半导体结构及其制造方法与流程

本公开关于半导体结构及其制造方法，尤其涉及一种包括三维动态随机存取存储器结构的半导体结构及其制造方法。

背景技术：

1、随着半导体产业的发展，各种电子装置的三维(three dimensional，3d)结构被提出，以达到增加密度、减小体积等目的。对于某些类型的电子装置如动态随机存取存储器(dynamic random access memory，dram)来说，实现3d结构的方式是将二维(twodimensional，2d)结构逐层叠层。这种3d结构允许在微小的占地面积中存在更多的电子装置，但不利于成本的降低。

技术实现思路

1、本公开着眼于3d结构的改进，使得如动态随机存取存储器之类的电子装置可以以低成本的方式被制造出来。

2、在本公开的一个方面，提供了一种半导体结构，该半导体结构具有一装置定义区。装置定义区包含一第一部分和一第二部分彼此分离。该半导体结构包括一叠层。叠层包括多个第一导电层和多个第一介电层交替设置。叠层具有一开口在装置定义区穿过该叠层。该半导体结构还包括一第二导电层、一第一导电柱、一第三导电层、一第二导电柱和一第三导电柱。第二导电层沿着开口的一侧壁设置。第一导电柱在装置定义区的第一部分设置于开口中。第三导电层沿着装置定义区的第二部分的一边缘设置于开口中。第二导电柱和第三导电柱设置于第二部分并彼此分离。

3、在本公开的另一个方面，提供了一种半导体结构的制造方法。该半导体结构具有一装置定义区。装置定义区包含一第一部分和一第二部分彼此分离。该半导体结构的制造方法包括下列步骤。首先，形成一叠层，叠层包括多个第一导电层和多个第一介电层交替设置，叠层具有一开口在装置定义区穿过该叠层。接着，形成一第二导电层沿着开口的一侧壁。形成一第一导电柱在装置定义区的第一部分于该开口中。形成一第三导电层沿着装置定义区的第二部分的一边缘于该开口中。形成一第二导电柱和一第三导电柱在第二部分，第二导电柱和第三导电柱彼此分离。

4、为了对本公开的上述及其他方面有更佳的了解，下文特举实施例，并配合所附附图详细说明如下。

技术特征：

1.一种半导体结构，具有一装置定义区，该装置定义区包含一第一部分和一第二部分彼此分离，该半导体结构包括：

2.根据权利要求1所述的半导体结构，还包括：

3.根据权利要求1所述的半导体结构，还包括：

4.根据权利要求1所述的半导体结构，还包括：

5.根据权利要求1所述的半导体结构，其中该第二导电层在该叠层的叠层方向上不连续地延伸。

6.根据权利要求1所述的半导体结构，其中该第二导电层在该叠层的叠层方向上连续地延伸。

7.一种半导体结构的制造方法，其中该半导体结构具有一装置定义区，该装置定义区包含一第一部分和一第二部分彼此分离，该半导体结构的制造方法包括：

8.根据权利要求7所述的半导体结构的制造方法，包括：

9.根据权利要求8所述的半导体结构的制造方法，还包括：

10.根据权利要求8所述的半导体结构的制造方法，还包括：

技术总结本公开提供了一种半导体结构及其制备方法，该半导体结构具有一装置定义区，装置定义区包含一第一部分和一第二部分彼此分离。该半导体结构包括一叠层，叠层包括多个第一导电层和多个第一介电层交替设置，叠层具有一开口在装置定义区穿过该叠层，该半导体结构还包括一第二导电层、一第一导电柱、一第三导电层、一第二导电柱和一第三导电柱，第二导电层沿着开口的一侧壁设置，第一导电柱在装置定义区的第一部分设置于开口中，第三导电层沿着装置定义区的第二部分的一边缘设置于开口中，第二导电柱和第三导电柱设置于第二部分并彼此分离。技术研发人员：赖二琨,李峯旻受保护的技术使用者：旺宏电子股份有限公司技术研发日：技术公布日：2024/7/18