发光器件的制作方法

本技术涉及显示，具体涉及一种发光器件。

背景技术：

1、随着显示技术的发展，有机发光二极管(organic light-emitting diode，oled)技术已广泛应用于显示行业，比如近年来已在车载显示器、电脑显示器、电视机屏幕、手机屏幕、商业显示等领域得到了越来越广泛的应用，具有广阔的应用前景。oled相对于液晶显示(liquid crystal display，lcd)具有自发光，广视角，高对比度，响应时间短，低功耗等优点，是新一代的可柔性显示。由于oled可制成柔性产品，可自定义其外观形态，应用于柔性显示具有很广泛的前景。因oled自身的各种优点，所以汽车厂和供应商也纷纷研发oled技术，从传统的仪表、中控到平视显示(head up display，hud)、流媒体后视镜、照明等均有涉及。

2、目前oled本身也存在一定的缺点，主要表现在结构复杂、工艺难度大、生产成本高、效率低、功耗高以及寿命短等方面。

技术实现思路

1、本发明的目的是提供一种发光器件，其能够解决现有技术中存在的结构复杂、工艺难度大、生产成本高、效率低、功耗高以及寿命短等问题。

2、为了解决上述问题，本发明提供一种发光器件，其包括：依次层叠设置的第一电极、第一电子阻挡层、第一发光层以及第二电极；其中，所述第一发光层包括发光颜色互不相同的第一发光单元、第二发光单元和第三发光单元，所述第一发光单元的波长大于所述第二发光单元的波长，所述第二发光单元的波长大于所述第三发光单元的波长；其中，所述第一电子阻挡层包括对应于所述第一发光单元的第一子电子阻挡单元、对应于所述第二发光单元的第二子电子阻挡单元和对应于所述第三发光单元的第三子电子阻挡单元；其中，所述第一子电子阻挡单元和所述第三子电子阻挡单元的材质均与所述第二子电子阻挡单元的材质相同；所述第二发光单元的homo能级与所述第二子电子阻挡单元的homo能级的差值的绝对值范围为0.02ev至0.04ev，所述第三发光单元的homo能级与所述第二子电子阻挡单元的homo能级的差值的绝对值范围为0.02ev至0.03ev。

3、进一步的，所述第三发光单元包括：第一主体材料以及第二主体材料；所述第三发光单元的所述第一主体材料的homo能级与所述第二子电子阻挡单元的homo能级的差值的绝对值范围为0.02ev至0.03ev；或者所述第三发光单元的所述第二主体材料的homo能级与所述第二子电子阻挡单元的homo能级的差值的绝对值范围为0.02ev至0.03ev。

4、进一步的，所述第一主体材料包括第一n型材料、第一p型材料以及第一pn型材料中的一者，所述第二主体材料包括所述第一n型材料、所述第一p型材料以及所述第一pn型材料中的另一者；或者，所述第一主体材料和所述第二主体材料均为所述第一pn型材料；其中，所述第一n型材料和所述第一pn型材料的lumo能级范围均为-2.05ev至3.32ev，所述第一p型材料和所述第一pn型材料的homo能级范围均为-5.46ev至-6.54ev，所述第一p型材料的homo能级与所述第一n型材料的lumo能级的差值的绝对值大于或等于2.6ev，所述第一pn型材料的homo能级与所述第一pn型材料的lumo能级的差值的绝对值大于或等于2.6ev，所述第一主体材料的lumo能级和所述第二主体材料的lumo能级的差值的绝对值范围为0.2ev至0.4ev。

5、进一步的，所述第一主体材料中的所述第一n型材料和所述第二主体材料中的所述第一n型材料之和与所述第一主体材料中的所述第一p型材料和所述第二主体材料中的所述第一p型材料之和的质量比的范围为5:5-7:3。

6、进一步的，所述发光器件还包括：第二电子阻挡层，与所述第一发光单元对应设置，且位于所述第一子电子阻挡单元与所述第一发光单元之间。

7、进一步的，所述发光器件还包括：依次层叠设置的第三电子阻挡层和第二发光层；其中，所述第二发光层设置于所述第一电子阻挡层与所述第一电极之间或者设置于所述第一发光层与所述第二电极之间；其中，所述第二发光层包括发光颜色互不相同的第四发光单元、第五发光单元和第六发光单元，所述第四发光单元、所述第五发光单元、和所述第六发光单元的发光颜色分别与所述第一发光单元、所述第二发光单元和所述第三发光单元的发光颜色相同；其中，所述第三电子阻挡层包括对应于所述第四发光单元的第四子电子阻挡单元、对应于所述第五发光单元的第五子电子阻挡单元和对应于所述第六发光单元的第六子电子阻挡单元。

