编程与编程验证之间的读取通过电压相关恢复电压设置的制作方法

本申请涉及非易失性存储器装置和非易失性存储器装置的操作。

背景技术：

1、本节段提供与本公开相关联的技术相关的背景信息，并且由此不一定为现有技术。

2、半导体存储器设备已经变得越来越普遍用于各种电子设备。例如，非易失性半导体存储器用于蜂窝电话、数字相机、个人数字助理、移动计算设备、非移动计算设备以及其他设备。

3、电荷存储材料(诸如浮栅)或电荷俘获材料可以用于此类存储器设备中以存储表示数据状态的电荷。电荷俘获材料可以被垂直布置在三维(3d)堆叠的存储器结构中，或者被水平布置在二维(2d)存储器结构中。3d存储器结构的一个示例是位成本可扩展(bics)体系结构，该体系结构包括交替的导电层和介电层的堆叠。导电层可以包括字线。

4、可将存储器设备的存储器单元分组为存储器块。随着新一代存储器设备的发展，字线的数量和存储器块的对应大小通常增大。然而，由于这些增大，因此在有效地操作此类存储器设备方面提出了各种挑战。

技术实现思路

1、本节段提供了本公开的一般概述，并且不是其全部范围或其所有特征和优点的全面公开。

2、本公开的目的是提供解决和克服上述缺点的存储器装置和操作该存储器装置的方法。

3、因此，本公开的一个方面是提供一种包括存储器单元的存储器装置，该存储器单元各自连接到多个字线中的一者。该存储器单元以串被设置并且被配置为保持对应于多个数据状态中的一个数据状态的阈值电压。该存储器装置还包括耦接到该多个字线和该串的控制装置。该控制装置被配置为在多个编程循环中的每个编程循环的验证阶段开始时，将编程电压施加到多个字线中的选定字线中的每个选定字线，同时将多个通过电压中的一个通过电压施加到多个字线中的未选定字线，并且将多个字线中的选定字线中的一个选定字线和多个字线中的未选定字线两者斜降到恢复电压，并且在验证阶段期间将多个目标字线偏压中的一个目标字线偏压施加到多个字线中的每个字线。该控制装置还被配置为基于在验证阶段期间施加到多个字线中的每个字线的多个目标字线偏压中的一个目标字线偏压来调整恢复电压。

4、根据本公开的另一方面，还提供了一种与包括存储器单元的存储器装置通信的控制器，该存储器单元各自连接到多个字线中的一者。该存储器单元以串被设置并且被配置为保持对应于多个数据状态中的一个数据状态的阈值电压。该控制器被配置为指示存储器装置在多个编程循环中的每个编程循环的验证阶段开始时，将编程电压施加到多个字线中的选定字线中的每个选定字线，同时将多个通过电压中的一个通过电压施加到多个字线中的未选定字线，并且将多个字线中的选定字线中的一个选定字线和多个字线中的未选定字线两者斜降到恢复电压，并且在验证阶段期间将多个目标字线偏压中的一个目标字线偏压施加到多个字线中的每个字线。该控制器还被配置为基于在验证阶段期间施加到多个字线中的每个字线的多个目标字线偏压中的一个目标字线偏压来调整恢复电压。

5、根据本公开的附加方面，提供了一种操作存储器装置的方法。提供了存储器装置，该存储器装置包括存储器单元，存储器单元各自连接到多个字线中的一个字线。该存储器单元以串被设置并且被配置为保持对应于多个数据状态中的一个数据状态的阈值电压。该方法包括以下步骤：在多个编程循环中的每个编程循环的验证阶段开始时，将编程电压施加到多个字线中的选定字线中的每个选定字线，同时将多个通过电压中的一个通过电压施加到多个字线中的未选定字线，并且将多个字线中的选定字线中的一个选定字线和多个字线中的未选定字线两者斜降到恢复电压，并且在验证阶段期间将多个目标字线偏压中的一个目标字线偏压施加到多个字线中的每个字线。该方法还包括以下步骤：基于在验证阶段期间施加到多个字线中的每个字线的多个目标字线偏压中的一个目标字线偏压来调整恢复电压。

6、根据本文提供的描述，另外的适用领域将变得显而易见。本技术实现要素：中的描述和具体示例仅旨在用于例证的目的，并非旨在限制本发明的范围。

技术特征：

1.一种存储器装置，所述存储器装置包括：

2.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述控制装置进一步被配置为将所述恢复电压选择为大于或等于在所述验证阶段期间施加到所述多个字线中的每个字线的所述多个目标字线偏压中的一个目标字线偏压。

3.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述存储器单元包括至少一个块，并且所述多个字线被配置为在所述多个编程循环中从所述至少一个块的漏极端到源极端中的一者开始顺序地被编程，并且所述控制装置进一步被配置为取决于所述多个字线中的未选定字线中的每个未选定字线在所述至少一个块中位于所述多个字线中的选定字线中的一个选定字线的漏极侧上还是源极侧上，而选择所述多个目标字线偏压中的一个目标字线偏压并且调整用于所述多个字线中的未选定字线的所述恢复电压。

