半导体电路的制作方法

本公开涉及被配置为保持数据的半导体电路。

背景技术：

1、半导体电路通常包括采用例如电阻变化存储器元件的非易失性存储器电路。例如，专利文献1公开了一种存储器电路，其中使用钳位晶体管使电流在存储器元件中流动，并且基于对应于该存储器元件的电阻值的电压来读出数据。

2、引用列表

3、专利文献

4、专利文献1：日本专利申请第2016-511502号

技术实现思路

1、顺便提及，在一些情况下，希望这种半导体电路执行高速读出操作，其中在短时间段内读出大量数据。

2、期望提供一种使得能够执行高速读出操作的半导体电路。

3、根据本公开的实施方式的半导体电路包括第一存储器单元、第一信号线、第二存储器单元、第二信号线、感测放大器、第一开关以及第二开关。第一存储器单元包括第一存储器元件。第一信号线耦合到第一存储器单元。第二存储器单元包括第二存储器元件。第二信号线耦合到第二存储单元阵列。

4、感测放大器包括锁存电路、第一晶体管、第二晶体管和第三晶体管。锁存电路被配置为向第二节点施加相对于第一节点处的电压反相的电压，并且向第一节点施加相对于第二节点处的电压反相的电压。第一晶体管包括源极，并且包括耦合到第一节点的栅极和漏极。第二晶体管包括源极，并且包括耦合到第二节点的栅极和漏极。第三晶体管包括源极、控制电压可应用于的栅极、以及耦合到第一晶体管的源极、第二晶体管的源极、或两者的漏极。第一开关被配置为通过变成导通状态来将第一信号线和第一节点彼此耦合。第二开关被配置为通过变成导通状态来将第二信号线和第二节点彼此耦合。

5、在根据本公开的实施方式的半导体电路中，利用锁存电路，相对于第一节点处的电压反相的电压被施加到第二节点，并且相对于第二节点处的电压反相的电压被施加到第一节点。第一晶体管的栅极和漏极耦合到第一节点，并且第二晶体管的栅极和漏极耦合到第二节点。第三晶体管的漏极耦合到第一晶体管的源极、第二晶体管的源极或两者，并且控制电压施加到栅极。在将第一开关切换到导通状态时，第一节点耦合到第一信号线，第一信号线耦合到第一存储单元阵列。当第二开关变成导通状态时，第二节点耦合到第二信号线，第二信号线耦合到第二存储单元阵列。

技术特征：

1.一种半导体电路，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体电路，其中，

3.根据权利要求2所述的半导体电路，还包括：

4.根据权利要求2所述的半导体电路，其中，

5.根据权利要求2所述的半导体电路，其中，

6.根据权利要求2所述的半导体电路，其中，

7.根据权利要求2所述的半导体电路，其中，

8.根据权利要求1所述的半导体电路，其中，

9.根据权利要求8所述的半导体电路，还包括：

10.根据权利要求1所述的半导体电路，其中，

11.根据权利要求10所述的半导体电路，其中，

12.根据权利要求1所述的半导体电路，还包括：

13.根据权利要求12所述的半导体电路，其中，

14.根据权利要求12所述的半导体电路，其中，

15.根据权利要求1所述的半导体电路，还包括：

16.根据权利要求1所述的半导体电路，其中，

17.根据权利要求16所述的半导体电路，其中，

技术总结本公开的半导体电路包括：第一和第二存储器单元；第一和第二信号线；锁存电路，能够将第一节点的电压的反相电压施加到第二节点，并且能够将第二节点的电压的反相电压施加到第一节点；感测放大器，包括：第一晶体管，包括源极以及连接至第一节点的漏极和栅极；第二晶体管，包括源极以及连接至第二节点的漏极和栅极；以及第三晶体管，包括源极、能够施加控制电压的栅极以及连接至第一晶体管的源极和第二晶体管的源极中的一者或两者的漏极；第一开关，能够连接第一信号线和第一节点；以及第二开关，能够连接第二信号线和第二节点。技术研发人员：矶贝太志受保护的技术使用者：索尼半导体解决方案公司技术研发日：技术公布日：2024/6/23