存储器件、存储系统以及存储器件的操作方法与流程

公开了一种存储器件(memory device)、存储系统和存储器件的操作方法。

背景技术：

1、在高性能电子系统中广泛使用的存储器件的集成度和速度正在增加，并且存储器件的制造工艺也正在小型化。

技术实现思路

1、实施例涉及一种存储器件，所述存储器件包括：存储单元阵列，所述存储单元阵列包括多个行；纠错码(ecc)引擎，所述ecc引擎被配置为基于从所述多个行中的每一行读取的数据的错误发生数目来确定所述多个行中的每一行的健康水平；控制逻辑，所述控制逻辑被配置为基于所述健康水平和对所述多个行中的每一行的访问次数来确定受害行地址；以及刷新控制电路，所述刷新控制电路被配置为对与所确定的受害行地址相对应的行执行刷新。

2、所述控制逻辑包括：访问计数器，所述访问计数器对所述多个行中的每一行的行地址的访问次数进行计数，以及寄存器，所述寄存器存储包括所述行地址和对所述行地址的访问次数的访问数据。

3、所述控制逻辑包括访问计数器，所述访问计数器被配置为对所述多个行中的每一行的行地址的访问次数进行计数，并且所述存储单元阵列内的存储单元中存储有包括所述行地址和对所述行地址的访问次数的访问数据。

4、所述ecc引擎包括：ecc编码电路，所述ecc编码电路被配置为：生成与写入到所述存储单元阵列中的写入数据相关的奇偶校验位，并且将所述写入数据和所述奇偶校验位存储在所述存储单元阵列中；ecc解码电路，所述ecc解码电路被配置为：在通过使用从所述存储单元阵列读取的读取数据和所述奇偶校验位纠正所述读取数据中的错误时，生成错误发生信号；以及健康水平发生器，所述健康水平发生器被配置为：通过对所述错误发生信号进行计数来确定所述多个行中的每一行的错误发生数目，并且通过将所述错误发生数目与预设阈值进行比较来确定所述多个行中的每一行的健康水平。

5、当所述多个行当中的第一行的第一错误发生数目大于所述多个行当中的第二行的第二错误发生数目时，所述第一行的健康水平高于所述第二行的健康水平。

6、所述控制逻辑计算所述多个行中的每一行的损坏发生数目，每一行的所述损坏发生数目是对所述多个行当中与该行相邻的两个行的访问次数的总和，并且所述控制逻辑通过将每一行的健康水平乘以该行的损坏发生数目，来计算每一行的受害程度。

7、所述控制逻辑将所述多个行当中受害程度大于预定基准的行的行地址确定为受害行地址。

8、所述控制逻辑将具有最大受害程度的行的行地址确定为受害行地址。

9、所述控制逻辑通过将所述多个行中的每一行的所述访问次数乘以该行的健康水平，来计算所述多个行中的每一行的加权访问计数，并且所述控制逻辑通过将所述多个行当中与每一行相邻的两个行的加权访问计数相加来计算每一行的受害程度。

10、实施例涉及一种存储系统，所述存储系统包括：存储控制器，所述存储控制器提供命令和地址；以及存储器件，所述存储器件包括具有多个行的存储单元阵列，所述存储器件基于经由所述命令和所述地址对所述多个行中的每一行的访问次数以及所述多个行中的每一行的健康水平来确定受害行地址，并且对与所确定的受害行地址相对应的行执行刷新。

11、所述存储器件基于从所述多个行中的每一行读取的数据的纠错次数来确定所述多个行中的每一行的健康水平，并且所述存储器件将所述存储控制器设置为不访问健康水平超过预定级别的行。

12、所述存储器件计算所述多个行中的每一行的损坏发生数目，每一行的所述损坏发生数目是对所述多个行当中与该行相邻的两个行的访问次数的总和，所述存储器件通过将每一行的健康水平乘以该行的损坏发生数目，来计算每一行的受害程度，并且所述存储器件基于所述受害程度来确定所述受害行地址。

13、所述存储器件通过将所述多个行中的每一行的所述访问次数乘以该行的健康水平，来计算所述多个行中的每一行的加权访问计数，所述存储器件通过将所述多个行当中的与每一行相邻的两个行的加权访问计数相加，来计算每一行的受害程度，并且所述存储器件基于所述受害程度来确定所述受害行地址。

