示与布局设计或制作工艺相关联的坐标，再根据不同布局设计或制作工艺对前述坐标进行分类，因此在进行故障位图(fbm)的故障分析后，即可有效地找出异常主因。而且，本发明的方法也可应用于多图案光刻(multiplepatterning)的分析，解决原有fbm无法直接得到其故障主因的问题。

15、为让本发明的上述特征能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所附的附图作详细说明如下。

技术特征：

1.一种存储器故障分析与检测方法，用于对存储器进行异常位检测，包括：

2.如权利要求1所述的存储器故障分析与检测方法，其中所述分类包括将所述故障位图中显示单一位故障的结果分类成一位(1-bit)故障，且所述坐标表示为(x,y)，其中x代表第一方向、y代表第二方向。

3.如权利要求2所述的存储器故障分析与检测方法，其中所述一位故障包括1-bit(xeye)、1-bit(xoyo)、1-bit(xoye)与1-bit(xeyo)，其中e代表在所述坐标中为偶数且o代表在所述坐标中为奇数。

4.如权利要求2所述的存储器故障分析与检测方法，其中所述检测区域为多图案光刻的两个黄光制作工艺后的检测区域，则所述一位故障包括1-bit(cc)、1-bit(cg)、1-bit(gc)与1-bit(gg)，其中cc代表第一黄光制作工艺为形成芯(core)的部位且第二黄光制作工艺为形成芯的部位、cg代表第一黄光制作工艺为形成芯的部位且第二黄光制作工艺为形成间隙(gap)的部位、gc代表第一黄光制作工艺为形成间隙的部位且第二黄光制作工艺为形成芯的部位、gg代表第一黄光制作工艺为形成间隙的部位且第二黄光制作工艺为形成间隙的部位。

5.如权利要求2所述的存储器故障分析与检测方法，其中所述检测区域为线型多图案光刻的两个黄光制作工艺后的检测区域，则所述一位故障包括1-bit(core space)与1-bit(space core)，其中core space代表第一黄光制作工艺为形成芯(core)的部位且第二黄光制作工艺为形成间隔(space)的部位、space core代表第一黄光制作工艺为形成间隔的部位且第二黄光制作工艺为形成芯的部位。

6.如权利要求1所述的存储器故障分析与检测方法，其中所述分类包括将所述故障位图中显示二位故障的结果分类成二位(2-bit)故障，且所述坐标表示为(x,y)，其中x代表第一方向、y代表第二方向。

7.如权利要求6所述的存储器故障分析与检测方法，其中所述存储器为动态随机存取存储器(dram)，则所述二位故障包括2-bit(sti)、2-bit(blc)、2-bit(plug)与2-bit(sn)，其中sti代表主动区短路(aa short)所造成的故障、blc代表位线接点断路(blc open)所造成的故障、plug代表插塞短路(plug short)所造成的故障、sn代表存储节点短路(storagenode short)所造成的故障。

8.如权利要求6所述的存储器故障分析与检测方法，其中所述检测区域为flash字线(wl)的多图案光刻区域，则所述二位故障包括core造成的短路与间隔造成的短路。

9.如权利要求6所述的存储器故障分析与检测方法，其中所述检测区域为dram bl的多图案光刻区域，则所述二位故障包括2-bit(core)与2-bit(gap)，其中core代表芯(core)区域所造成的故障与gap代表间隙(gap)区域所造成的故障。

10.如权利要求1所述的存储器故障分析与检测方法，其中所述检测区域为多图案光刻的两个黄光制作工艺后的检测区域，则所述分类包括将所述故障位图中显示两条连续线故障的位线对分类成芯(core)部位与间隙(gap)部位。

11.如权利要求1所述的存储器故障分析与检测方法，其中所述检测区域为dram的感测放大器(sa)区域，则所述分类包括将所述故障位图中显示两条线故障的结果分类成sas_6,e与sas_7,f。

12.一种内储程序的计算机可读取介质，当计算机载入所述程序并执行后，可完成如权利要求1～11中任一所述的存储器故障分析与检测方法。

技术总结本发明公开一种存储器故障分析与检测方法，用于对存储器进行异常位检测。所述故障分析与检测方法包括对所述存储器的检测区域标示坐标，其中所述坐标是与所述检测区域的布局设计或制作工艺相关联，然后使用MOD函数根据所述坐标的规律性进行分类，其中所述MOD函数是取余数的函数，再从所述检测区域的故障位图(FBM)中得到对应所述分类的故障信息，其中所述故障信息包括与所述布局设计或所述制作工艺相应的故障原因。技术研发人员：施菁菁,庄仁豪受保护的技术使用者：力晶积成电子制造股份有限公司技术研发日：技术公布日：2024/6/11