8、进一步的，所述第四子电子阻挡单元和所述第六子电子阻挡单元的材质均与所述第五子电子阻挡单元的材质相同；所述第五发光单元的homo能级与所述第五子电子阻挡单元的homo能级的差值的绝对值范围为0.02ev至0.04ev；所述第六发光单元的homo能级与所述第五子电子阻挡单元的homo能级的差值的绝对值范围为0.02ev至0.03ev。

9、进一步的，所述第六发光单元包括：第三主体材料以及第四主体材料；所述第六发光单元的所述第三主体材料的homo能级与所述第五子电子阻挡单元的homo能级的差值的绝对值范围为0.02ev至0.03ev；或者所述第六发光单元的所述第四主体材料的homo能级与所述第五子电子阻挡单元的homo能级的差值的绝对值范围为0.02ev至0.03ev。

10、进一步的，所述第三主体材料包括第二n型材料、第二p型材料以及第二pn型材料中的一者，所述第四主体材料包括所述第二n型材料、所述第二p型材料以及所述第二pn型材料中的另一者；或者，所述第三主体材料和所述第四主体材料均为所述第二pn型材料；其中，所述第二n型材料和所述第二pn型材料的lumo能级范围均为-2.05ev至3.32ev，所述第二p型材料和所述第二pn型材料的homo能级范围均为-5.46ev至-6.54ev，所述第二p型材料的homo能级与所述第二n型材料的lumo能级的差值的绝对值大于或等于2.6ev，所述第二pn型材料的homo能级与所述第二pn型材料的lumo能级的差值的绝对值大于或等于2.6ev，所述第三主体材料的lumo能级和所述第四主体材料的lumo能级的差值的绝对值范围为0.2ev至0.4ev。

11、进一步的，所述发光器件还包括：第四电子阻挡层，与所述第四发光单元对应设置，且位于所述第四子电子阻挡单元与所述第四发光单元之间。

12、本发明的优点是：本发明的第一子电子阻挡单元和所述第三子电子阻挡单元的材质均与所述第二子电子阻挡单元的材质相同，可以简化第一电子阻挡层的结构，缩减生产成本；本发明可以采用一道普通金属掩膜板同时制备第一子电子阻挡单元、第三子电子阻挡单元以及第二子电子阻挡单元形成第一电子阻挡层，相较于现有技术中采用三道精细金属掩膜板制备第一子电子阻挡单元、第三子电子阻挡单元以及第二子电子阻挡单元，可以降低掩膜板成本，进一步缩减生产成本。

13、本发明的第三发光单元包括第一主体材料以及第二主体材料，利用第一主体材料和第二主体材料延缓电子在第三发光单元的传输，改善第一电子阻挡层给第三发光单元带来的空穴传输，改善第一主体材料以及第二主体材料到第三发光单元中的第一掺杂材料的能量传输，可以使激子复合区域向第三发光单元内侧移动，拓宽激子复合区域，延缓发光器件的老化，延长发光器件的使用寿命，使发光器件工作电压降低，并且提升发光器件的电流效率，提高发光器件的发光亮度。

14、本发明的第四子电子阻挡单元和所述第六子电子阻挡单元的材质均与所述第五子电子阻挡单元的材质相同，可以简化第三电子阻挡层的结构，缩减生产成本；本发明可以采用一道普通金属掩膜板同时制备第四子电子阻挡单元、第六子电子阻挡单元以及第五子电子阻挡单元形成第三电子阻挡层，相较于现有技术中采用三道精细金属掩膜板制备第四子电子阻挡单元、第六子电子阻挡单元以及第五子电子阻挡单元，可以降低掩膜板成本，进一步缩减生产成本。

15、本发明的第六发光单元包括第三主体材料以及第四主体材料，利用第三主体材料和第四主体材料延缓电子在第六发光单元的传输，改善第三电子阻挡层给第六发光单元带来的空穴传输，改善第三主体材料以及第四主体材料到第六发光单元中的第二掺杂材料的能量传输，可以使激子复合区域向第六发光单元内侧移动，拓宽激子复合区域，延缓发光器件的老化，延长发光器件的使用寿命，使发光器件工作电压降低，并且提升发光器件的电流效率，提高发光器件的发光亮度。