14、实施例涉及一种存储器件的操作方法，所述操作方法包括：基于从存储单元阵列中包括的多个行中的每一行读取的数据的纠错次数，来生成包括所述多个行中的每一行的健康水平的健康数据；基于所述健康数据和对所述多个行中的每一行的访问次数，来确定受害行地址；以及刷新所确定的受害行地址。

15、生成所述健康数据包括：执行ecc操作，所述ecc操作用于在基于从所述多个行中的每一行读取的读取数据和奇偶校验数据来纠正所述读取数据中的错误时生成错误发生信号；生成错误数据，所述错误数据包括错误被纠正的行的行地址和对所述行地址的纠错次数；以及通过将所述错误数据与预定阈值进行比较，来确定所述多个行中的每一行的健康水平。

16、确定所述受害行地址包括：计算所述多个行中的每一行的损坏发生数目；通过将所述多个行中的每一行的健康水平乘以该行的损坏发生数目，来计算所述多个行中的每一行的受害程度；以及基于所述多个行中的每一行的受害程度来确定所述受害行地址。

17、计算所述损坏发生数目包括：通过将对所述多行当中与每一行相邻的两个行的访问次数相加，来计算每一行的损坏发生次数。

18、确定所述受害行地址包括：基于所述多个行中的每一行的访问计数和该行的健康水平，来计算所述多个行中的每一行的加权访问计数；基于所述多个行中的每一行的加权访问计数来计算所述多个行中的每一行的受害程度；以及基于所述多个行中的每一行的受害程度，来确定所述受害行地址。

19、计算所述受害程度包括：通过将与多个行当中的每一行相邻的两个行的加权访问计数相加，来计算每一行的受害程度。

20、基于所述多个行中的每一行的受害程度确定所述受害行地址还包括：基于所述多个行中的每一行的受害程度将具有最大受害程度的行的行地址确定为所述受害行地址。

技术特征：

1.一种存储器件，所述存储器件包括：

2.根据权利要求1所述的存储器件，其中，所述控制逻辑包括：

3.根据权利要求1所述的存储器件，其中：

4.根据权利要求1所述的存储器件，其中，所述ecc引擎包括：

5.根据权利要求4所述的存储器件，其中，当所述多个行当中的第一行的第一错误发生数目大于所述多个行当中的第二行的第二错误发生数目时，所述第一行的健康水平高于所述第二行的健康水平。

6.根据权利要求1所述的存储器件，其中：

7.根据权利要求6所述的存储器件，其中，所述控制逻辑将所述多个行当中受害程度大于预定基准的行的行地址确定为受害行地址。

8.根据权利要求6所述的存储器件，其中，所述控制逻辑将具有最大受害程度的行的行地址确定为受害行地址。

9.根据权利要求1所述的存储器件，其中：

10.一种存储系统，所述存储系统包括：

11.根据权利要求10所述的存储系统，其中：

12.根据权利要求10所述的存储系统，其中：

13.根据权利要求10所述的存储系统，其中：

14.一种存储器件的操作方法，所述操作方法包括：

15.根据权利要求14所述的存储器件的操作方法，其中，生成所述健康数据包括：

16.根据权利要求14所述的存储器件的操作方法，其中，确定所述受害行地址包括：

17.根据权利要求16所述的存储器件的操作方法，其中，计算所述损坏发生数目包括：通过将对所述多行当中与每一行相邻的两个行的访问次数相加，来计算每一行的损坏发生次数。

18.根据权利要求14所述的存储器件的操作方法，其中，确定所述受害行地址包括：

19.根据权利要求18所述的存储器件的操作方法，其中，计算所述受害程度包括：通过将与多个行当中的每一行相邻的两个行的加权访问计数相加，来计算每一行的受害程度。

20.根据权利要求18所述的存储器件的操作方法，其中，基于所述多个行中的每一行的受害程度确定所述受害行地址还包括：基于所述多个行中的每一行的受害程度将具有最大受害程度的行的行地址确定为所述受害行地址。

技术总结提供了一种存储器件、存储系统以及存储器件的操作方法。所述存储器件包括：存储单元阵列，所述存储单元阵列包括多个行；ECC引擎，所述ECC引擎被配置为基于从所述多个行中的每一行读取的数据的纠错次数来确定所述多个行中的每一行的健康水平；控制逻辑，所述控制逻辑被配置为基于所述健康水平和对所述多个行中的每一行的访问次数来确定受害行地址；以及刷新控制电路，所述刷新控制电路被配置为对与所确定的受害行地址相对应的行执行刷新。技术研发人员：金熙重,赵诚珍受保护的技术使用者：三星电子株式会社技术研发日：技术公布日：2024/6/11