4.根据权利要求3所述的存储器装置，其中，所述多个通过电压包括漏极侧通过电压和源极侧通过电压，并且所述控制装置进一步被配置为：

5.根据权利要求4所述的存储器装置，其中，所述多个字线中的未选定字线包括紧邻所述多个字线中的选定字线中的每个选定字线设置的多个相邻字线，并且所述多个目标字线偏压包括大于所述漏极侧通过电压和所述源极侧通过电压的升高的读取通过电压，并且所述控制装置进一步被配置为：

6.根据权利要求3所述的存储器装置，其中，所述多个目标字线偏压包括多个验证电压和所述多个字线中的未选定字线的多个读取通过电压，每个验证电压与针对所述多个字线中的选定字线的所述多个数据状态中的一个数据状态相关联，并且所述控制装置进一步被配置为：

7.根据权利要求6所述的存储器装置，其中，所述控制装置进一步被配置为：

8.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述控制装置进一步被配置为取决于所述多个字线中的每个字线是否被编程而选择所述多个目标字线偏压中的一个目标字线偏压并且调整所述恢复电压。

9.一种与存储器装置通信的控制器，所述存储器装置包括存储器单元，所述存储器单元各自连接到多个字线中的一个字线并且以串被设置，并且被配置为保持对应于多个数据状态中的一个数据状态的阈值电压，所述控制器被配置为：

10.根据权利要求9所述的控制器，其中，所述存储器单元包括至少一个块，并且所述多个字线被配置为在所述多个编程循环中从所述至少一个块的漏极端到源极端中的一者开始顺序地被编程，并且所述控制器进一步被配置为取决于所述多个字线中的未选定字线中的每个未选定字线在所述至少一个块中位于所述多个字线中的选定字线中的一个选定字线的漏极侧上还是源极侧上，而选择所述多个目标字线偏压中的一个目标字线偏压并且调整用于所述多个字线中的未选定字线的所述恢复电压。

11.根据权利要求10所述的控制器，其中，所述多个通过电压包括漏极侧通过电压和源极侧通过电压，并且所述控制器进一步被配置为：

12.根据权利要求10所述的控制器，其中，所述多个目标字线偏压包括多个验证电压和所述多个字线中的未选定字线的多个读取通过电压，每个验证电压与针对所述多个字线中的选定字线的所述多个数据状态中的一个数据状态相关联，并且所述控制器进一步被配置为：

13.一种操作存储器装置的方法，所述存储器装置包括存储器单元，所述存储器单元各自连接到多个字线中的一个字线并且以串被设置，并且被配置为保持对应于多个数据状态中的一个数据状态的阈值电压，所述方法包括以下步骤：

14.根据权利要求13所述的方法，所述方法进一步包括以下步骤：将所述恢复电压选择为大于或等于在所述验证阶段期间施加到所述多个字线中的每个字线的所述多个目标字线偏压中的一个目标字线偏压。

15.根据权利要求13所述的方法，其中，所述存储器单元包括至少一个块，并且所述多个字线被配置为在所述多个编程循环中从所述至少一个块的漏极端到源极端中的一者开始顺序地被编程，并且所述方法进一步包括以下步骤：取决于所述多个字线中的未选定字线中的每个未选定字线在所述至少一个块中位于所述多个字线中的选定字线中的一个选定字线的漏极侧上还是源极侧上，而选择所述多个目标字线偏压中的一个目标字线偏压并且调整用于所述多个字线中的未选定字线的所述恢复电压。

16.根据权利要求15所述的方法，其中，所述多个通过电压包括漏极侧通过电压和源极侧通过电压，并且所述方法进一步包括以下步骤：

17.根据权利要求16所述的方法，其中，所述多个字线中的未选定字线包括紧邻所述多个字线中的选定字线中的每个选定字线设置的多个相邻字线，并且所述多个目标字线偏压包括大于所述漏极侧通过电压和所述源极侧通过电压的升高的读取通过电压，并且所述方法进一步包括以下步骤：

18.根据权利要求15所述的方法，其中，所述多个目标字线偏压包括多个验证电压和所述多个字线中的未选定字线的多个读取通过电压，每个验证电压与针对所述多个字线中的选定字线的所述多个数据状态中的一个数据状态相关联，并且所述方法进一步包括以下步骤：

19.根据权利要求18所述的方法，所述方法进一步包括以下步骤：

20.根据权利要求13所述的方法，所述方法进一步包括以下步骤：取决于所述多个字线中的每个字线是否被编程而选择所述多个目标字线偏压中的一个目标字线偏压并且调整所述恢复电压。

技术总结提供了一种存储器装置和操作方法。该装置包括存储器单元连接的字线。存储器单元以串被设置并且被配置为保持阈值电压。控制装置被配置为在多个编程循环中的每个编程循环的验证阶段开始时，将编程电压施加到字线中的选定字线，同时将通过电压施加到字线中的未选定字线，并且将多个字线中的选定字线和字线中的未选定字线两者斜降到恢复电压，并且在验证阶段期间将目标字线偏压施加到字线中的每个字线。该控制装置还被配置为基于在验证阶段期间施加到多个字线中的每个字线的目标字线偏压来调整恢复电压。技术研发人员：H-P·陈,W·赵,H·秦受保护的技术使用者：闪迪技术有限公司技术研发日：技术公布日：2024/6/23