一种复位电路的制作方法

本申请涉及模拟集成电路设计的，具体涉及一种复位电路。

背景技术：

1、电子系统电源上电时，如数字寄存器、模拟积分器等记忆元件均需要一个复位信号进行初始化。同时，电源遭遇大的噪声及负载电流时，电源往往会瞬态快速掉电导致记忆元件状态不定，也需要调电复位初始化信号。复位信号需要维持一定时延以便电源上电及电路状态初始化。

2、参照图1，示出了传统的复位电路的电路图，该复位电路掉电释放直接利用电源控制下拉pmos管(图中p)进行复位电平释放，由于阈值损失导致复位高电位释放不彻底，带来掉电复位提前触发，影响掉电复位瞬态功能以及掉电复位维持时间，而影响系统性能。

技术实现思路

1、为了解决上述问题，本申请提供了一种复位电路。

2、本申请提供的一种复位电路，包括：

3、上电检测模块、复位延时模块、差分掉电监测模块和掉电释放模块；

4、所述上电检测模块的输入端连接于电源，用于监测所述电源的工作状态，并向所述复位延时模块输出第一控制信号；

5、所述复位延时模块的输入端接收所述第一控制信号，输出端连接至所述掉电释放模块；

6、所述差分掉电监测模块的差分输入端连接于所述上电检测模块，输出端连接于所述掉电释放模块，用于在所述上电检测模块检测到掉电发生时，向所述掉电释放模块输出电平释放控制信号；

7、所述掉电释放模块包括下拉mos管，所述下拉mos管的栅极连接于所述差分掉电监测模块的输出端，源极连接于所述复位延时模块的输出端，漏极接地或电源，所述掉电释放模块用于在掉电发生时，进行复位电平释放；

8、其中，所述第一控制信号经过所述复位延时模块的延时处理和所述掉电释放模块的电平释放后，形成复位控制信号。

9、在一些实施例中，所述上电检测模块包括第一负载电阻、第二负载电阻、第一mos管、第二mos管和第一反相器；

10、所述第一mos管和第二mos管镜像设置，所述第一mos管的漏极通过所述第一负载电阻连接至电源和地线中的其中一个，源极连接至电源和地线中的另一个；所述第二mos管的漏极通过所述第二负载电阻连接至电源和地线中的其中一个，源极连接至电源和地线中的另一个；

11、所述第一反相器的输入端连接在所述第二负载电阻和第二mos管之间，输出端连接至所述复位延时模块。

12、在一些实施例中，所述差分掉电监测模块包括差分设置的两个监测mos管，两个所述监测mos管的漏极相互连接，其中一个所述监测mos管的栅极连接在所述第一mos管和第一负载电阻之间，用于接收第一监测电压，另一个所述监测mos管的栅极连接在所述第二mos管和第一反相器的输入端之间，用于接收第二监测电压；

