存储器件的制作方法

本公开的实施例涉及一种存储器件，更具体地，涉及一种用于提高数据可靠性的存储器件及其操作方法。

背景技术：

1、非易失性存储器件包括以非易失性方式存储数据的多个存储单元。例如，闪存器件可以用在移动电话、数码相机、个人数字助理(pda)、移动计算系统、固定计算系统和其他装置中。

2、为了提高存储器件的容量，已经开发了包括在衬底上沿垂直方向延伸的多个垂直沟道结构的三维(3d)存储器件。为了提高存储器件的集成密度，已经提出了用于增加在衬底上方沿垂直方向堆叠的字线的数目或者从存储器件中去除虚设孔的方法。

3、然而，存储器件的集成密度的提高导致字线、串选线和接地选择线之间的干扰增加，因此，数据的可靠性会劣化。例如，不管存储器件的集成密度如何提高，都需要维持与存储器件的配置和操作相关的主要数据的可靠性。

技术实现思路

1、本公开的实施例提供了一种用于提高集成密度和数据可靠性的存储器件及其操作方法。

2、根据一个或更多个实施例，一种存储器件包括：存储单元阵列，所述存储单元阵列包括多个单元块，所述多个单元块包括存储除用户数据以外的信息的第一单元块和存储所述用户数据的第二单元块，其中，所述多个单元块中的每一个单元块包括多个单元串；以及控制电路，所述控制电路被配置为控制所述存储单元阵列的写入操作和读取操作，其中，所述第一单元块中包括的第一接地选择线(gsl)区域包括沿垂直方向堆叠的多条gsl，其中，多个接地选择晶体管中的连接到所述多条gsl之一的一个或更多个接地选择晶体管被编程到第一阈值电压，并且所述多个接地选择晶体管中的其他接地选择晶体管被编程到高于所述第一阈值电压的第二阈值电压，并且其中，所述第一单元块中的所述第一gsl区域中包括的第一线与所述第二单元块中的连接到存储所述用户数据的存储单元的字线被布置在相同高度。

3、根据一个或更多个实施例，一种存储器件包括：存储单元阵列，所述存储单元阵列包括存储除用户数据以外的信息的第一单元块和存储所述用户数据的第二单元块，所述第一单元块和所述第二单元块中的每一者包括连接到位线的第一单元串至第n单元串，其中n是大于或等于2的整数；以及控制电路，所述控制电路被配置为控制所述存储单元阵列的写入操作和读取操作，其中，所述第一单元块的所述第一单元串至所述第n单元串中的每一者包括在字线与公共源极线之间垂直堆叠的第一接地选择晶体管至第m接地选择晶体管，所述第一接地选择晶体管至所述第m接地选择晶体管中的一个接电选择晶体管被编程到第一阈值电压，并且所述第一接地选择晶体管至所述第m接地选择晶体管中的其他接地选择晶体管被编程到高于所述第一阈值电压的第二阈值电压，其中m是大于或等于2的整数，并且所述第二单元块的所述第一单元串至所述第n单元串中的每一者包括在所述字线与所述公共源极线之间垂直堆叠的第一接地选择晶体管至第n接地选择晶体管，其中n是小于m的整数。

4、根据一个或更多个实施例，一种存储器件包括：存储单元阵列，所述存储单元阵列包括存储除用户数据以外的信息的第一单元块，所述第一单元块包括连接到位线的第一单元串至第n单元串，其中n是大于或等于2的整数；以及控制电路，所述控制电路被配置为控制所述存储单元阵列的编程操作和读取操作，其中，所述第一单元串至所述第n单元串中的每一者包括：垂直堆叠并且具有第一阈值电压的多个第一接地选择晶体管、垂直堆叠并且具有高于所述第一阈值电压的第二阈值电压的多个第二接地选择晶体管、以及垂直堆叠并且具有所述第二阈值电压的多个第三接地选择晶体管。

技术特征：

1.一种存储器件，所述存储器件包括：

2.根据权利要求1所述的存储器件，其中，所述第二单元块中包括的第二gsl区域包括位于所述字线与公共源极线之间的至少一条gsl。

3.根据权利要求2所述的存储器件，其中，所述第一gsl区域中的gsl的数目大于所述第二gsl区域中的gsl的数目。

4.根据权利要求1所述的存储器件，其中，

5.根据权利要求4所述的存储器件，其中，

6.根据权利要求4所述的存储器件，其中，

7.根据权利要求4所述的存储器件，其中，

8.根据权利要求1所述的存储器件，其中，

9.根据权利要求2所述的存储器件，其中，

10.根据权利要求9所述的存储器件，其中，

11.根据权利要求10所述的存储器件，其中，

12.根据权利要求1所述的存储器件，其中，所述第一单元块在所述存储器件的制造期间存储idr数据，所述idr数据与所述存储器件的一个或更多个设置相关，所述idr即信息数据读取。

13.根据权利要求1所述的存储器件，其中，

14.一种存储器件，所述存储器件包括：

15.根据权利要求14所述的存储器件，其中，

16.根据权利要求14所述的存储器件，其中，

17.根据权利要求14所述的存储器件，其中，

18.根据权利要求17所述的存储器件，其中，

19.一种存储器件，所述存储器件包括：

20.根据权利要求19所述的存储器件，其中，

技术总结一种存储器件包括：包括多个单元块的存储单元阵列，多个单元块包括存储除用户数据以外的信息的第一单元块和存储用户数据的第二单元块，其中，多个单元块中的每一个单元块包括多个单元串；以及控制电路，被配置为控制存储单元阵列的写入操作和读取操作。第一单元块中包括的第一接地选择线(GSL)区域包括沿垂直方向堆叠的多条GSL。多个接地选择晶体管中的连接到多条GSL之一的一个或更多个接地选择晶体管被编程到第一阈值电压，多个接地选择晶体管中的未连接到该GSL的其他接地选择晶体管被编程到高于第一阈值电压的第二阈值电压。所述第一单元块中的第一GSL区域中包括的第一线与第二单元块中的连接到在存储用户数据的存储单元的字线被布置在相同高度。技术研发人员：金承范,崔容赫,徐贤,崔胜涌受保护的技术使用者：三星电子株式会社技术研发日：技术公布日：2024/6/23