垂直非易失性存储器件的制作方法

公开了一种垂直非易失性存储器件。

背景技术：

1、在需要数据存储的电子系统中，需要能够存储高容量(high-capacity)数据的半导体器件。

技术实现思路

1、实施例涉及一种垂直非易失性存储器件，所述垂直非易失性存储器件包括：存储单元区域，所述存储单元区域包括在垂直方向上彼此交叠的多条栅极线以及使所述多条栅极线在所述垂直方向上彼此绝缘的绝缘层；延伸区域，所述延伸区域位于所述存储单元区域的一侧，所述延伸区域包括具有多个凸起焊盘的第一多个阶梯连接部，每一个凸起焊盘一体地连接到所述多条栅极线中的相应栅极线；外围电路结构，所述外围电路结构位于所述存储单元区域和所述延伸区域的下部中，所述外围电路结构包括外围电路布线层；贯通型单元接触图案，所述贯通型单元接触图案在所述延伸区域中穿透所述多条栅极线、所述绝缘层和所述第一多个阶梯连接部；以及贯通型单元接触监测图案，所述贯通型单元接触监测图案在所述延伸区域中与所述贯通型单元接触图案间隔开，所述贯通型单元接触监测图案监测所述贯通型单元接触图案。

2、实施例涉及一种垂直非易失性存储器件，所述垂直非易失性存储器件包括：外围电路结构，所述外围电路结构包括外围电路布线层；单元阵列结构，所述单元阵列结构位于所述外围电路结构上，所述单元阵列结构包括存储单元区域和延伸区域，其中，所述存储单元区域包括在垂直方向上彼此交叠的多条栅极线以及使所述多条栅极线在所述垂直方向上彼此绝缘的绝缘层，所述延伸区域位于所述存储单元区域的一侧，所述延伸区域包括具有多个凸起焊盘的第一多个阶梯连接部，每一个凸起焊盘一体地连接到所述多条栅极线中的相应栅极线；贯通型单元接触图案，所述贯通型单元接触图案位于所述延伸区域中，所述贯通型单元接触图案穿透所述多条栅极线、所述绝缘层和所述第一多个阶梯连接部；以及贯通型单元接触监测图案，所述贯通型单元接触监测图案在所述延伸区域中远离所述贯通型单元接触图案，所述贯通型单元接触监测图案监测所述贯通型单元接触图案。

3、实施例涉及一种垂直非易失性存储器件，所述垂直非易失性存储器件包括：外围电路结构，所述外围电路结构位于下衬底上，所述外围电路结构包括外围电路布线层；单元阵列结构，所述单元阵列结构位于所述外围电路结构上，所述单元阵列结构包括位于上衬底上的存储单元区域和延伸区域，其中，所述存储单元区域包括在所述上衬底上沿垂直方向彼此交叠的多条栅极线以及使所述多条栅极线在所述垂直方向上彼此绝缘的绝缘层，所述延伸区域位于所述存储单元区域的一侧，所述延伸区域包括具有多个凸起焊盘的第一多个阶梯连接部，每一个凸起焊盘一体地连接到所述多条栅极线中的相应栅极线；贯通型单元接触图案，所述贯通型单元接触图案位于所述延伸区域中，所述贯通型单元接触图案穿透所述多条栅极线、所述绝缘层、所述第一多个阶梯连接部和所述上衬底；以及贯通型单元接触监测图案，所述贯通型单元接触监测图案在所述延伸区域中远离所述贯通型单元接触图案，所述贯通型单元接触监测图案监测所述贯通型单元接触图案。

技术特征：

1.一种垂直非易失性存储器件，所述垂直非易失性存储器件包括：

2.根据权利要求1所述的垂直非易失性存储器件，其中，

3.根据权利要求1所述的垂直非易失性存储器件，其中，

4.根据权利要求1所述的垂直非易失性存储器件，其中，

5.根据权利要求1所述的垂直非易失性存储器件，其中，

6.根据权利要求5所述的垂直非易失性存储器件，其中，

7.根据权利要求5所述的垂直非易失性存储器件，其中，所述贯通型单元接触监测图案通过绝缘环与所述多条牺牲绝缘线电分离且物理分离。

8.根据权利要求1所述的垂直非易失性存储器件，其中，

9.根据权利要求8所述的垂直非易失性存储器件，其中，

10.根据权利要求8所述的垂直非易失性存储器件，其中，所述贯通型单元接触监测图案通过绝缘环与所述多条栅极线电分离且物理分离。

11.一种垂直非易失性存储器件，所述垂直非易失性存储器件包括：

12.根据权利要求11所述的垂直非易失性存储器件，其中，

13.根据权利要求11所述的垂直非易失性存储器件，其中，

14.根据权利要求11所述的垂直非易失性存储器件，其中，

15.根据权利要求14所述的垂直非易失性存储器件，其中，所述贯通型单元接触监测图案通过绝缘环与所述多条牺牲绝缘线电分离且物理分离。

16.根据权利要求11所述的垂直非易失性存储器件，其中，

17.一种垂直非易失性存储器件，所述垂直非易失性存储器件包括：

18.根据权利要求17所述的垂直非易失性存储器件，其中，

19.根据权利要求17所述的垂直非易失性存储器件，其中，

20.根据权利要求17所述的垂直非易失性存储器件，其中，

技术总结一种垂直非易失性存储器件，包括：存储单元区域，所述存储单元区域包括在垂直方向上彼此交叠的多条栅极线以及使多条栅极线在垂直方向上彼此绝缘的绝缘层；延伸区域，延伸区域位于存储单元区域的一侧，延伸区域包括具有多个凸起焊盘的第一多个阶梯连接部，每一个凸起焊盘一体地连接到多条栅极线中的相应栅极线；外围电路结构，外围电路结构位于存储单元区域和延伸区域的下部中，外围电路结构包括外围电路布线层；贯通型单元接触图案，贯通型单元接触图案在延伸区域中穿透多条栅极线、绝缘层和第一多个阶梯连接部；以及贯通型单元接触监测图案，所述贯通型单元接触监测图案在延伸区域中与贯通型单元接触图案间隔开。技术研发人员：姜信焕,李璿婴受保护的技术使用者：三星电子株式会社技术研发日：技术公布日：2024/7/18