确定目标存储区域的方法及存储设备与流程

本技术涉及存储管理，尤其涉及确定目标存储区域的方法及存储设备。

背景技术：

1、随着存储技术的快速发展，出现很多不同的存储介质，比如，光学存储介质、半导体存储介质、磁性存储介质等，而是与非(not and，nand)闪存(flash)属于半导体存储介质中的一种非易失性半导体介质。nand flash存储数据的基本单元为浮栅晶体管，通过晶体管中存储的电子数量表征存储的数据。由于对浮栅晶体管的读写操作会带来一定的介质损耗，因此，nand flash的磨损次数(即擦写寿命)是有限制的。

2、nand flash按照使用模式(或者电子单元密度)可以分为单层存储单元(single-level cell,slc)、双层存储单元(multi-level cell,mlc)、三层存储单元(triple-levelcell,tlc)和四层存储单元(quad-level cell,qlc)，四种模式的数据存储量依次增大、存储成本依次降低，以及擦写寿命依次缩短。比如，固态硬盘(solid state disk,ssd)主要由主控、缓存和闪存颗粒三个主要部件组成，其中，闪存颗粒是ssd专门负责存储数据的部分；该闪存颗粒内部大多使用slc与tlc两种混合模式，即闪存颗粒的存储区域被划分为slc区域和tlc区域，其中，slc区域用于吸收突发写入，以使得ssd对外呈现较好的写入性能；而tlc区域用于管理写入的数据，以降低ssd的存储成本。

3、存储设备(比如，ssd)采用分区存储的主要目的是为了达成性能和成本的均衡，但是，不同应用场景下，由于数据的写入模型不同(即写入ssd的数据类型不同)，比如，数据类型包括但不限于视频数据、文件数据、缓存数据和图片数据，因此，存储设备内部不同存储分区之间的磨损速率不同；在部分场景下，可能会出现存储设备内部单个存储区域(比如，slc区域或者tlc区域)的擦写寿命提前耗尽的情况，进而导致整个存储设备在存储能力未充分使用的情况下，擦写寿命提前耗尽。

4、因此，如何解决存储设备在存储能力未充分使用的情况下，擦写寿命提前耗尽是当前亟需解决的问题。

技术实现思路

1、为了解决存储设备在存储能力未充分使用的情况下，擦写寿命提前耗尽的问题，本技术实施例提供了一种确定目标存储区域的方法及存储设备。

2、第一方面，提供了一种确定目标存储区域的方法，应用于存储设备，所述存储设备包括第一存储区域和第二存储区域，所述方法包括：确定第一磨损比例和第二磨损比例，所述第一磨损比例用于指示所述第一存储区域的磨损程度，所述第二磨损比例用于指示所述第二存储区域的磨损程度；根据所述第一磨损比例和所述第二磨损比例确定目标存储区域，所述目标存储区域为所述第一磨损比例和所述第二磨损比例中的较小值对应的存储区域。

3、现有技术中，存储设备将数据先写入第一存储区域再迁移至第二存储区域，容易导致单个存储区域(比如，第一存储区域)的擦写寿命提前耗尽；而本技术中的存储设备根据第一磨损比例和第二磨损比例的大小确定数据要存储的目标存储区域，无需进行存储区域间的数据迁移，这样不仅能够避免迁移过程中额外消耗存储介质的磨损次数，还能够避免因单个存储区域(比如，第一存储区域或者第二存储区域)的擦写寿命提前耗尽而导致整个存储设备在存储能力未充分使用的情况下，擦写寿命提前耗尽的情况。

4、可选地，所述确定第一磨损比例和第二磨损比例，包括：在预设时刻确定第一磨损比例和第二磨损比例。

5、相比每次写入数据，存储设备都要根据第一磨损比例和第二磨损比例确定目标存储区域的方法，本实施例中的存储设备在预设时刻根据第一磨损比例和第二磨损比例确定目标存储区域，不仅能够降低存储设备的算力开销，还能提高数据的写入效率。

6、可选地，所述确定第一磨损比例和第二磨损比例之前，还包括：确定第一磨损次数和第二磨损次数，所述第一磨损次数为所述第一存储区域的磨损次数的增加值，所述第二磨损次数为所述第二存储区域的磨损次数的增加值；所述确定第一磨损比例和第二磨损比例，包括：当所述第一磨损次数和所述第二磨损次数的和大于第一阈值时，确定所述第一磨损比例和所述第二磨损比例。

