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一种非易失性1.5T浮栅型FLASH存储器
本发明属于高端存储器,具体涉及一种非易失性1.5t浮栅型flash存储器。背景技术:1、近年来,嵌入式存储器技术随着消费电子、工业电子和汽车电子等领域的发展而不断进化和革新,其中,嵌入式sram和嵌入......
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垂直非易失性存储器件的制作方法
公开了一种垂直非易失性存储器件。背景技术:1、在需要数据存储的电子系统中,需要能够存储高容量(high-capacity)数据的半导体器件。技术实现思路1、实施例涉及一种垂直非易失性存储器件,所述垂直......
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一种用于非易失性随机存储器的存内计算电路
本申请属于集成电路领域,具体地讲,涉及一种用于非易失性随机存储器的存内计算电路。背景技术:1、目前基于磁随机存取存储器(magnetic random access memory,缩写为mram)的存......
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非易失性存储器件的制作方法
本公开涉及存储器件,更具体地,涉及三维非易失性存储器件,该三维非易失性存储器件包括相对于外围电路在垂直方向上布置的存储单元阵列。背景技术:1、响应于对非易失性存储器件的容量增加和小型化的需求,已经开发......
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一种用于非易失性随机存储器的存算一体电路
本技术属于集成电路领域,具体地讲,涉及一种用于非易失性随机存储器的存算一体化电路。背景技术:1、目前基于磁随机存取存储器(magnetic random access memory,缩写为mram)的......