半导体器件及其制作方法与流程

本申请涉及半导体，尤其涉及一种半导体器件及其制作方法。

背景技术：

1、随着科技的不断发展，半导体器件的应用越来越广。例如，半导体器件可以包括晶体管，晶体管通常包括源区、漏区、位于源区和漏区之间的沟道区、至少位于沟道区上的栅介质层，以及位于栅介质层上的栅极。晶体管利用栅极所形成的电场，控制沟道区内感应电荷的多少，进而改变沟道区的状态，从而达到控制漏区电流的效果。

2、随着半导体器件的特征尺寸的微缩，半导体器件的制作成本越来越高，良品率越来越低。平面式半导体器件的发展已达瓶颈，具有立体结构的半导体器件已成为目前的主流发展趋势，例如三维nand闪存等。然而，现有的半导体器件仍存在有许多缺陷，还待进一步改良并有效提升相关半导体器件的效能及可靠度。

技术实现思路

1、鉴于上述问题，本申请实施例提供一种半导体器件及其制作方法，以减少半导体器件的漏电流，提高半导体器件的性能。

2、根据一些实施例，本申请的第一方面提供一种半导体器件，其包括：堆叠结构，包括交替设置的金属层和隔离层；连接结构，贯穿所述堆叠结构，所述连接结构包括位于所述堆叠结构内的金属芯、位于所述金属芯侧壁上的金属氧化物层以及位于所述金属氧化物层与所述金属芯之间的阻挡层；第一绝缘层，直接接触所述金属芯的侧壁；其中，所述金属氧化物层与所述阻挡层的顶面不等高，所述金属氧化物层与所述堆叠结构直接接触。

3、根据一些实施例，本申请第二方面提供一种半导体器件的制作方法，其包括：形成堆叠结构，所述堆叠结构包括交替设置的金属层和隔离层；形成连接结构，所述连接结构贯穿所述堆叠结构，所述连接结构包括位于所述堆叠结构内的金属芯、位于所述金属芯侧壁上的金属氧化物层，以及位于所述金属氧化物层与所述金属芯之间的阻挡层，其中，所述金属氧化物层与所述阻挡层的顶面不等高，所述金属氧化物层与所述堆叠结构直接接触；形成第一绝缘层，所述第一绝缘层直接接触所述金属芯的侧壁。

4、本申请实施例提供的半导体器件及其制作方法中，通过连接结构贯穿堆叠结构，且包括位于堆叠结构内的金属芯、位于金属芯侧壁上的金属氧化物层以及位于金属氧化物层与金属芯之间的阻挡层，阻挡层可以防止金属芯内的金属离子向金属氧化物层扩散，从而保证金属氧化物层的性能。金属氧化物层与阻挡层的顶面不等高，且与堆叠结构直接接触。第一绝缘层直接接触金属芯的侧壁，利用第一绝缘层将金属芯之间隔离，可以减少金属芯的漏电，从而提高半导体器件的性能。

技术特征：

1.一种半导体器件，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一绝缘层直接接触所述阻挡层的顶面。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述阻挡层直接接触所述金属氧化物层的顶面。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述金属芯具有向内延伸的凹陷，所述第一绝缘层填充所述凹陷。

5.根据权利要求4所述的半导体器件，其特征在于，沿靠近所述金属芯顶面的方向，所述凹陷的深度逐渐增加。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述金属氧化物层的顶面低于所述堆叠结构的顶面。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述阻挡层的顶面低于所述金属氧化物层的顶面。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述阻挡层的顶面高于所述堆叠结构的顶面。

9.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括：

10.根据权利要求9所述的制作方法，其特征在于，形成连接结构包括：

11.根据权利要求10所述的制作方法，其特征在于，所述第一绝缘层直接接触所述阻挡层的顶面。

12.根据权利要求9所述的制作方法，其特征在于，形成连接结构还包括：

13.根据权利要求12所述的制作方法，其特征在于，沿靠近所述金属芯的顶面的方向，所述凹陷的深度逐渐增加。

技术总结本申请提供一种半导体器件及其制作方法，涉及半导体技术领域，用于解决器件性能较差的技术问题。该半导体器件包括堆叠结构、连接结构和第一绝缘层，连接结构贯穿堆叠结构，且包括位于堆叠结构内的金属芯、位于金属芯侧壁上的金属氧化物层以及位于金属氧化物层与金属芯之间的阻挡层。金属氧化物层与阻挡层的顶面不等高，金属氧化物层与堆叠结构直接接触。第一绝缘层直接接触金属芯的侧壁。第一绝缘层直接接触金属芯的侧壁，利用第一绝缘层将金属芯之间隔离，从而提高半导体器件的性能。技术研发人员：檀遵锟,游晶晶,吴坤林,刘韦廷受保护的技术使用者：福建省晋华集成电路有限公司技术研发日：技术公布日：2024/7/18