7、相比每次写入数据，存储设备都要根据第一磨损比例和第二磨损比例确定目标存储区域的方法，本实施例中的存储设备在当第一磨损次数和第二磨损次数的和大于第一阈值时，才根据第一磨损比例和第二磨损比例确定目标存储区域，这样不仅能够降低存储设备的算力开销，还能提高数据的写入效率。

8、可选地，所述第一磨损次数为所述第一存储区域在当前时刻的磨损次数相比于上一次确定所述目标存储区域时的磨损次数的增加值，所述第二磨损次数为所述第二存储区域在当前时刻的磨损次数相比于上一次确定所述目标存储区域时的磨损次数的增加值。

9、相比ssd(即存储设备)根据第一存储区域(或者第二存储区域)在当前时刻的磨损次数相比于当前时刻之前的某个时刻的磨损次数的增加值，确定是否执行确定目标存储区域的方法，本技术中ssd(即存储设备)根据第一存储区域在当前时刻的磨损次数相比于上一次确定目标存储区域时的磨损次数的增加值，以及第二存储区域在当前时刻的磨损次数相比于上一次确定目标存储区域时的磨损次数的增加值确定ssd是否执行确定目标存储区域的方法，能够准确地调整存储区域之间的磨损均衡，从而避免了单个存储区域的擦写寿命的提前耗尽。

10、可选地，所述确定第一磨损比例和第二磨损比例，包括：确定所述第一存储区域的块数量、最大可擦写次数和当前磨损次数；根据所述第一存储区域的块数量、最大可擦写次数和当前磨损次数确定所述第一磨损比例，所述第一磨损比例与所述第一存储区域的块数量负相关，所述第一磨损比例与所述第一存储区域的最大可擦写次数负相关，所述第一磨损比例与所述第一存储区域的当前磨损次数正相关。

11、在本实施例中，存储设备根据第一存储区域的块数量、最大可擦写次数和当前磨损次数确定第一磨损比例，以使得第一磨损比例能够准确地反映第一存储区域实际的介质磨损程度。

12、可选地，所述确定第一磨损比例和第二磨损比例，包括：确定所述第二存储区域的块数量、最大可擦写次数和当前磨损次数；根据所述第二存储区域的块数量、最大可擦写次数和当前磨损次数确定所述第二磨损比例，所述第二磨损比例与所述第二存储区域的块数量负相关，所述第二磨损比例与所述第二存储区域的最大可擦写次数负相关，所述第二磨损比例与所述第二存储区域的当前磨损次数正相关。

13、在本实施例中，存储设备根据第二存储区域的块数量、最大可擦写次数和当前磨损次数确定第二磨损比例，以使得第二磨损比例能够准确地反映第二存储区域实际的介质磨损程度。

14、可选地，所述第一存储区域和所述第二存储区域为单层存储单元slc、双层存储单元mlc、三层存储单元tlc和四层存储单元qlc中的任意两种。

15、在本实施例中，第一存储区域和第二存储区域使用不同的模式，能在提高存储容量的同时，还能保证良好的写入性能。

16、可选地，所述第一存储区域和第二存储区域的存储性能不同。

17、在本实施例中，存储设备的存储部分采用分区存储数据的形式，不仅能够使得ssd的存储性能和存储成本达到均衡，还能应对多变的用户场景(即应对多变的写入模型)，从而避免存储设备所在的用户终端因数据读写慢而出现整机卡顿的现象。

18、第二方面，提供了一种存储设备，所述存储设备包括处理器和存储器，所述存储器用于存储计算机程序，所述处理器用于从所述存储器中调用并运行所述计算机程序，使得所述存储设备执行第一方面中任一项所述的方法。

19、第三方面，提供了一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质存储了计算机程序，当所述计算机程序被处理器执行时，使得所述处理器执行第一方面中任一项的方法。

20、第四方面，提供了一种计算机程序产品，所述计算机程序产品包括：计算机程序代码，当所述计算机程序代码被终端设备运行时，使得该存储设备执行第一方面中任一项的方法。

21、在本技术的第二方面、第三方面和第四方面的有益效果参见第一方面的有益效果。