存储装置的制作方法

实施方式总体而言涉及存储装置。

背景技术：

1、作为存储装置，已知有dram(dynamic random access memory：动态随机存取存储器)。dram的存储单元包括电容器和晶体管。存储单元基于电容器所蓄积的电荷来保持数据。基于数据读出的对象的存储单元的数据的电压由感测放大器(sense amplifier)放大，由此，对所存储的数据进行判别。

技术实现思路

1、一个实施方式的存储装置包括电容器、第1晶体管、第1变换器电路、第2变换器电路、第6晶体管、第7晶体管、第8晶体管以及第9晶体管。

2、上述第1晶体管在第1端与上述电容器连接。上述第1变换器电路连接于第1节点与第2节点之间，包括在第3节点处串联连接的p型的第2晶体管和n型的第3晶体管。上述第2变换器电路连接于上述第1节点与上述第2节点之间，包括在第4节点处串联连接的p型的第4晶体管和n型的第5晶体管。上述第5晶体管的栅极与上述第1晶体管的第2端连接。上述第6晶体管连接于上述第5晶体管的上述栅极与上述第3节点之间。上述第7晶体管连接于上述第3晶体管的栅极与上述第4节点之间。上述第8晶体管连接于上述第3晶体管的上述栅极与上述第3节点之间。上述第9晶体管连接于上述第5晶体管的上述栅极与上述第4节点之间。在第1时刻形成对上述第1节点施加第1电压并且对上述第2节点施加比上述第1电压低的第2电压的状态。在上述第1时刻之后的第2时刻对上述第1节点施加上述第2电压与上述第1电压之间的第3电压。在上述第2时刻之后的第3时刻对上述第2节点施加第2电压与上述第1电压之间的第4电压。在上述第3时刻之后的第4时刻对上述第2节点施加上述第2电压。在上述第4时刻之后的第5时刻对上述第1节点施加上述第1电压。

技术特征：

1.一种存储装置，具备：

2.根据权利要求1所述的存储装置，

3.根据权利要求2所述的存储装置，

4.根据权利要求1所述的存储装置，

5.根据权利要求4所述的存储装置，

6.根据权利要求5所述的存储装置，

7.根据权利要求6所述的存储装置，

8.根据权利要求6所述的存储装置，

9.一种存储装置，具备：

10.根据权利要求9所述的存储装置，

11.根据权利要求9所述的存储装置，

12.根据权利要求11所述的存储装置，

13.根据权利要求11所述的存储装置，

14.根据权利要求11所述的存储装置，

15.根据权利要求14所述的存储装置，

技术总结本公开涉及存储装置。第1变换器电路连接于第1及第2节点之间，包括在第3节点处连接的第2及第3晶体管。第2变换器电路连接于第1及第2节点之间，包括在第4节点处连接的第4及第5晶体管。第8晶体管连接于第3晶体管的栅极与第3节点之间。第9晶体管连接于第5晶体管的栅极与第4节点之间。在第1时刻形成对第1节点施加第1电压并且对第2节点施加比第1电压低的第2电压的状态。在第2时刻对第1节点施加第2及第1电压之间的第3电压。在第3时刻对第2节点施加第2及第1电压之间的第4电压。在第4时刻对第2节点施加第2电压。在第5时刻对第1节点施加第1电压。技术研发人员：田代健也受保护的技术使用者：铠侠股份有限公司技术研发日：技术公布日：2024/6/23