13、所述第一监测电压和第二监测电压构成为差分输入信号；

14、所述下拉mos管的栅极连接在两个所述监测mos管的漏极之间。

15、在一些实施例中，所述第一mos管和第二mos管为nmos管，所述第一mos管和第二mos管的源极均接地，漏极均连接至所述电源；

16、所述监测mos管包括第一监测mos管和第二监测mos管，所述第一监测mos管的源极接地，所述第二监测mos管的源极连接于电源；

17、所述第一监测mos管为nmos管，所述第一监测mos管的栅极连接在所述第一mos管的漏极和第一负载电阻之间，用于接收第一监测电压；

18、所述第二监测mos管为pmos管，所述第二监测mos管的栅极连接在所述第二mos管的漏极和第一反相器的输入端之间，用于接收第二监测电压。

19、所述下拉mos管为pmos管，其漏极接地。

20、在一些实施例中，所述第一mos管和第二mos管为pmos管，所述第一mos管和第二mos管的源极均连接于所述电源，漏极均接地；

21、所述监测mos管包括第一监测mos管和第二监测mos管，所述第一监测mos管的源极接地，所述第二监测mos管的源极连接于电源；

22、所述第一监测mos管为nmos管，所述第一监测mos管的栅极连接在所述第二mos管的漏极和第一反相器的输入端之间，用于接收第二监测电压；

23、所述第二监测mos管为pmos管，所述第二监测mos管的栅极连接在所述第一mos管的漏极和第一负载电阻之间，用于接收第一监测电压。

24、所述下拉mos管为nmos管，其漏极接电源。

25、在一些实施例中，所述复位电路还包括整形输出模块，所述整形输出模块用于接收所述复位控制信号，对所述复位控制信号的波形进行整形，并输出整形后的复位控制信号。

26、在一些实施例中，所述整形输出模块包括第二反相器和第三反相器，所述第二反相器用于对所述复位控制信号进行反向处理，以输出所述复位控制信号的反向信号，所述第三反相器用于对所述复位控制信号的反向信号进行反向处理，以得到整形后的复位控制信号并输出。

27、在一些实施例中，所述复位延时模块包括延时电阻和延时mos管，所述延时mos管的栅极连接在所述延时电阻的一端和所述下拉mos管的源极之间，所述延时电阻的另一端连接在所述上电检测电路的输出端；

28、所述延时mos管的源极和漏极共同接地。

29、本申请技术方案，至少包括如下优点：

30、1、通过差分掉电监测模块的设置，快速响应电源掉电并产生电平释放控制信号，可以消除阈值损失，使得复位电平电荷释放更快速彻底，有助于提升复位延时维持时间，提高复位电路的可靠性，进而降低成本。

技术特征：

1.一种复位电路，其特征在于，包括：上电检测模块、复位延时模块、差分掉电监测模块和掉电释放模块；

2.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述上电检测模块包括第一负载电阻、第二负载电阻、第一mos管、第二mos管和第一反相器；

3.根据权利要求2所述的电路，其特征在于，所述差分掉电监测模块包括差分设置的两个监测mos管，两个所述监测mos管的漏极相互连接，其中一个所述监测mos管的栅极连接在所述第一mos管和第一负载电阻之间，用于接收第一监测电压，另一个所述监测mos管的栅极连接在所述第二mos管和第一反相器的输入端之间，用于接收第二监测电压；

4.根据权利要求3所述的电路，其特征在于，所述第一mos管和第二mos管为nmos管，所述第一mos管和第二mos管的源极均接地，漏极均连接至所述电源；

5.根据权利要求3所述的电路，其特征在于，所述第一mos管和第二mos管为pmos管，所述第一mos管和第二mos管的源极均连接于所述电源，漏极均接地；

6.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述复位电路还包括整形输出模块，所述整形输出模块用于接收所述复位控制信号，对所述复位控制信号的波形进行整形，并输出整形后的复位控制信号。

7.根据权利要求6所述的电路，其特征在于，所述整形输出模块包括第二反相器和第三反相器，所述第二反相器用于对所述复位控制信号进行反向处理，以输出所述复位控制信号的反向信号，所述第三反相器用于对所述复位控制信号的反向信号进行反向处理，以得到整形后的复位控制信号并输出。

8.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述复位延时模块包括延时电阻和延时mos管，所述延时mos管的栅极连接在所述延时电阻的一端和所述下拉mos管的源极之间，所述延时电阻的另一端连接在所述上电检测电路的输出端；

技术总结本申请公开了一种复位电路，包括：上电检测模块、复位延时模块、差分掉电监测模块和掉电释放模块；上电检测模块的输入端连接于电源，用于监测电源的工作状态，并向复位延时模块输出第一控制信号；复位延时模块的输入端接收第一控制信号，输出端连接至掉电释放模块；差分掉电监测模块的差分输入端连接于上电检测模块，输出端连接于掉电释放模块，用于在上电检测模块检测到掉电发生时，向掉电释放模块输出电平释放控制信号；掉电释放模块包括下拉MOS管，下拉MOS管的栅极连接于差分掉电监测模块的输出端，源极连接于复位延时模块的输出端，漏极接地或电源。本申请通过上述方案，能够提高复位延迟持续时间，有助于提高复位电路可靠性，降低成本。技术研发人员：戴若凡受保护的技术使用者：上海华虹宏力半导体制造有限公司技术研发日：技术公布日：2024/7/23